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一個可以制造柔性光子晶圓及芯片的300毫米晶圓級平臺

MEMS ? 來源:MEMS ? 2024-05-27 09:32 ? 次閱讀

憑借晶圓級制造工藝,集成光子學(xué)領(lǐng)域近年發(fā)展迅速,在紅外(激光雷達(dá)和通信等應(yīng)用)和可見光(深入新興應(yīng)用領(lǐng)域,如顯示、光遺傳學(xué)和量子系統(tǒng)等)波段都已有報道集成光子學(xué)平臺和制造工藝。然而,這些進展主要集中于硅襯底上的制造工藝,獲得的是剛性光子晶圓和芯片,限制了其潛在的應(yīng)用空間。

柔性集成光子晶圓有望使更多應(yīng)用領(lǐng)域受益,例如貼合人體或衣物的可穿戴醫(yī)療監(jiān)護設(shè)備和柔性顯示器等。受益于光子功能的可穿戴醫(yī)療保健監(jiān)護設(shè)備可以佩戴于手腕(智能手表)、手指(智能戒指)或上臂(作為貼片),考慮到典型成人的手腕周長、戒指尺寸和上臂尺寸,這些監(jiān)測設(shè)備需要的彎曲直徑分別約為4厘米、1.5厘米和7.6厘米。

迄今,已有一些關(guān)于柔性光子學(xué)制造的報道。實現(xiàn)柔性光子學(xué)的一種流行技術(shù)是異質(zhì)集成,即首先在剛性襯底上制造器件,然后通過direct-flip或stamp-assisted工藝將器件轉(zhuǎn)移到柔性襯底上。另一種流行的技術(shù)是單片集成,即直接在柔性襯底上對器件進行圖案化,而柔性襯底則由剛性襯底臨時支撐。不過,這些現(xiàn)有柔性光子學(xué)僅限于單個器件或芯片規(guī)模的制造工藝,這限制了其可擴展性。

據(jù)麥姆斯咨詢介紹,美國麻省理工學(xué)院(MIT)的研究人員開發(fā)并實驗表征了第一個可以制造柔性光子晶圓及芯片的300毫米晶圓級平臺。首先,研究人員開發(fā)了300毫米晶圓級CMOS兼容的柔性平臺和制造工藝。接著,通過實驗演示了可見光波長下的關(guān)鍵光學(xué)功能,包括芯片耦合、波導(dǎo)路由和無源器件。實驗證明了光纖到芯片的邊緣耦合,耦合損耗為8 dB/facet,300 nm寬和400 nm寬波導(dǎo)的傳播損耗分別為12.1 dB/cm和9.4 dB/cm,1 x 2多模干涉儀(MMI)分路器的分路比為2.9 dB,所有這些都在632.8 nm工作波長下實現(xiàn)。

然后,研究人員進行了彎曲耐久性研究,以表征光子芯片的機械柔性。研究人員演示了將單個柔性光子芯片繞直徑從5厘米到1.25厘米圓柱體彎曲2000次,其光學(xué)性能沒有明顯下降。最后,研究人員通過實驗表征了彎曲柔性光子芯片所引起的偏振效應(yīng),比較了柔性芯片平放與圍繞兩個直徑不同圓柱體彎曲時的器件性能,發(fā)現(xiàn)輸出光的偏振會隨著芯片的彎曲而發(fā)生變化。

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柔性光子芯片的制造工藝

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柔性光子芯片的實驗表征

展望未來,研究人員將繼續(xù)開發(fā)這種晶圓級制造工藝,深入研究柔性光子芯片的特性。首先,研究人員將在平臺上引入晶圓級蝕刻切割溝槽,以實現(xiàn)更平滑的切面和更低損耗的邊緣耦合器;其次,探索退火步驟,以及改用LPCVD氮化硅的可行性,以進一步降低波導(dǎo)傳播損耗;第三,對柔性光子芯片的機械性能進行進一步數(shù)值分析和實驗表征,包括量化楊氏模量、彈性常數(shù)和斷裂強度;第四,研究應(yīng)變對波導(dǎo)光學(xué)特性的影響,進行數(shù)值模擬,并將模擬結(jié)果與彎曲引起的偏振旋轉(zhuǎn)的實驗結(jié)果進行比較;第五,探索芯片向另一方向彎曲的影響,由于波導(dǎo)受到的應(yīng)力和應(yīng)變不同,預(yù)計這將對偏振旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生影響;第六,開發(fā)一套自動彎曲測試裝置,以便對芯片的耐久性進行嚴(yán)格的高通量表征;第七,設(shè)計更多量身定制的光子器件,進一步研究芯片彎曲對偏振和損耗的影響。

總體來說,這項研究成果為可擴展的柔性集成光子學(xué)制造鋪平了道路,推動集成光子學(xué)進入需要柔性光子芯片的新應(yīng)用領(lǐng)域,例如與人體或織物相適應(yīng)的可穿戴醫(yī)療監(jiān)護儀以及柔性顯示器等。

論文鏈接:
https://doi.org/10.1038/s41598-024-61055-w



審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:柔性晶圓級集成光子學(xué)制造平臺

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