SemiQ汽車用SiC MOSFET 介紹
EV DC-DC轉(zhuǎn)換器
SemiQ 的 SiC 產(chǎn)品為汽車應(yīng)用提供一流的可靠性、質(zhì)量和性能。我們提供模塊和分立封裝形式的 1200V MOSFET，旨在最大限度地提高效率。
DC-DC 轉(zhuǎn)換器對于維護電動汽車的電氣系統(tǒng)至關(guān)重要。它們確保所有子系統(tǒng)都能獲得運行所需的適當(dāng)電壓水平，同時最大限度地提高能源效率和安全性。這有助于現(xiàn)代電動汽車中高壓組件與低壓系統(tǒng)的無縫集成。
SemiQ SiC 在汽車領(lǐng)域的優(yōu)勢
1、高效率
2、增強的可靠性
3、寬電壓和電流范圍
4、低功耗
5、溫度耐受性
6、可持續(xù)發(fā)展
典型 DC-DC 轉(zhuǎn)換器原理圖：
汽車用SemiQ SiC MOSFET 1200V 產(chǎn)品系列：
GP2T040A120J/GP2T080A120J
特征：
SiC MOSFET
高速開關(guān)
可靠的晶體二極管
所有部件測試電壓大于1400V
GP2T040A120J測試至400mJ/GP2T080A120J測試至200mJ
優(yōu)勢：
較低的電容
更高的系統(tǒng)效率
易于并行
降低開關(guān)損耗
間隙距離更長
應(yīng)用：
太陽能轉(zhuǎn)化器
開關(guān)模式電源，UPS
感應(yīng)加熱和焊接
電動汽車充電站
高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
轉(zhuǎn)換器
+關(guān)注
關(guān)注
27文章
8748瀏覽量
148115 -
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
147文章
7248瀏覽量
214330 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
29文章
2896瀏覽量
62967
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
溝槽型SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用
碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料，因其出色的寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等特性，在新能源、智能電網(wǎng)以及電動汽車等多個領(lǐng)域展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景。其中，溝槽型SiC
SiC MOSFET的參數(shù)特性
碳化硅（SiC）MOSFET作為寬禁帶半導(dǎo)體材料（WBG）的一種，具有許多優(yōu)異的參數(shù)特性，這些特性使其在高壓、高速、高溫等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。本文將詳細(xì)探討SiC MOSFET的主要參數(shù)特
SemiQ發(fā)布1700V SiC MOSFET新品
型D-MOSFET系列，不僅展現(xiàn)了SemiQ在SiC技術(shù)領(lǐng)域的深厚積累，更為光伏、風(fēng)能逆變器、儲能系統(tǒng)、電動汽車及充電設(shè)施、不間斷電源（UPS）以及感應(yīng)加熱和焊接系統(tǒng)等多個領(lǐng)域提供了全
SemiQ推出1700 V SiC MOSFET系列，助力中壓大功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域
近日，全球知名碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商SemiQ正式發(fā)布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品，專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計。
驅(qū)動Microchip SiC MOSFET
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《驅(qū)動Microchip SiC MOSFET.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 01-21 13:59
?0次下載
國產(chǎn)SiC MOSFET，正在崛起
來源：電子工程世界 SiC（碳化硅），已經(jīng)成為車企的一大賣點。而在此前，有車企因是否全域采用SiC MOSFET，發(fā)生激烈輿論戰(zhàn)?？梢姡?b class='flag-5'>SiC這一市場在
34mm SiC MOSFET模塊產(chǎn)品介紹
34mm SiC MOSFET半橋碳化硅模塊產(chǎn)品介紹_20241217_Rev.1.0.1
發(fā)表于 12-30 15:24
?0次下載
三菱電機1200V級SiC MOSFET技術(shù)解析
1200V級SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢的器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前，1200V級SiC
SiC MOSFET在電動汽車中的應(yīng)用問題
電動汽車中可能用到SiC MOSFET的主要汽車電子零部件包括車載充電機、車載DCDC變換器以及主驅(qū)逆變器等高壓高功率電力電子轉(zhuǎn)換器。
SiC MOSFET和SiC SBD的區(qū)別
SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和SiC SBD（碳化硅肖特基勢壘二極管）是兩種基于碳化硅（SiC）材料的功率半導(dǎo)體器件，它們在電力電子領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。盡
SemiQ 1200V SiC MOSFET Module說明介紹
SiCMOSFET模塊是一種基于碳化硅(SiC)材料的功率半導(dǎo)體器件，它結(jié)合了MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的高效開關(guān)特性和SiC材料的優(yōu)異性能。與傳統(tǒng)的硅基MOSFET
SemiQ用于電動汽車快速充電的碳化硅
SemiQ的各種碳化硅(SiC)二極管、模塊和MOSFET能夠滿足高效率電動汽車快速充電設(shè)計的需求，具有一流的可靠性、質(zhì)量和性能。SiC模塊
SemiQ 推出高頻、高功率 SiC MOSFET 模塊
SemiQ在其碳化硅(SiC)N溝道MOSFET產(chǎn)品組合中添加了一組全波H橋模塊。這些部件專為需要高電壓、高速和高功率部件的三重威脅應(yīng)用而設(shè)計。它們針對超低開關(guān)損耗進行了優(yōu)化，從而提高了效率并降低
工商網(wǎng)監(jiān)
評論