英飛凌推出80 V MOSFET OptiMOS 7
英飛凌科技近日推出了其最新的OptiMOS? 7 80 V系列首款產(chǎn)品——IAUCN08S7N013。這款MOSFET技術(shù)不僅顯著提升了功率密度，還采用了通用且堅(jiān)固的SSO8 5x6mm2 SMD封裝。
該新品尤其適用于即將普及的48V板網(wǎng)應(yīng)用，如電動汽車的直流-直流轉(zhuǎn)換器、48V電機(jī)控制（如EPS系統(tǒng)）以及48V電池開關(guān)等。此外，它也滿足電動兩輪車、三輪車等高性能、高質(zhì)量和穩(wěn)健性的需求。
OptiMOS? 7 80 V的推出，展現(xiàn)了英飛凌科技在半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新能力，以及對汽車等高要求應(yīng)用市場的深度理解。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
英飛凌
+關(guān)注
關(guān)注
67文章
2224瀏覽量
139135 -
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
147文章
7252瀏覽量
214340
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
新品 | 采用OptiMOS? 6功率MOSFET的模塊化半橋功率板
新品采用OptiMOS6功率MOSFET的模塊化半橋功率板該套件功率板模塊采用OptiMOS6功率MOSFET135V，D2PAK7引腳封裝
英飛凌發(fā)布新型模塊化半橋功率板
近日，英飛凌正式發(fā)布了采用OptiMOS? 6功率MOSFET的模塊化半橋功率板。這款功率板模塊采用了OptiMOS? 6功率MOSFET
英飛凌推出CoolMO S7T和S7TA SJ MOSFET
英飛凌推出的CoolMOS? S7T和S7TA SJ MOSFET，集成了先進(jìn)的溫度傳感器技術(shù)，專為工業(yè)和汽車領(lǐng)域設(shè)計(jì)，顯著提升了結(jié)溫測量的
英飛凌推出600V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列
英飛凌再次引領(lǐng)行業(yè)潮流，最新推出的600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列，以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新和卓越性價比，在全球范圍內(nèi)樹立了高壓超級結(jié)
新品 | 600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列
新品600VCoolMOS8SJMOSFET系列英飛凌最新推出的600VCoolMOS8引領(lǐng)著全球高壓超級結(jié)MOSFET技術(shù)的發(fā)展，在全球范圍內(nèi)樹立了技術(shù)和性價比標(biāo)準(zhǔn)。CoolMOS8是英飛凌
英飛凌推出全新600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列， 適用于高成本效益的先進(jìn)電源應(yīng)用
【 2024 年 6 月 26 日 ， 德國慕尼黑 訊 】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出600 V CoolMOS? 8 高壓超結(jié)（SJ）MOS
發(fā)表于 06-26 18:12
?558次閱讀
英飛凌推出集成高精度溫度傳感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET
理應(yīng)用的600 V CoolMOS? S7TA超級結(jié)MOSFET。S7TA專為滿足汽車電子部件的特殊要求而設(shè)計(jì)，其集成溫度傳感器在工業(yè)應(yīng)用同類產(chǎn)品（CoolMOS? S
發(fā)表于 06-24 16:18
?1177次閱讀
新型OptiMOS 7 MOSFET改進(jìn)汽車應(yīng)用中的導(dǎo)通電阻、設(shè)計(jì)穩(wěn)健性和開關(guān)效率
，在40 V 產(chǎn)品組合中新增了采用穩(wěn)健且無鉛封裝的器件，并且推出了80 V和100 V型號的OptiMO
發(fā)表于 06-18 17:51
?722次閱讀
英飛凌推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC MOSFET 2000V
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC? MOSFET 2000V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)
英飛凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)
英飛凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌全新的 CoolSiC? MOS
英飛凌技術(shù)公司推出全新的OptiMOS? 6 200 V MOSFET系列產(chǎn)品
隨著英飛凌技術(shù)公司推出全新的OptiMOS? 6 200 V MOSFET系列產(chǎn)品，電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用領(lǐng)域得到了顯著的推進(jìn)。
英飛凌為汽車應(yīng)用推出業(yè)內(nèi)導(dǎo)通電阻最低的 80 V MOSFET OptiMOS? 7
? 【 2024 年 4 月 15 日 ， 德國慕尼黑 訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出其最新先進(jìn)功率MOSFET 技術(shù)—— OptiMOS
發(fā)表于 04-16 09:58
?4500次閱讀
英飛凌推出新一代OptiMOS? MOSFET技術(shù)封裝
全球半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司宣布推出一款新型封裝——SSO10T TSC，該封裝基于其先進(jìn)的OptiMOS? MOSFET技術(shù)，專為滿足汽車電子產(chǎn)品中對熱效率和空間利用有嚴(yán)
英飛凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000V產(chǎn)品
英飛凌科技股份公司，作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創(chuàng)新產(chǎn)品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設(shè)計(jì)人員提
N溝道80 V，2.4 mOhm，標(biāo)準(zhǔn)級MOSFET BUK7J2R4-80M數(shù)據(jù)手冊
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道80 V，2.4 mOhm，標(biāo)準(zhǔn)級MOSFET BUK7J2R4-80M數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 02-21 10:03
?0次下載
工商網(wǎng)監(jiān)
評論