在近日結束的ISPSD2024征稿評比中，安建半導體憑借其在碳化硅領域的卓越技術實力，成功脫穎而出，榮獲口頭報告機會。此次評比中，口頭報告的錄取率僅為12.4%，競爭激烈，但安建半導體憑借獨立研發(fā)的成果，再次證明了其技術和創(chuàng)新能力。

第36屆功率半導體器件和集成電路國際研討會于2024年6月2日至6日在德國不來梅盛大舉行。安建半導體研發(fā)經(jīng)理劉永博士受邀出席此次盛會，并發(fā)表關于1200V級SiC器件技術突破的口頭報告。這一報告不僅展示了安建半導體在碳化硅器件領域的最新研究成果，也彰顯了其作為行業(yè)領軍者的技術實力。

自成立以來，安建半導體一直致力于碳化硅產品的技術創(chuàng)新與研發(fā)。公司建立了完整的器件設計、測試、可靠性驗證管理系統(tǒng)，為產品的質量和性能提供了堅實的保障。此次在國際研討會上的亮相，再次證明了安建半導體在碳化硅領域的技術領先地位。

未來，安建半導體將繼續(xù)秉持創(chuàng)新精神，深耕碳化硅領域，為全球客戶提供更優(yōu)質的產品和服務，推動功率半導體行業(yè)的持續(xù)發(fā)展。