三星欲提前量產(chǎn)1nm工藝，計(jì)劃2026年量產(chǎn)
據(jù)韓媒Business Korea報(bào)道，三星擬于今年6月發(fā)布1納米制程規(guī)劃，并計(jì)劃將該項(xiàng)目的量產(chǎn)時(shí)間由原定的2027年提前至2026年。原先設(shè)定的SF1.4工藝的量產(chǎn)日期為2027年，但現(xiàn)已調(diào)整為2026年。
據(jù)悉，三星電子晶圓代工部門將于6月12日至13日在美國硅谷舉行晶圓代工及SAFE論壇，期間將披露其技術(shù)發(fā)展藍(lán)圖以及強(qiáng)化晶圓代工生態(tài)系統(tǒng)的相關(guān)策略。
根據(jù)三星先前的規(guī)劃，2納米的SF2工藝預(yù)計(jì)將于2025年面世。相較于3納米的第二代3GAP工藝，在同等頻率和復(fù)雜度條件下，其能效提升25%；在同等功耗和復(fù)雜度條件下，其性能提升12%，且芯片面積縮小5%。
另據(jù)TechNews早前援引外媒報(bào)道，臺(tái)積電預(yù)計(jì)將于2027-2028年間啟動(dòng)1.4納米的量產(chǎn)工作。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15878瀏覽量
181373 -
晶圓代工
+關(guān)注
關(guān)注
6文章
863瀏覽量
48669 -
生態(tài)系統(tǒng)
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
704瀏覽量
20792
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
三星電子1c nm內(nèi)存開發(fā)良率里程碑推遲
據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時(shí)間推遲了半年。原本，三星計(jì)劃在2024
三星1c nm DRAM開發(fā)良率里程碑延期
(High Bandwidth Memory 4)內(nèi)存規(guī)劃方面產(chǎn)生影響。 原本，三星電子計(jì)劃在2024年12月前將1c nm制程DRAM的良
三星“淡化”小折疊手機(jī)市場？Z Flip7量產(chǎn)計(jì)劃僅300萬臺(tái)
近日，消息源Jukanlosreve在社交平臺(tái)發(fā)文曝料了三星2025年的手機(jī)量產(chǎn)計(jì)劃。據(jù)其透露，三星對Galaxy S25系列和Galaxy
三星顯示加速8.6代IT OLED量產(chǎn)計(jì)劃,預(yù)計(jì)2025年底前實(shí)現(xiàn)
近日，三星顯示在第三季度業(yè)績的電話會(huì)議上透露了其8.6代OLED產(chǎn)線的最新進(jìn)展。公司表示，面向IT領(lǐng)域的8.6代OLED產(chǎn)線的主要設(shè)備已經(jīng)完成，目前正按計(jì)劃進(jìn)行，原計(jì)劃于
三星加速全固態(tài)電池研發(fā)，2026上半年瞄準(zhǔn)可穿戴設(shè)備量產(chǎn)
科技巨頭三星電機(jī)在電池技術(shù)領(lǐng)域取得重大突破，據(jù)最新消息，該公司已成功開發(fā)出專為可穿戴設(shè)備設(shè)計(jì)的小型全固態(tài)電池，并已進(jìn)入緊鑼密鼓的測試階段。這一創(chuàng)新成果標(biāo)志著三星正朝著2026年上半年實(shí)
三星電子計(jì)劃在2026年推出最后一代10nm級(jí)工藝1d nm
三星電子在最新的內(nèi)存產(chǎn)品路線圖中透露了未來幾年的技術(shù)布局。據(jù)透露，三星計(jì)劃在2024年率先推出基于1c
三星將為DeepX量產(chǎn)5nm AI芯片DX-M1
人工智能半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新者DeepX宣布，其第一代AI芯片DX-M1即將進(jìn)入量產(chǎn)階段。這一里程碑式的進(jìn)展得益于與三星電子代工設(shè)計(jì)公司Gaonchips的緊密合作。雙方已正式簽署量產(chǎn)合同
三星3nm芯片良率低迷，量產(chǎn)前景不明
近期，三星電子在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域遭遇挑戰(zhàn)，其最新的Exynos 2500芯片在3nm工藝上的生產(chǎn)良率持續(xù)低迷，目前仍低于20%，遠(yuǎn)低于行業(yè)通常要求的60%量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)。這一情況引發(fā)了業(yè)界對
三星與新思科技攜手，備戰(zhàn)2nm工藝量產(chǎn)
在全球半導(dǎo)體行業(yè)邁向更高精度和更小尺寸的征途上，三星與新思科技近日宣布了一項(xiàng)重要的合作。這一合作旨在確保三星的2nm制造工藝能夠順利實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
三星啟動(dòng)"Thetis"2nm芯片項(xiàng)目，預(yù)計(jì)2026年量產(chǎn)，將配裝于Galaxy S2?
據(jù)韓國媒體ETNews 報(bào)導(dǎo)，三星已著手開發(fā)代號(hào)為“Thetis”的2納米制程應(yīng)用芯片（AP）項(xiàng)目，預(yù)計(jì)2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并在2026年裝
三星電子提前組建DRAM技術(shù)開發(fā)團(tuán)隊(duì)
全球最大的三家DRAM制造商——三星電子、SK海力士以及美光，計(jì)劃在今年三季度到明年逐步實(shí)現(xiàn)1cnm的量
三星電子開始量產(chǎn)其首款3nm Gate All Around工藝的片上系統(tǒng)
據(jù)外媒報(bào)道，三星電子已開始量產(chǎn)其首款3nm Gate All Around（GAA）工藝的片上系統(tǒng)（SoC），預(yù)計(jì)該芯片預(yù)計(jì)將用于Galaxy S25系列。
SK海力士、三星電子年內(nèi)啟動(dòng)1c納米DRAM內(nèi)存量產(chǎn)
三星近期在Memcon 2024行業(yè)會(huì)議中聲稱，計(jì)劃于今年底以前實(shí)現(xiàn)1c nm工藝的量產(chǎn)。另據(jù)行
SK海力士與三星將率先量產(chǎn)1c納米DRAM
在近期舉辦的行業(yè)盛會(huì)Memcon 2024上，三星公司透露了其宏偉的量產(chǎn)計(jì)劃，預(yù)計(jì)在今年年底前，他們將成功實(shí)現(xiàn)1c nm制程的批量生產(chǎn)。
三星SDI計(jì)劃在2027年量產(chǎn)全固態(tài)電池
三星SDI近日宣布，他們計(jì)劃于2027年實(shí)現(xiàn)全固態(tài)電池的量產(chǎn)，以適應(yīng)電動(dòng)汽車市場日益增長的需求。這一雄心勃勃的目標(biāo)表明，該公司正積極投身于下一代電池技術(shù)的研發(fā)和生產(chǎn)。
工商網(wǎng)監(jiān)
評論