欧美性猛交xxxx免费看_牛牛在线视频国产免费_天堂草原电视剧在线观看免费_国产粉嫩高清在线观看_国产欧美日本亚洲精品一5区

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

IGBT器件功率循環(huán)和熱測(cè)試系統(tǒng)整體實(shí)驗(yàn)方案

Olivia ? 來(lái)源:jf_25850331 ? 作者:jf_25850331 ? 2024-04-09 10:51 ? 次閱讀

一:什么是功率循環(huán)測(cè)試?

功率循環(huán)測(cè)試是一種用于測(cè)試設(shè)備、系統(tǒng)或電路在不同負(fù)載情況下的功耗、效率和穩(wěn)定性的方法。通過(guò)模擬實(shí)際使用中的負(fù)載變化,可以評(píng)估設(shè)備在不同工作狀態(tài)下的功耗情況,進(jìn)而優(yōu)化設(shè)計(jì)和節(jié)能。

在功率循環(huán)測(cè)試中,設(shè)備或系統(tǒng)會(huì)被連接到負(fù)載模擬器,并在設(shè)定的負(fù)載情況下運(yùn)行一段時(shí)間。通過(guò)測(cè)量電流和電壓的變化,可以計(jì)算出設(shè)備在不同負(fù)載下的功耗。通過(guò)有序測(cè)試,可以獲取設(shè)備在不同工作狀態(tài)下的電源需求情況,以便進(jìn)行能量管理和性能優(yōu)化。
二:工作原理

功率循環(huán)測(cè)試通過(guò)負(fù)載電流加熱和開(kāi)關(guān)斷動(dòng)作,來(lái)模擬器件工作中的結(jié)溫波動(dòng),通過(guò)一定程度的加速老化,以提前暴露器件封裝的薄弱點(diǎn),評(píng)估封裝材料的熱膨脹系數(shù)差異對(duì)器件壽命的影響,是考核功率器件封裝可靠性最重要的可靠性測(cè)試,也是進(jìn)行器件壽命模型建立和壽命評(píng)估的根本。

三:應(yīng)用領(lǐng)域

既可以對(duì)包括混合動(dòng)力汽車及電動(dòng)車輛和列車在內(nèi)的汽車和交通行業(yè)應(yīng)用中越來(lái)越多的電力電子器件進(jìn)行可靠性測(cè)試,還可以對(duì)發(fā)電與變頻器、風(fēng)力渦輪機(jī)等可再生能源應(yīng)用中越來(lái)越多的電力電子器件進(jìn)行可靠性測(cè)試。是結(jié)合了功率循環(huán)測(cè)試功能和瞬態(tài)熱測(cè)試功能的熱測(cè)試產(chǎn)品,通過(guò)結(jié)構(gòu)函數(shù)提供實(shí)時(shí)故障原因診斷的數(shù)據(jù)。

四:產(chǎn)品介紹

Simcenter Powertester 功率循環(huán)及熱測(cè)試硬件具備行業(yè)特定功能,可以將有效功率循環(huán)測(cè)試與瞬態(tài)熱特性分析和熱結(jié)構(gòu)研究結(jié)合起來(lái)。這種特有的非破壞性結(jié)構(gòu)函數(shù)評(píng)估是在設(shè)備保持上電狀態(tài)下進(jìn)行的,能夠以完全自動(dòng)化的方式在整個(gè)測(cè)試過(guò)程中提供完整的設(shè)備電子和結(jié)構(gòu)評(píng)估。

模塊可以通過(guò)數(shù)萬(wàn)次、甚至是數(shù)百萬(wàn)次循環(huán)獲得功率,同時(shí)提供實(shí)時(shí)故障診斷,顯著減少測(cè)試和診斷時(shí)間,因而無(wú)需事后分析或破壞性失效分析。各種各樣的供電策略可以模擬真實(shí)操作場(chǎng)條件。

Power Tester可提供不同電流、電壓與測(cè)量通道數(shù)的規(guī)格,以滿足客戶不同需求。
image.png

image.png

五、產(chǎn)品優(yōu)勢(shì):

測(cè)試技術(shù):Power Tester是基于Mentor Graphics?T3Ster?advanced thermal testing硬件解決方案,該解決方案在世界各地的行業(yè)中用于精確的熱特性測(cè)試。

先進(jìn)的測(cè)試?yán)砟睿篜ower Tester可以同時(shí)進(jìn)行功率循環(huán)和熱測(cè)試,任何與老化降級(jí)相關(guān)的熱效應(yīng)都可以在不移動(dòng)待測(cè)器件的情況下通過(guò)結(jié)構(gòu)函數(shù)在線監(jiān)測(cè),與傳統(tǒng)的老練設(shè)備相比更加節(jié)省時(shí)間,能獲得完整的失效數(shù)據(jù)。

易于操作:Power Tester可供專家和生產(chǎn)人員使用

友好的觸摸屏界面:Power Tester可以在測(cè)試過(guò)程中記錄廣泛的信息,如電流、電壓和片溫度傳感;以及詳細(xì)的結(jié)構(gòu)功能分析,以記錄封裝熱結(jié)構(gòu)的變化。

電力電子產(chǎn)品測(cè)試:包括金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和功率二極管。

