MIT研究院用銦鎵砷化合物造出史上最小晶體管
MIT的微系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室（Microsystems Technology Laboratories）聲稱已經(jīng)造出了史上最小的晶體管，用的卻是硅以外的材料。該晶體管由已經(jīng)應(yīng)用于光纖和雷達(dá)技術(shù)上的銦鎵砷化物（indium gallium arsenide，IGA）制造，厚度僅有22nm（約9股人類DNA）。因?yàn)檫@是在微處理器里使用的相同類型的晶體管，這意味著芯片可以更加密集、提供更高的性能。
研究人員希望找到一個(gè)替代硅的材料，在更小的尺度上實(shí)現(xiàn)更高的速度和效率，以迫近摩爾定律所預(yù)測的進(jìn)程。合作開發(fā)人員和麻省理工學(xué)院的教授Jesus del Alamo稱，這方面的發(fā)展“將確保摩爾定律達(dá)到硅片所不能達(dá)到的程度”（take Moore‘s Law beyond the reach of silicon）。
MIT News的報(bào)道稱，研究人員下一步將提高晶體管的電氣性能和整體速度。若小組成功達(dá)到了這個(gè)目標(biāo)，他們將繼續(xù)朝著小于10nm的目標(biāo)前進(jìn)。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
77文章
9787瀏覽量
139008 -
銦鎵砷
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
1瀏覽量
5857
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
日本開發(fā)出用于垂直晶體管的8英寸氮化鎵單晶晶圓
工藝的橫向晶體管相比，采用氮化鎵單晶構(gòu)建垂直晶體管可提供更高密度的功率器件，可用于 200mm 和 300mm 晶圓。然而，制造尺寸大于4英寸的GaN單晶晶圓一直都面臨困難。 大阪大學(xué)和豐田合成的
晶體管與場效應(yīng)管的區(qū)別 晶體管的封裝類型及其特點(diǎn)
晶體管與場效應(yīng)管的區(qū)別 工作原理 ： 晶體管 ：晶體管（BJT）基于雙極型晶體管的原理，即通過控制基極電流來控制集電極和發(fā)射極之間的電流。
銻化鎵晶體在半導(dǎo)體技術(shù)中的應(yīng)用
銻化鎵是一種化合物晶體，化學(xué)式為GaSb。它由鎵（Ga）和銻（Sb）兩種元素組成。在半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用領(lǐng)域中，銻化
NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別
NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）類型，它們在多個(gè)方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場景等方面詳細(xì)闡述NMO
晶體管的主要材料有哪些
晶體管的主要材料是半導(dǎo)體材料，這些材料在導(dǎo)電性能上介于導(dǎo)體和絕緣體之間，具有獨(dú)特的電子結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，使得晶體管能夠?qū)崿F(xiàn)對電流的有效控制。以下將詳細(xì)探討晶體管的主要材料，包括硅（Si）、鍺（Ge）、氮化
GaN晶體管的應(yīng)用場景有哪些
GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），近年來在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用場景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及低導(dǎo)通電阻等特性，使得GaN晶體管
GaN晶體管和SiC晶體管有什么不同
GaN（氮化鎵）晶體管和SiC（碳化硅）晶體管作為兩種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件，在電力電子、高頻通信及高溫高壓應(yīng)用等領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢。然而，它們在材料特性、性能表現(xiàn)、應(yīng)用場景以及制造工藝等方面存在諸多不同。以下是對這兩種
GaN晶體管的基本結(jié)構(gòu)和性能優(yōu)勢
GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），是近年來在電力電子和高頻通信領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注的一種新型功率器件。其結(jié)構(gòu)復(fù)雜而精細(xì)，融合了多種材料和工藝，以實(shí)現(xiàn)高效、高頻率和高功率密度的性能。
LOG114開發(fā)板能否直接接銦鎵砷探測器？
請問LOG114開發(fā)板能否直接接銦鎵砷探測器，然后測試LOG114的輸出。
我想把LOG114的輸出直接接到ADC的采集板，ADC是14bits的，用1K的采樣頻率，請問采樣的AD值
發(fā)表于 08-05 07:42
瑞薩電子氮化鎵場效應(yīng)晶體管的優(yōu)勢
氮化鎵場效應(yīng)晶體管是當(dāng)今電力電子領(lǐng)域的明星，它正在提高功率轉(zhuǎn)換效率、電機(jī)控制和功率密度，有效滿足當(dāng)前的市場需求和趨勢。
PNP晶體管符號和結(jié)構(gòu) 晶體管測試儀電路圖
PNP晶體管是一種雙極性晶體管，用于電子電路中放大、開關(guān)和控制電流的器件。與NPN晶體管相對應(yīng)，PNP晶體管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)在于其三個(gè)不同的半導(dǎo)體區(qū)域：正極（P型）、負(fù)極（N型）、正極（P型
長沙北斗研究院總部基地正式奠基
長沙北斗研究院總部基地正式奠基 日前長沙北斗研究院總部基地正式奠基，項(xiàng)目由長沙北斗研究院牽頭建設(shè)；項(xiàng)目又名“北斗足跡”。項(xiàng)目一期預(yù)計(jì)2025年年底前建成投用。 據(jù)悉，長沙北斗
河南澠池縣碳化硅半導(dǎo)體材料及砷化鎵襯底固廢綜合利用項(xiàng)目
5月9日，河南澠池縣舉行了化合物半導(dǎo)體碳化硅材料與固廢綜合利用砷化鎵襯底項(xiàng)目的簽約儀式。在儀式上，化合物半導(dǎo)體材料團(tuán)隊(duì)執(zhí)行總監(jiān)李有群對該項(xiàng)目做了詳細(xì)介紹。
晶體管級異質(zhì)集成技術(shù)及其實(shí)用案例分析
化合物半導(dǎo)體微波器件的典型特點(diǎn)是不同結(jié)型器件性能差異明顯，表1給出了幾種常用的化合物半導(dǎo)體微波器件與Si CMOS性能對比，另外化合物半導(dǎo)體還擁有GaAs PIN二極管、GaAs超突變
什么是達(dá)林頓晶體管？達(dá)林頓晶體管的基本電路
達(dá)林頓晶體管（Darlington Transistor）也稱為達(dá)林頓對（Darlington Pair），是由兩個(gè)或更多個(gè)雙極性晶體管（或其他類似的集成電路或分立元件）組成的復(fù)合結(jié)構(gòu)。通過這種結(jié)構(gòu)，第一個(gè)雙極性晶體管放大的電流
工商網(wǎng)監(jiān)
評論