MPRA1C65-S61 650V 碳化硅功率模塊詳解
今天我們來講一款FST SIC DIODE模塊MPRA1C65-S61，這款SiC Module可以適用更高的開關(guān)頻率，可忽略的反向恢復(fù)與開關(guān)損耗，大大的提高整機(jī)效率，可適當(dāng)?shù)臏p少散熱器件體積。
模塊采用帶有散熱片的S6小型封裝，具有體積小、結(jié)構(gòu)緊湊、功能強(qiáng)大、用戶使用簡單靈活的特點(diǎn)，是焊接切割設(shè)備，開關(guān)電源 充電設(shè)備等領(lǐng)域的理想功率模塊。
快速參考數(shù)據(jù):
650V/100A 碳化硅DIODE模塊
反向重復(fù)峰值電壓：600V
連續(xù)正向電流:100A
熱阻：0.68℃/W
安裝扭矩-端子：3±15%Nm
安裝扭矩-散熱器：5±15%Nm
模塊大約重量：170g
特征：
絕緣耐壓
端子與外殼之間外加交流電 1 分鐘
封裝形式:S6，
多種保護(hù)功能，包括欠壓保護(hù)、過流保護(hù)、過溫保護(hù)
故障狀態(tài)報(bào)告輸出線性溫度感測輸出
S6封裝形式(Package Outline)：
應(yīng)用：
焊接切割設(shè)備
開關(guān)電源
充電設(shè)備
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