功率循環(huán)測(cè)試,直至失效:節(jié)省時(shí)間,因?yàn)榻M件不需要拆下,進(jìn)行實(shí)驗(yàn)室測(cè)試,然后返回測(cè)試儀進(jìn)行更多的循環(huán)。

多種供電策略:恒定時(shí)間Ton/Toff、恒定電流、恒定殼溫變化、恒定的結(jié)溫變化以及恒定的功率變化。

“實(shí)時(shí)”結(jié)構(gòu)功能診斷:快速獲得正在進(jìn)行的故障、循環(huán)次數(shù)和故障原因等結(jié)果。

安全設(shè)計(jì):增強(qiáng)的安全功能、超溫、煙霧、冷卻液泄漏檢測(cè)確保了系統(tǒng)的安全運(yùn)行,即使系統(tǒng)處于獨(dú)立狀態(tài)。
image.png

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1269

    文章

    3842

    瀏覽量

    250168
  • 功率循環(huán)測(cè)試

    關(guān)注

    0

    文章

    8

    瀏覽量

    6444
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    功率器件設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)

    功率器件設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運(yùn)行的基礎(chǔ)。掌握
    的頭像 發(fā)表于 02-03 14:17 ?130次閱讀

    功率器件設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十二)——功率半導(dǎo)體器件的PCB設(shè)計(jì)

    /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確
    的頭像 發(fā)表于 01-13 17:36 ?349次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>熱</b>設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十二)——<b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體<b class='flag-5'>器件</b>的PCB設(shè)計(jì)

    Simcenter Micred Power Tester功率循環(huán)測(cè)試

    SimcenterMicredPowerTester功率循環(huán)測(cè)試儀使用結(jié)合了有效功率循環(huán)結(jié)構(gòu)
    的頭像 發(fā)表于 01-09 14:33 ?307次閱讀
    Simcenter Micred Power Tester<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>循環(huán)</b><b class='flag-5'>測(cè)試</b>儀

    功率器件設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十一)——功率半導(dǎo)體器件功率端子

    /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確
    的頭像 發(fā)表于 01-06 17:05 ?238次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>熱</b>設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十一)——<b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體<b class='flag-5'>器件</b>的<b class='flag-5'>功率</b>端子

    功率器件設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十)——功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)函數(shù)

    樣品活動(dòng)進(jìn)行中,掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完
    的頭像 發(fā)表于 12-23 17:31 ?391次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>熱</b>設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十)——<b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體<b class='flag-5'>器件</b>的結(jié)構(gòu)函數(shù)

    功率器件設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(九)——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散

    樣品活動(dòng)進(jìn)行中,掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完
    的頭像 發(fā)表于 12-16 17:22 ?741次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>熱</b>設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(九)——<b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散

    功率器件設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(七)——等效模型

    /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、SiCMOSFET高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確
    的頭像 發(fā)表于 12-03 01:03 ?1003次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>熱</b>設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(七)——<b class='flag-5'>熱</b>等效模型

    功率器件設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(六)——瞬態(tài)測(cè)量

    功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確
    的頭像 發(fā)表于 11-26 01:02 ?1006次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>熱</b>設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(六)——瞬態(tài)<b class='flag-5'>熱</b>測(cè)量

    功率器件設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(四)——功率半導(dǎo)體芯片溫度和測(cè)試方法

    功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確
    的頭像 發(fā)表于 11-12 01:04 ?1091次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>熱</b>設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(四)——<b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體芯片溫度和<b class='flag-5'>測(cè)試</b>方法

    功率器件設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(三)——功率半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和測(cè)試方法

    功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確
    的頭像 發(fā)表于 11-05 08:02 ?1349次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>熱</b>設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(三)——<b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和<b class='flag-5'>測(cè)試</b>方法

    功率器件設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(二)——阻的串聯(lián)和并聯(lián)

    /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確
    的頭像 發(fā)表于 10-29 08:02 ?404次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的<b class='flag-5'>熱</b>設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(二)——<b class='flag-5'>熱</b>阻的串聯(lián)和并聯(lián)

    功率器件設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(一)——功率半導(dǎo)體的

    功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確
    的頭像 發(fā)表于 10-22 08:01 ?1257次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>熱</b>設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(一)——<b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體的<b class='flag-5'>熱</b>阻

    功率半導(dǎo)體器件功率循環(huán)測(cè)試與控制策略

    功率循環(huán)測(cè)試是一種功率半導(dǎo)體器件的可靠性測(cè)試方法,被列為AEC-Q101與AQG-324等車規(guī)級(jí)
    的頭像 發(fā)表于 10-09 18:11 ?488次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體<b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>循環(huán)</b><b class='flag-5'>測(cè)試</b>與控制策略

    IGBT功率器件功耗

    IGBT功率電子器件在工作中,由于自身的功率損耗,將引起IGBT溫度升高。引起功率
    的頭像 發(fā)表于 07-19 11:21 ?940次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>功耗

    功率器件損耗計(jì)算和選型要求

    對(duì)于常見(jiàn)功率器件,整流橋,電解電容,IGBT,MOS管,這些功率器件損耗
    發(fā)表于 06-12 16:44