SK海力士將采用臺積電7nm制程生產(chǎn)HBM4內(nèi)存基片
據(jù)韓國媒體The Elec報道，預計SK海力士將在HBM4內(nèi)存基礎裸片部分采用臺積電7nm制程。值得注意的是，臺積電7nm系列產(chǎn)能正逐步轉(zhuǎn)向6nm生產(chǎn)模式，因此韓媒所提“7nm系”可理解為該生產(chǎn)線。
HBM內(nèi)存基礎裸片即DRAM堆疊基座，兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內(nèi)存合作協(xié)議，首要任務便是提升HBM基礎邏輯芯片性能。
SK海力士以往使用存儲半導體工藝制作HBM產(chǎn)品基礎裸片，但在HBM4項目中，臺積電將運用先進邏輯工藝為其代工，以實現(xiàn)更多功能及更高效率，滿足客戶對定制化HBM的需求。
SK海力士計劃在2026年前實現(xiàn)HBM4內(nèi)存量產(chǎn)。然而，TrendForce集邦咨詢?nèi)ツ?1月曾預測HBM4基礎裸片將基于12nm工藝。
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