美光與客戶簽下2025年HBM訂單，HBM內(nèi)存預計擴增50%
據(jù)報道，在昨日的摩根大通投資者活動中，美光宣布其2025 年HBM存儲器相關的供需談判已經(jīng)達成初步共識。
該公司管理團隊明確指出，已經(jīng)和下游客戶就明年HBM產(chǎn)品的訂購數(shù)量和定價達成了基本協(xié)議。
美光預計，HBM內(nèi)存將在2024財年為其帶來數(shù)億美元的收入，并在2025財年進一步增長至數(shù)十億美元。
此外，美光還預計，未來幾年內(nèi)，其HBM內(nèi)存位元產(chǎn)能的年均增長率將達到50%。
為了滿足HBM領域的旺盛需求，美光決定將本財年的資本支出預算由原計劃的75~80億美元調(diào)整為80億美元（約合人民幣579.2億元）。
在HBM技術方面，美光本季度推出了12層堆疊的HBM3E內(nèi)存樣品，預計這款產(chǎn)品將成為推動2025年業(yè)績增長的主要動力。
在非HBM領域，美光預計高AI算力PC對通用內(nèi)存的需求將增長40~80%，同時LPDDR內(nèi)存在數(shù)據(jù)中心市場的份額也將逐步擴大。
總的來說，美光預測DRAM內(nèi)存行業(yè)的長期增長率將保持在15%左右，而NAND行業(yè)的長期增長率則有望超過20%。
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發(fā)表于 02-27 10:25
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