硅單晶不同晶向下的不同位錯表現(xiàn)介紹
本文介紹了硅單晶不同晶向下的不同位錯表現(xiàn)。
<111>晶向：位錯腐蝕坑的形狀主要呈三角形腐蝕坑
<100>晶向：位錯腐蝕坑的形狀主要呈正方形腐蝕坑
<110>晶向：位錯腐蝕坑的形狀主要呈立方體腐蝕坑
在硅單晶面上，不同的腐蝕劑和不同的腐蝕時間也會影響位錯坑的狀態(tài)。下圖是<111>面腐蝕坑，由三角行的變成圓形的凹坑。其主要原因是因為腐蝕劑和腐蝕時間的不同使得晶體中各個方向的腐蝕速度不同造成的。
審核編輯：劉清
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硅單晶
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原文標(biāo)題：硅單晶不同晶向下的位錯表現(xiàn)
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