據(jù)報道，韓國科技巨頭 SK 海力士首席執(zhí)行官（CEO）郭魯正于當日召開的年度股東大會上透露，預計本年其高速緩存模塊 （HBM） 在全線DRAM內存中銷量會占據(jù)兩位數(shù)比例，即便如此，明年DRAM供應仍將處于緊缺狀態(tài)。

面對股東對該公司去年在AI領域備受矚目及HBM熱賣背景下，仍然出現(xiàn)9萬億韓元（折合約482.4億元人民幣）凈虧問題的質疑，郭魯正解釋為主要由占銷售額主導地位的普通DRAM產品價格下滑所致，盡管HBM如日中天，但去年貢獻的銷售額卻僅占個位數(shù)字。

針對常規(guī)DRAM價格從去年四季度開始回升以及內存業(yè)務整體盈利狀況可能得到顯著改善的預期，郭魯正亦做此表態(tài)。對于NAND閃存和固態(tài)硬盤領域，他主張將策略重點由追求市場份額轉移到提高營收方面，加大高利潤產品的推廣力度，以應對去年因勇敢投入而遭受的重大損失。

截至目前，SK 海力士并未打算放棄旗下圖像傳感器CIS業(yè)務，相反，他們正在對此進行重組。關于技術發(fā)展趨勢，郭魯正預測未來HBM內存將會根據(jù)客戶需求進行個性化設計，逐漸擺脫通用標準產品的標簽。另外，The Elec，韓國電子媒體曾報道，SK 海力士已經成功接獲來自谷歌的HBM內存定制訂單。

至于中國地區(qū)的產能，SK 海力士方面表示已獲得升級許可，將在無錫工廠將DRAM工藝升級至1a納米，進一步擴大生產規(guī)模。