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基于法動(dòng)EDA電磁大腦EMOptimizer?獨(dú)創(chuàng)快速產(chǎn)生模擬/射頻電路圖及其優(yōu)化結(jié)果

法動(dòng)科技 ? 來(lái)源:法動(dòng)科技 ? 2024-03-17 14:56 ? 次閱讀

0 前言

EMOptimizer基于法動(dòng)EDA電磁大腦,獨(dú)創(chuàng)快速產(chǎn)生模擬/射頻電路圖及其優(yōu)化結(jié)果。EMOptimizer由中國(guó)射頻EDA領(lǐng)軍品牌法動(dòng)EDA研發(fā)成功。

EMOptimizer是基于法動(dòng)EDA一系列發(fā)明專利開(kāi)發(fā)的,具有算法創(chuàng)新性、功能實(shí)戰(zhàn)性、電路搭建高效性、仿真精度準(zhǔn)確性、應(yīng)用場(chǎng)景普遍性等優(yōu)勢(shì)。EMOptimizer是模擬/射頻電路設(shè)計(jì)師的得力助手,讓設(shè)計(jì)過(guò)程更快捷、更簡(jiǎn)便。

1 EMOptimizer創(chuàng)新能力

EMOptimizer是業(yè)界首款基于人工智能AI)技術(shù)的模擬/射頻電路快速設(shè)計(jì)優(yōu)化軟件。EMOptimizer基于自主開(kāi)發(fā)的專利技術(shù),基于參數(shù)化、可復(fù)用的模擬/射頻IP技術(shù),針對(duì)解決模擬/射頻電路設(shè)計(jì)過(guò)程中電磁場(chǎng)仿真反復(fù)迭代導(dǎo)致的設(shè)計(jì)效率低下問(wèn)題,將參數(shù)化AI單元庫(kù)“FCell”用于電路設(shè)計(jì),在保證高精度的同時(shí),大大提升模擬/射頻電路仿真與設(shè)計(jì)優(yōu)化的速度。

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圖1-EMOptimizer功能邏輯圖

2 EMOptimizer八大實(shí)戰(zhàn)功能點(diǎn)

1 支持版圖編輯操作。
2 可復(fù)用、可擴(kuò)展及客戶端 IP 強(qiáng)大支持。
3 支持查看完整設(shè)計(jì)的3D顯示,確認(rèn)版圖的連接。
4 創(chuàng)新的AI模型庫(kù),快速得到仿真結(jié)果。
5 支持參數(shù)掃描。用戶設(shè)置幾何參數(shù)的掃描范圍后,快速得到所有仿真結(jié)果。
6 支持Optimization功能??娠@示不同迭代次數(shù)下的優(yōu)化結(jié)果與用戶設(shè)置的目標(biāo)參數(shù)值的誤差,同時(shí)支持用戶選取想要的優(yōu)化結(jié)果進(jìn)行實(shí)現(xiàn)。
7 支持S/Y/Z參數(shù)及自定義輸出參數(shù)查看。
8 可直接輸出工程文件到三維全波電磁仿真工具(UltraEM)進(jìn)行電磁仿真驗(yàn)證。

3

快速搭建射頻電路能力

通過(guò)法動(dòng)EDA軟件UltraEM進(jìn)行AI訓(xùn)練得到FCell(電路模塊單元庫(kù));在使用這些FCell進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí),用戶可以將它們作為預(yù)制的模塊插入到電路中,而不需要從頭開(kāi)始設(shè)計(jì)每個(gè)組件;這樣不僅可以加快設(shè)計(jì)過(guò)程,還可以確保電路的性能和可靠性,因?yàn)檫@些FCell已經(jīng)被預(yù)先測(cè)試和驗(yàn)證過(guò)了。

以下是導(dǎo)入了基于IPD工藝訓(xùn)練得到的電感、電容和傳輸線共4個(gè)FCell庫(kù)單元實(shí)例:

FCell庫(kù)單元
(基于IPD工藝訓(xùn)練得到的電感、電容和傳輸線)
1 IpdKitC_V3 Cap
2 IpdKitC_V3 lnd
3 IpdKitC_V3 MTL
4 IpdKitC_V3 Path

4 FCell庫(kù)單元及其應(yīng)用案例

7cde947c-e2b6-11ee-a297-92fbcf53809c.png

圖2-導(dǎo)入的FCell

每個(gè)FCell都可在EMOptimizer中做參數(shù)化的設(shè)置,如下圖(圖 3-圖 6)的FCell設(shè)置窗口所示:

7ceb18e6-e2b6-11ee-a297-92fbcf53809c.png

圖3-IpdKitC_V3 Cap

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圖4- IpdKitC_V3 lnd

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圖5- IpdKitC_V3 MTL

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圖6-IpdKitC_V3 Path 基于以上IPD工藝的幾個(gè)FCell庫(kù)單元,設(shè)計(jì)一個(gè)濾波器作為示例,其規(guī)格制定如下:

Description Value
Pass Band 2.6GHz-3.2GHz
Insertion Loss 1.1dB
Return Loss 17dB
Attenuation [email protected]
35dB@1.4GHz-1.8GHz
[email protected]
18dB@4.5GHz-6.5GHz

將所需的電阻、電感、電容以及傳輸線FCell放置在電路布局中并且連接布線,添加端口后得到帶通濾波器的初步設(shè)計(jì), 如下圖7所示:

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圖7- EMOptimizer中的電路圖

仿真初步設(shè)計(jì)結(jié)果如圖8所示。通帶為2.8-3.2GHz(小于 2.6-3.2GHz),插入損耗為1.8dB(大于1.1dB ),回波損耗為8.3dB(小于17dB)。初步設(shè)計(jì)未達(dá)到設(shè)計(jì)規(guī)格要求,我們繼續(xù)用優(yōu)化功能迭代設(shè)計(jì)。

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圖8- 快速綜合結(jié)果

5 EMOptimizer快速優(yōu)化功能

用戶可參考設(shè)計(jì)規(guī)格在EMOptimizer定義優(yōu)化目標(biāo),并確定優(yōu)化參數(shù)范圍。定義完成后EMOptimizer會(huì)在該范圍內(nèi)快速優(yōu)化,找到范圍內(nèi)最優(yōu)的FCell參數(shù)值,優(yōu)化設(shè)置如圖9所示。

7d51b9b6-e2b6-11ee-a297-92fbcf53809c.png

圖9-優(yōu)化設(shè)置

優(yōu)化完成后,EMOptimizer 會(huì)顯示優(yōu)化后的器件幾何參數(shù)表,如圖10所示。單擊Apply,即可使用這些參數(shù)更新電路。

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圖10- 優(yōu)化結(jié)果

通過(guò)此優(yōu)化功能,EMOptimizer 可以幫助工程師快速迭代設(shè)計(jì),如圖11帶通濾波器優(yōu)化后的通帶由2.8GHz-3.2GHz增加到2.6GHz-3.2GHz,插入損耗由1.8dB減小到1.1dB,回波損耗8.3dB增加到17.3dB,可見(jiàn)濾波器性能相比優(yōu)化前有明顯的提高。

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圖11- 優(yōu)化前后結(jié)果對(duì)比

法動(dòng)EDA電磁大腦賦能EMOptimizer,對(duì)快速搭建射頻電路圖和快速優(yōu)化設(shè)計(jì)方案,還將發(fā)揮更加積極的作用。




審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:基于法動(dòng)EDA電磁大腦EMOptimizer?獨(dú)創(chuàng)快速產(chǎn)生模擬/射頻電路圖及其優(yōu)化結(jié)果

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