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瞬態(tài)過(guò)壓防護(hù),TVS二極管和ESD靜電二極管應(yīng)該選擇誰(shuí)?

硬件那點(diǎn)事兒 ? 來(lái)源: 硬件那點(diǎn)事兒 ? 作者: 硬件那點(diǎn)事兒 ? 2024-05-18 17:11 ? 次閱讀

前言

硬件工程師一定聽過(guò)EOS這個(gè)詞,所謂EOS,其全稱是Electrostatic Overstress,也就是靜電過(guò)應(yīng)力,什么意思呢?它是指電子元器件在生產(chǎn)、運(yùn)輸、安裝或使用過(guò)程中,遭受超過(guò)其承受能力的靜電放電(ESD)或電氣過(guò)應(yīng)力(EOS),導(dǎo)致元器件損壞或性能下降。

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相應(yīng)的,為了預(yù)防EOS,就出現(xiàn)了各種各樣的保護(hù)器件,比如TVS二極管壓敏電阻,ESD靜電二極管等,今天就重點(diǎn)說(shuō)一下TVS二極管和ESD靜電二極管選型的區(qū)別。要想說(shuō)清楚二者的區(qū)別,就要先了解EOS的區(qū)別。

Part 02

靜電ESD模型和雷擊浪涌模型

ESD主要用三種模型來(lái)表達(dá),用得比較多的是HBM和MM。也就是人或設(shè)備對(duì)產(chǎn)品放電,但產(chǎn)品不會(huì)被損壞。典型的HBM CLASS 1C模型規(guī)定,在 1000V-2000V充電的100pF電容器通過(guò)1500歐姆電阻器對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行放電。MM模型比人體模型能量更大,放電電容為200pF,電壓200V-400V左右,但沒(méi)有串聯(lián)電阻。

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典型HBM模型放電,峰值電流小于0.75A,時(shí)間150ns,典型MM模型放電,峰值電流小于8A,時(shí)間5ns。

很靜電相比,典型雷擊浪涌產(chǎn)生的EOS可就大得多了,比如電源線入口處使用TVS,其峰值電流可達(dá)2000A,時(shí)間20us。

Part 03

TVS二極管和ESD靜電二極管的區(qū)別

1.工作原理

TVS二極管和ESD靜電二極管的工作原理是一樣的,都是基于二極管反向擊穿原理實(shí)現(xiàn)電壓鉗位。

2.用途

其實(shí)可以把ESD靜電二極管理解成TVS二極管中的一種,也就是說(shuō)TVS二極管是一個(gè)大類,TVS二極管可以用來(lái)防靜電,也可以用來(lái)防電磁脈沖EMP,雷擊浪涌,或者感性負(fù)載開關(guān)產(chǎn)生的過(guò)壓。但是ESD靜電二極管一般只用來(lái)防靜電。

3.功率

ESD靜電二極管的封裝一般是SOT23封裝,尺寸小,所以功率也小,但是TVS二極管功率就大得多了,這也是TVS二極管有更多用途的原因。 4.寄生電容 如果應(yīng)用是高速數(shù)字I/O線路或高頻RF線路,則保護(hù)器件的寄生電容會(huì)對(duì)線路有影響,可能會(huì)導(dǎo)致信號(hào)失真。ESD靜電二極管具有超低電容(通常約為 0.05pF),所以反應(yīng)速度更快,同時(shí)尺寸小,此時(shí)就是最優(yōu)解。

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