ReRAM（Resistive Random Access Memory，電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）作為一種先進(jìn)的非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，具有高密度、低功耗和快速讀寫(xiě)等優(yōu)點(diǎn)，近年來(lái)在多個(gè)市場(chǎng)領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力和商業(yè)化價(jià)值。

ReRAM具有放置在電極之間的金屬氧化物的簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)，并且其制造工藝非常簡(jiǎn)單。它通過(guò)施加脈沖電壓對(duì)金屬氧化物薄膜產(chǎn)生的電阻的巨大變化來(lái)記錄“ 1或0”數(shù)據(jù)。

在所有存儲(chǔ)器產(chǎn)品中ReRAM的讀取電流都最小，因此特別適合于助聽(tīng)器等可穿戴設(shè)備。加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導(dǎo)體提供的12Mbit ReRAM MB85AS12MT是富士通ReRAM產(chǎn)品系列中密度最大的產(chǎn)品。

MB85AS12MT是一款非易失性存儲(chǔ)器，存儲(chǔ)器密度為12Mbit，可在1.6V至3.6V的寬電源電壓范圍內(nèi)工作。這款ReRAM產(chǎn)品的存儲(chǔ)器密度是現(xiàn)有8Mbit ReRAM的1.5倍，同時(shí)保持相同的封裝尺寸WL-CSP（晶圓級(jí)芯片尺寸封裝），并具有相同的引腳分配。MB85AS12MT可以在約2mm x 3mm的小包裝中存儲(chǔ)約90頁(yè)報(bào)紙的字符數(shù)據(jù)。

與8引腳SOP相比，用于MB85AS12MT的WL-CSP可以節(jié)省約80%的安裝表面積，而8引腳SOP通常用于具有串行外設(shè)接口（SPI）的存儲(chǔ)設(shè)備。

安裝面積比較

與其他非易失性存儲(chǔ)器相比，MB85AS12MT產(chǎn)品具有極小的讀取電流水平。在5MHz的工作頻率下，平均讀取電流低至0.15mA，在10MHz工作時(shí)，最大讀取電流甚至為1.0mA。

因此，通過(guò)將MB85AS12MT安裝在具有頻繁數(shù)據(jù)讀取操作（例如特定程序讀取或設(shè)置數(shù)據(jù)讀取）的電池供電設(shè)備中，可以最大限度地減少電池消耗。所以，它非常適合用于電池供電的小型可穿戴設(shè)備，例如助聽(tīng)器和智能手表。

利用上述特性，ReRAM產(chǎn)品可以解決在可穿戴設(shè)備開(kāi)發(fā)中使用閃存或EEPROM產(chǎn)生的以下問(wèn)題。

客戶(hù)的問(wèn)題和解決方案

案例1

問(wèn)題：8Mbit ReRAM 內(nèi)存密度不足

解決方案：使用12Mbit ReRAM，引腳分配與8Mbit產(chǎn)品相同。

優(yōu)勢(shì)：提高最終產(chǎn)品的性能

案例2

問(wèn)題：由于安裝面積的限制，需要保持較小的包裝尺寸

解決方案：在非常小的封裝中使用12Mbit ReRAM。

優(yōu)點(diǎn)：在提高性能的同時(shí)保持小尺寸

案例3

問(wèn)題：傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器難以降低功耗

解決方案：使用讀取電流非常小的ReRAM。

優(yōu)點(diǎn)：延長(zhǎng)最終產(chǎn)品的電池壽命（減少電池更換次數(shù)）

富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案在繼續(xù)為需要頻繁重寫(xiě)數(shù)據(jù)的客戶(hù)設(shè)備開(kāi)發(fā)更高密度的FeRAM產(chǎn)品的同時(shí)，一直在開(kāi)發(fā)新的非易失性存儲(chǔ)器，以滿(mǎn)足頻繁讀取數(shù)據(jù)的需求，因此推出了12Mbit ReRAM產(chǎn)品。

ReRAM憑借其獨(dú)特優(yōu)勢(shì)已在物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式系統(tǒng)、人工智能、數(shù)據(jù)中心、消費(fèi)電子、工業(yè)控制和汽車(chē)電子等多個(gè)市場(chǎng)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛應(yīng)用前景，隨著技術(shù)成熟與成本下降，預(yù)計(jì)其市場(chǎng)滲透率將進(jìn)一步提升，成為推動(dòng)相關(guān)行業(yè)技術(shù)進(jìn)步與創(chuàng)新的重要力量。富士通半導(dǎo)體也將持續(xù)開(kāi)發(fā)各種低功耗存儲(chǔ)器產(chǎn)品，以滿(mǎn)足客戶(hù)的需求。

審核編輯：劉清