強茂推出最新的60V、100V和150V車規(guī)級MOSFET
強茂推出最新的60V、100V和150V車規(guī)級MOSFET，此系列專為汽車和工業(yè)電力系統(tǒng)設(shè)計提供優(yōu)異性能和效率。采用先進(jìn)溝槽技術(shù)設(shè)計，與傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)溝槽設(shè)計相比，為60V MOSFET的品質(zhì)因數(shù)（FOM）減少68%、100V減少41%、150V則減少了53%，且顯著降低電容，確保了最低的導(dǎo)通和開關(guān)損耗，從而提升了整體性能。
新系列 MOSFET 提供多種封裝，包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA和TO-220AB-L 。多種封裝可適用于各種現(xiàn)代電子系統(tǒng)的高效設(shè)計方案。其可承受的結(jié)溫高達(dá) 175°C，表現(xiàn)出極強的耐用性和可靠性，且通過 AEC-Q101 認(rèn)證。
強茂新的車規(guī)級 MOSFET 系列提供卓越的性能、可靠性和效率，為汽車和工業(yè)系統(tǒng)設(shè)計的最佳選項。
產(chǎn)品列表
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
147文章
7248瀏覽量
214330 -
電力系統(tǒng)
+關(guān)注
關(guān)注
18文章
3634瀏覽量
55262 -
DFN封裝
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
40瀏覽量
13907
原文標(biāo)題：強茂高效能60V/100V/150V車規(guī)級 MOSFET系列
文章出處：【微信號：gh_1e4aac51a311，微信公眾號：強茂PANJIT】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
瑞薩電子推出新型 100V 高功率 MOSFET，助力多領(lǐng)域應(yīng)用
近日，瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產(chǎn)品專為電機控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電應(yīng)用而設(shè)計，以其卓越的高電流開關(guān)性能和行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)表現(xiàn)成為市場焦點。新型
上海貝嶺150V SGT MOSFET系列產(chǎn)品介紹
上海貝嶺推出150V SGT MOSFET系列產(chǎn)品。貝嶺150V SGT系列產(chǎn)品采用業(yè)界先進(jìn)工藝，使得器件具有良好的柵極漏電流IGSS性能；采用深溝槽、多層外延襯底以及多重浮空環(huán)終端結(jié)
100V N通道功率MOSFET SMT10T01AHTL概述
SMT10T01AHTL是一款100V的N-通道功率MOSFET，主要應(yīng)用在電信和工業(yè)中的DC/DC轉(zhuǎn)換器上，以及汽車電子領(lǐng)域的電池管理系統(tǒng)上。
SL3170 dc-dc高耐壓150V 輸出可調(diào) 1A電流電動車儀表、GPS電源芯片
的重要性不言而喻。今天，我們?yōu)槟≈亟榻B一款專為電動車設(shè)計的高性能DC-DC轉(zhuǎn)換器——SL3170，它以高耐壓150V、輸出可調(diào)、1A電流輸出的卓越性能，為電動車儀表和GPS系統(tǒng)提供穩(wěn)定、可靠的電力
發(fā)表于 12-04 16:37
強茂推出最新車規(guī)級60V N通道MOSFETs系列
隨著汽車產(chǎn)業(yè)加速朝向智慧化以及互聯(lián)系統(tǒng)的發(fā)展，強茂推出最新車規(guī)級60
dcdc高耐壓150V降壓 固定5V 持續(xù)1.6A電流 電動車儀表供電IC SL3160H
一、基本特性
高耐壓設(shè)計
SL3160H能夠承受高達(dá)150V的輸入電壓，遠(yuǎn)超一般低壓轉(zhuǎn)換器的設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)。
這種設(shè)計拓寬了應(yīng)用場景，如工業(yè)自動化、LED照明、電力監(jiān)控以及電動車儀表供電等。
寬輸入電壓
發(fā)表于 11-23 11:15
30V MOS管 60V MOS管 100V MOS管-5N10N通道MOS管-HC5N10 100V5A 低結(jié)電容 高性價比
，大電流，大功率等特點，往往需要24V 36V 48V 60V 72V 100V 120
發(fā)表于 10-11 09:47
航天級100krad 100V高側(cè)電流檢測電路
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《航天級100krad 100V高側(cè)電流檢測電路.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 09-07 09:57
?0次下載
可控硅調(diào)速遇到突變！調(diào)壓會從150V突然跳躍到190V，無法實現(xiàn)無級調(diào)節(jié)
說明：所用電路與圖片中大致相同。
問題點是，在調(diào)節(jié)電位器的過程中，負(fù)載上得到的電壓會突變：從100V開始，有序遞增到150V左右，然后突然暴增到190V，永遠(yuǎn)得不到150至190
發(fā)表于 08-25 07:48
瞻芯電子第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET通過車規(guī)級可靠性測試認(rèn)證
認(rèn)證；同時，瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺正式量產(chǎn)，后續(xù)將依托浙江義烏的車規(guī)級碳化硅(SiC)晶圓廠
雙通道 60V N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD88539ND數(shù)據(jù)表
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《雙通道 60V N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD88539ND數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 04-07 14:49
?0次下載
瞻芯電子推出一款車規(guī)級1200V SiC三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z
近日，瞻芯電子正式推出一款車規(guī)級1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z，該模塊產(chǎn)品及其采用的1200
H6911 升壓恒流芯片2.6-40V升60V72V100V150V10A方案 大電流 0.1%深度調(diào)光
一種能夠?qū)?.6-40V的輸入電壓升高至60V、72V、100V或150V，并提供10A恒定電流的升壓恒流芯片方案，同時實現(xiàn)0.1%深度調(diào)光
發(fā)表于 04-06 18:11
60V N 溝道 FemtoFET? MOSFET CSD18541F5數(shù)據(jù)表
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《60V N 溝道 FemtoFET? MOSFET CSD18541F5數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 03-27 13:49
?0次下載
60V以上的高邊驅(qū)動方案探討-采用隔離電源方案
電壓高于60V的時候的高邊開關(guān)，芯片面積會指數(shù)級別變大，所以這時候采用BCD工藝做出來的高邊開關(guān)成本相對較高，而采用隔離做出來的方案，沒有耐壓的限制，可以沖100V做到600V等應(yīng)用場景，該文主要介紹采用隔離電源做的高邊開關(guān)的方
工商網(wǎng)監(jiān)
評論