欧美性猛交xxxx免费看_牛牛在线视频国产免费_天堂草原电视剧在线观看免费_国产粉嫩高清在线观看_国产欧美日本亚洲精品一5区

搜索歷史

清空
搜索熱詞
      0
      • 聊天消息
      • 系統(tǒng)消息
      • 評論與回復(fù)
      VIP于 到期 續(xù)費
      登錄后你可以
      • 下載海量資料
      • 學(xué)習(xí)在線課程
      • 觀看技術(shù)視頻
      • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
      會員中心
      創(chuàng)作中心
      發(fā)布
      創(chuàng)作活動

      完善資料讓更多小伙伴認識你，還能領(lǐng)取20積分哦，立即完善>

      3天內(nèi)不再提示

      英飛凌新品—CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列的產(chǎn)品特點

      儒卓力 ? 來源：儒卓力 ? 2024-03-22 14:08 ? 次閱讀

      CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術(shù)，CoolSiC技術(shù)的輸出電流能力強，可靠性提高。

      產(chǎn)品型號：

      IMYH200R012M1H

      IMYH200R024M1H

      IMYH200R050M1H

      IMYH200R075M1H

      IMYH200R0100M1H

      產(chǎn)品特點

      VDSS=2000V，可用于最高母線電壓為1500VDC系統(tǒng)

      開關(guān)損耗極低

      創(chuàng)新的HCC封裝

      針腳間爬電距離為14毫米

      5.4毫米電氣間隙

      柵極閾值電壓，VGS(th)=4.5V

      用于硬換流的堅固體二極管

      .XT互聯(lián)技術(shù)可實現(xiàn)同類最佳的散熱性能

      高耐濕性

      應(yīng)用價值

      市場上首款分立式碳化硅MOSFET器件，阻斷電壓高達2000V

      1500V的DC的變流器可以用兩電平實現(xiàn)

      與1700V SiC MOSFET相比，1500 VDC系統(tǒng)具有足夠的過壓裕量

      創(chuàng)新的TO-247封裝，具有高爬電距離和間隙

      應(yīng)用領(lǐng)域

      光伏逆變器

      儲能系統(tǒng)

      電動汽車充電



      審核編輯：劉清

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
      • MOSFET
        +關(guān)注

        關(guān)注

        147

        文章

        7255

        瀏覽量

        214376
      • SiC
        SiC
        +關(guān)注

        關(guān)注

        29

        文章

        2896

        瀏覽量

        62973
      • 輸出電流
        +關(guān)注

        關(guān)注

        0

        文章

        246

        瀏覽量

        16651
      • 光伏逆變器
        +關(guān)注

        關(guān)注

        10

        文章

        472

        瀏覽量

        30952
      • 儲能系統(tǒng)
        +關(guān)注

        關(guān)注

        4

        文章

        879

        瀏覽量

        24877

      原文標(biāo)題：英飛凌新品 | 2000V 12-100mΩ CoolSiC? MOSFET

      文章出處：【微信號：儒卓力，微信公眾號：儒卓力】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

      收藏 人收藏

        評論

        相關(guān)推薦

        英飛凌CoolSiC? MOSFET 2000V再獲殊榮，榮獲極光獎兩項大獎

        英飛凌的CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件再度贏得行業(yè)殊榮，榮獲2024年度極光獎“年度影響力產(chǎn)品”獎項。與此同時，憑借其在碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新突破及產(chǎn)品性能的顯著
        的頭像 發(fā)表于 12-17 17:03 ?465次閱讀
        <b class='flag-5'>英飛凌</b><b class='flag-5'>CoolSiC</b>? <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>2000V</b>再獲殊榮，榮獲極光獎兩項大獎

        新品 | CoolSiC?肖特基二極管G5系列10-80A 2000V

        新品CoolSiC肖特基二極管G5系列10-80A2000VCoolSiC肖特基二極管2000VG5系列
        的頭像 發(fā)表于 11-01 08:06 ?249次閱讀
        <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>CoolSiC</b>?肖特基二極管G5<b class='flag-5'>系列</b>10-80A <b class='flag-5'>2000V</b>

        英飛凌推出CoolSi肖特基二極管2000V G5

        在當(dāng)今快速發(fā)展的工業(yè)應(yīng)用中，追求更低功率損耗與更高功率水平已成為行業(yè)共識。為了滿足這一迫切需求，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日推出了革命性的CoolSiC?肖特基二極管
        的頭像 發(fā)表于 10-29 11:34 ?379次閱讀

        英飛凌推出CoolSiC?肖特基二極管2000V，直流母線電壓最高可達1500 VDC

        代碼：IFNNY）推出CoolSiC肖特基二極管2000VG5，這是市面上首款擊穿電壓達到2000V的分立碳化硅二極管。該產(chǎn)品系列適用于直流母線電壓高達1500VD
        的頭像 發(fā)表于 10-25 08:04 ?461次閱讀
        <b class='flag-5'>英飛凌</b>推出<b class='flag-5'>CoolSiC</b>?肖特基二極管<b class='flag-5'>2000V</b>，直流母線電壓最高可達1500 VDC

