近日，SemiQ已啟動(dòng)了已知良好芯片 (KGD) 篩選計(jì)劃。該計(jì)劃提供經(jīng)過電氣分類和光學(xué)檢查的高質(zhì)量 SiC MOSFET 技術(shù)。該技術(shù)已準(zhǔn)備好進(jìn)行后端處理，并且可以直接作為芯片連接。

SemiQ 的已知良好芯片保證了一致的電氣參數(shù)，使客戶能夠在高壓電源、牽引逆變器和功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)等設(shè)備的構(gòu)建中依靠可重復(fù)的性能來實(shí)現(xiàn)高生產(chǎn)線成品率。統(tǒng)一的芯片特性有利于高功率模塊中各種器件的耦合。

SemiQ 表示，SiC 是一項(xiàng)強(qiáng)大的技術(shù)，支持全球可持續(xù)發(fā)展的努力。眾所周知的優(yōu)質(zhì)芯片 SiC MOSFET具有顯著的性能優(yōu)勢(shì)，包括一致的結(jié)電容、極小的插入損耗和強(qiáng)大的隔離度，這些對(duì)于高頻應(yīng)用至關(guān)重要。該計(jì)劃使客戶能夠獲得品質(zhì)優(yōu)良的模具。這些模具將提高生產(chǎn)效率，并在高效應(yīng)用中提供一致、可靠的性能。

KGD 計(jì)劃目前已生效，適用于 SemiQ 的 QSiC? 1200V SiC MOSFET 的整個(gè)系列，其電阻范圍為 20mΩ 至 80mΩ。該產(chǎn)品組合有助于在汽車、電動(dòng)交通、可再生能源、工業(yè)電力和其他應(yīng)用等多個(gè)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)強(qiáng)大而有效的電氣化。

KGD 設(shè)備在被分成單獨(dú)的單元后交付，它們可以放置在多種類型的載體介質(zhì)上，例如藍(lán)色膠帶、預(yù)固化 UV 膠帶或卷帶。這使得客戶可以更輕松地將設(shè)備整合到自己的流程中。