東芝推出兩款采用L-TOGL封裝的車(chē)載N溝道功率MOSFET產(chǎn)品
東芝近日發(fā)布了兩款專(zhuān)為車(chē)載環(huán)境設(shè)計(jì)的N溝道功率MOSFET產(chǎn)品——“XPQR8308QB”（80V）和“XPQ1R00AQB”（100V），均采用了其前沿的L-TOGL?封裝技術(shù)。這兩款新品不僅集成了東芝最新一代的U-MOS X-H工藝，使得導(dǎo)通電阻達(dá)到極低水平，極大提升了能效。
尤為引人注目的是，L-TOGL?封裝技術(shù)中采用了獨(dú)特的銅夾片結(jié)構(gòu)。這種設(shè)計(jì)通過(guò)厚銅框?qū)OSFET芯片與外部引腳緊密相連，有效提升了散熱性能和電氣連接穩(wěn)定性。這一創(chuàng)新不僅確保了產(chǎn)品在高負(fù)載、高溫等惡劣車(chē)載環(huán)境下的穩(wěn)定工作，同時(shí)也為汽車(chē)制造商提供了更加可靠、高效的解決方案。
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