三星研究建DRAM內(nèi)存廠，但選封裝技術(shù)
據(jù)韓媒Alphabiz報(bào)道，三星電子原本有意在美國建立DRAM內(nèi)存晶圓廠，然而因多種原因改變計(jì)劃，改為建立先進(jìn)封裝設(shè)施。
近期達(dá)成的初步協(xié)議顯示，三星電子將從美國獲得總計(jì)高達(dá)64億美元（相當(dāng)于約464億元人民幣）的補(bǔ)貼，用于建設(shè)位于得克薩斯州泰勒市的兩大先進(jìn)邏輯代工廠、一座先進(jìn)封裝工廠以及一座先進(jìn)制程研發(fā)設(shè)施。
據(jù)悉，三星電子原計(jì)劃在泰勒市設(shè)立一家10納米級(jí)別的DRAM內(nèi)存晶圓廠，并在協(xié)議簽署前進(jìn)行了深入討論。
美國為該項(xiàng)目提供了優(yōu)惠政策，三星方面也表現(xiàn)出濃厚興趣。然而，由于諸多因素影響，如技術(shù)難度大、成本高等，以及韓國政府的反對(duì)，該建廠計(jì)劃未能實(shí)現(xiàn)。
另外，美國與泰勒市均對(duì)先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)的環(huán)保審批表示支持，因此三星電子決定轉(zhuǎn)向建設(shè)先進(jìn)封裝工廠。
業(yè)界人士指出，相較于美國，韓國對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的支持力度不足，這也是三星電子考慮在美設(shè)廠的原因之一。若韓國政府無法展現(xiàn)出足夠的誠意，此類計(jì)劃未來仍有可能實(shí)現(xiàn)。
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