美光232層QLC NAND現(xiàn)已量產(chǎn)
美光科技近日宣布了重大技術(shù)突破，其先進的232層QLC NAND閃存已成功實現(xiàn)量產(chǎn)，并已部分應(yīng)用于Crucial英睿達固態(tài)硬盤（SSD）中。此外，美光還推出了2500 NVMeTM SSD，該產(chǎn)品已面向企業(yè)級存儲客戶大規(guī)模生產(chǎn)，并向PCOEM廠商提供了樣品。
這款232層QLC NAND閃存憑借其卓越的性能，為移動設(shè)備、客戶端設(shè)備、邊緣計算和數(shù)據(jù)中心存儲設(shè)備帶來了前所未有的提升。美光科技的這一技術(shù)突破，無疑將推動數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域的進一步發(fā)展，滿足日益增長的數(shù)據(jù)存儲需求。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
NAND
+關(guān)注
關(guān)注
16文章
1696瀏覽量
136495 -
美光科技
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
199瀏覽量
22730
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
SD NAND、SPI NAND 和 Raw NAND 的定義與比較
、TLC、QLC和PLC。
以SLC NAND為例，每個單元存儲數(shù)據(jù)位數(shù)為1位，這意味著每個單元可以存儲一個“0”或“1”；類似的，MLC NAND每個單元可以存儲數(shù)據(jù)兩位，即“00”“01”“10
發(fā)表于 01-15 18:15
美光科技推出新一代6500 ION SSD
美光科技近日宣布推出旗艦企業(yè)級SSD——6500 ION，這款SSD號稱是世界上容量最大、速度最快、能效最高的SSD。它支持PCIe 5.0接口標準，最高容量可達60TB，并采用先進的TLC（三層單元）技術(shù)，而非
鎧俠量產(chǎn)四層單元QLC UFS 4.0閃存
近日，鎧俠宣布成功量產(chǎn)業(yè)界首款采用四層單元（4LC）技術(shù)的QLC UFS 4.0閃存。這款新型閃存相較于傳統(tǒng)的TLC UFS，擁有更高的位密度，使其在存儲需求日益增長的移動應(yīng)用程序領(lǐng)域具有更廣泛的應(yīng)用前景。
三星QLC第九代V-NAND量產(chǎn)啟動,引領(lǐng)AI時代數(shù)據(jù)存儲新紀元
三星電子在NAND閃存技術(shù)領(lǐng)域再次邁出重要一步，其最新推出的QLC V-NAND第九代產(chǎn)品，集成了多項前沿技術(shù)突破，標志著數(shù)據(jù)存儲性能與容量的全新飛躍。這款基于雙堆棧架構(gòu)的QLC V-
三星電子量產(chǎn)1TB QLC第九代V-NAND
三星電子今日宣布了一項重大里程碑——其自主研發(fā)的1太比特（Tb）容量四層單元（QLC）第九代V-NAND閃存已正式邁入量產(chǎn)階段。這一成就不僅標志著三星在存儲技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先，也預示著
美光采用第九代TLC NAND技術(shù)的SSD產(chǎn)品量產(chǎn)
2024 年 7 月 31 日，美光科技股份有限公司（納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，其采用第九代（G9）TLC NAND技術(shù)的 SSD 產(chǎn)品已開始出貨，成為業(yè)界首家實現(xiàn)這一里程碑的廠商之一。
美光量產(chǎn)第九代NAND閃存技術(shù)產(chǎn)品
全球領(lǐng)先的存儲解決方案提供商美光科技今日宣布了一項重大突破——其采用第九代（G9）TLC NAND技術(shù)的固態(tài)硬盤（SSD）已正式進入量產(chǎn)出貨階段，標志著
美光232層NAND產(chǎn)品支持設(shè)備更加智能化
友好關(guān)系。 近期美光與上海交通大學微電子學院攜手，在校企共建課程《集成電路設(shè)計前沿技術(shù)》中開設(shè)“美光課堂”。連續(xù)五年走進交大課堂，美
3D NAND閃存來到290層，400層+不遠了
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）早在2022年閃存芯片廠商紛紛發(fā)布200+層 3D NAND，并從TLC到QLC得以廣泛應(yīng)用于消費電子、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。來到2024年5月目前三星第9代
美光率先量產(chǎn)232層QLC NAND產(chǎn)品
美光科技再次領(lǐng)跑行業(yè)前沿，近日宣布其232層QLC NAND產(chǎn)品已成功實現(xiàn)
美光232層QLC NAND芯片已量產(chǎn)并出貨，推出SSD新品
美光科技近期宣布，其創(chuàng)新的232層QLC NAND芯片已成功實現(xiàn)
三星即將量產(chǎn)290層V-NAND閃存
據(jù)韓國業(yè)界消息，三星最早將于本月開始量產(chǎn)當前業(yè)界密度最高的290層第九代V-NAND（3D NAND）閃存芯片。
三星九代V-NAND閃存或月底量產(chǎn)，堆疊層數(shù)將達290層
據(jù)韓媒Hankyung透露，第九代V-NAND閃存的堆疊層數(shù)將高達290層，但IT之家此前曾報道過，三星在學術(shù)會議上展示了280層堆疊的QLC閃存，其IO接口速度可達3.2GB/s。
美光DRAM與NAND閃存產(chǎn)品線豐富，QLC顆粒已占總量2/3
在產(chǎn)品方面，美光引領(lǐng)行業(yè)實現(xiàn)32Gb單層架構(gòu)的128GB服務(wù)器內(nèi)存，并預計在未來六個月內(nèi)帶來數(shù)億美元的營收。此外，在高速性能更高的MRDIMM領(lǐng)域，美光已經(jīng)開始供應(yīng)256GB的樣品。
美光發(fā)布UFS 4.0封裝新品，尺寸縮減20%，速度提速25%
美光指出，此次小小的改進主要受益于智能手機原始設(shè)備制造商的需求。他們希望能騰出更多手機內(nèi)部空間給更大的電池。新產(chǎn)品的研發(fā)是團隊在全美的客戶實驗室綜合考慮各方面因素做出的決定，利用了美光
工商網(wǎng)監(jiān)
評論