        英飛凌推出600V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列

        英飛凌再次引領(lǐng)行業(yè)潮流，最新推出的600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列，以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新和卓越性價比，在全球范圍內(nèi)樹立了高壓超級結(jié)
        的頭像 發(fā)表于 09-03 14:50 ?602次閱讀

        IPAC碳化硅直播季丨如何設(shè)計2000V CoolSiC?驅(qū)動評估板

        英飛凌繼推出市面首款擊穿電壓達到2000V的CoolSiCMOSFET分立器件，再次推出首個應(yīng)用于2000VCoolSiCMOSFET的評估板。本次IPAC直播間特邀評估板開發(fā)團隊，免費教學(xué)，帶您深入了解兩款評估板設(shè)計精髓與測試
        的頭像 發(fā)表于 08-02 08:14 ?414次閱讀
        IPAC碳化硅直播季丨如何設(shè)計<b class='flag-5'>2000V</b> <b class='flag-5'>CoolSiC</b>?驅(qū)動評估板

        貿(mào)澤開售適合能量轉(zhuǎn)換應(yīng)用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET

        2024 年 7 月 24 日 – 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開售英飛凌公司的CoolSiC?
        發(fā)表于 07-25 16:14 ?681次閱讀

        新品 | 采用 2000V SiC M1H芯片的62mm半橋模塊系列產(chǎn)品擴展

        新品采用2000VSiCM1H芯片的62mm半橋模塊系列產(chǎn)品擴展2000V的62mmCoolSiCMOSFET半橋模塊系列新增5.2mΩ新規(guī)
        的頭像 發(fā)表于 07-05 08:14 ?415次閱讀
        <b class='flag-5'>新品</b> | 采用 <b class='flag-5'>2000V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> M1H芯片的62mm半橋模塊<b class='flag-5'>系列產(chǎn)品</b>擴展

        英飛凌推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC MOSFET 2000V

        英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC? MOSFET 2000V。這款
        的頭像 發(fā)表于 05-24 10:13 ?1105次閱讀
        <b class='flag-5'>英飛凌</b>推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新<b class='flag-5'>CoolSiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>2000V</b>

        2000V SiC分立器件雙脈沖或連續(xù)PWM評估板

        CoolSiC? 2000V SiC MOSFET分立器件和EiceDRIVER?緊湊型單通道隔離柵極驅(qū)動器1ED31xx系列。 該電路板設(shè)
        的頭像 發(fā)表于 05-14 17:44 ?473次閱讀
        <b class='flag-5'>2000V</b> <b class='flag-5'>SiC</b>分立器件雙脈沖或連續(xù)PWM評估板

        晶科能源Tiger Neo系列產(chǎn)品榮獲全球首家UL 2000V認證

        近期，晶科能源Tiger Neo系列產(chǎn)品，通過了第三方權(quán)威機構(gòu)UL在今年2月發(fā)布的UL61730關(guān)于2000V光伏組件的認證要求決議中一系列嚴格的安全和性能評估，被認可能夠承受2000V
        的頭像 發(fā)表于 03-25 11:18 ?544次閱讀
        晶科能源Tiger Neo<b class='flag-5'>系列產(chǎn)品</b>榮獲全球首家UL <b class='flag-5'>2000V</b>認證

        英飛凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000V產(chǎn)品

        英飛凌科技股份公司，作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET
        的頭像 發(fā)表于 03-20 10:27 ?907次閱讀

        全面提升！英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC MOSFET G2

        電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術(shù)，據(jù)官方介紹，這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術(shù)
        的頭像 發(fā)表于 03-19 18:13 ?3198次閱讀
        全面提升！<b class='flag-5'>英飛凌</b>推出新一代碳化硅技術(shù)<b class='flag-5'>CoolSiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> G2

        英飛凌全新CoolSiC? MOSFET 750 V G1產(chǎn)品系列推動汽車和工業(yè)解決方案的發(fā)展

        英飛凌最近發(fā)布了全新的750VG1分立式CoolSiC?MOSFET，滿足工業(yè)和汽車領(lǐng)域?qū)Ω吣苄Ш凸β拭芏鹊牟粩嘣鲩L需求。這款產(chǎn)品系列包含了專為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、
        的頭像 發(fā)表于 03-15 16:31 ?685次閱讀
        <b class='flag-5'>英飛凌</b>全新<b class='flag-5'>CoolSiC</b>? <b class='flag-5'>MOSFET</b> 750 <b class='flag-5'>V</b> G1<b class='flag-5'>產(chǎn)品系列</b>推動汽車和工業(yè)解決方案的發(fā)展

        英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V， 在不影響系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高功率密度

        ? MOSFET 2000 V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開關(guān)頻率要求，也不會降低系統(tǒng)可靠性。Co
        發(fā)表于 03-14 11:07 ?798次閱讀
        <b class='flag-5'>英飛凌</b>推出全新<b class='flag-5'>CoolSiC</b>? <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>2000</b> <b class='flag-5'>V</b>， 在不影響系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高功率密度