4月12日至14日，第十七屆中國高校電力電子與電力傳動(dòng)學(xué)術(shù)年會(huì)在安徽宣城隆重舉辦，本屆會(huì)議由中國高校電力電子與電力傳動(dòng)學(xué)術(shù)年會(huì)組織委員會(huì)主辦，合肥工業(yè)大學(xué)承辦。三菱電機(jī)作為本次會(huì)議鉆石贊助商出席會(huì)議。

一年一度的學(xué)術(shù)年會(huì)，以深入研討各高校電力電子與電力傳動(dòng)學(xué)科發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢，促進(jìn)各高校對(duì)本學(xué)科認(rèn)識(shí)和理解為目標(biāo)，協(xié)同國內(nèi)外領(lǐng)域內(nèi)知名專家，圍繞電力電子技術(shù)，電力傳動(dòng)技術(shù)等各個(gè)領(lǐng)域的新理論、新技術(shù)、新成果進(jìn)行探討，自2005年籌備以來，會(huì)議已發(fā)展成為由19所國內(nèi)知名高校組織、近100所高校及科研院所參與的重要的學(xué)術(shù)論壇之一。

三菱電機(jī)從事開發(fā)和生產(chǎn)功率半導(dǎo)體已有68年，自進(jìn)入中國市場以來，在持續(xù)優(yōu)化產(chǎn)品質(zhì)量服務(wù)的同時(shí)，也不斷深度參與行業(yè)交流，支持相關(guān)領(lǐng)域?qū)W科教育。三菱電機(jī)半導(dǎo)體曾連續(xù)多年為多所高校相關(guān)專業(yè)優(yōu)秀學(xué)生頒發(fā)獎(jiǎng)學(xué)金，設(shè)立聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室提供相關(guān)設(shè)備及技術(shù)支持，并多次以贊助商身份支持行業(yè)學(xué)術(shù)研討會(huì)議。

在本屆年會(huì)中，三菱電機(jī)半導(dǎo)體中國區(qū)技術(shù)總監(jiān)宋高升先生發(fā)表了名為“三菱電機(jī)功率芯片和功率模塊技術(shù)最新進(jìn)展”的專題演講，該演講從學(xué)術(shù)研究的前沿性角度出發(fā)，結(jié)合三菱電機(jī)的最新功率芯片技術(shù)進(jìn)展，從家電、工業(yè)、軌道牽引和電動(dòng)汽車四個(gè)行業(yè)應(yīng)用對(duì)三菱電機(jī)的最新功率模塊解決方案進(jìn)行了概述，并圍繞第三代半導(dǎo)體中的SiC，介紹了三菱電機(jī)的產(chǎn)品系列和研發(fā)生態(tài)。

在本次會(huì)議中，三菱電機(jī)展出了三款SiC相關(guān)產(chǎn)品：J3系列電動(dòng)汽車專用功率模塊，第2代全SiC MOSFET模塊，全SiC高壓MOSFET。

其中J3系列電動(dòng)汽車專用功率模塊采用碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（SiC-MOSFET）或RC-IGBT（Si），具有緊湊的設(shè)計(jì)和可擴(kuò)展性，可用于電動(dòng)汽車（EV）和插電式混合動(dòng)力汽車（PHEV）的逆變器。

第2代全SiC MOSFET模塊采用第2代低損耗平面柵SiC芯片，為系統(tǒng)的高頻化和高效率帶來提升，通過對(duì)稱布局，降低模塊內(nèi)部的雜散電感，內(nèi)置RTC電路，提升模塊的短路耐量時(shí)間，方便驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。

全SiC高壓MOSFET采用LV100封裝使其功率組件容易標(biāo)準(zhǔn)化，通過采用新的SiC-MOSFET和SiC-SBD芯片實(shí)現(xiàn)更高的電流密度。

此外，在本次會(huì)議中，三菱電機(jī)機(jī)電（上海）有限公司被授予“大會(huì)鉆石贊助商”榮譽(yù)稱號(hào)。愿未來攜手更多行業(yè)組織，共創(chuàng)電力電子行業(yè)新篇章！

審核編輯：劉清