電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）2024年已過(guò)半，可以發(fā)現(xiàn)800V平臺(tái)電動(dòng)汽車(chē)在近半年時(shí)間里降本效應(yīng)明顯，最低價(jià)的800V平臺(tái)車(chē)型極狐阿爾法T5和小鵬G6都已經(jīng)降至不到18萬(wàn)的價(jià)位。

800V平臺(tái)的普及，離不開(kāi)碳化硅的產(chǎn)能提升以及降本節(jié)奏加速，在800V電壓系統(tǒng)下，一般需要1200V耐壓的車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET器件。該領(lǐng)域以往由ST、英飛凌、羅姆、安森美等海外大廠壟斷，而近期，國(guó)產(chǎn)1200V SiC MOSFET又有了新進(jìn)展。

本土IDM廠商量產(chǎn)第三代SiC MOSFET工藝平臺(tái)

最近瞻芯電子宣布其第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺(tái)正式量產(chǎn)，該工藝平臺(tái)將在瞻芯電子位于浙江義烏的車(chē)規(guī)級(jí)SiC晶圓廠上落地，并陸續(xù)推出更多第三代SiC MOSFET產(chǎn)品。

值得關(guān)注的是，瞻芯電子基于第三代工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)，應(yīng)用于車(chē)載電驅(qū)系統(tǒng)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品（IV3Q12013T4Z）也已經(jīng)通過(guò)了車(chē)規(guī)級(jí)可靠性(AEC-Q101)測(cè)試認(rèn)證。

目前瞻芯電子第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET共有三款產(chǎn)品，包括IV3Q12013T4Z、IV3Q12013BA和IV3Q12013BD，均主要面向車(chē)載電驅(qū)系統(tǒng)，據(jù)稱(chēng)目前已經(jīng)獲得多家車(chē)載電驅(qū)客戶(hù)項(xiàng)目定點(diǎn)。

結(jié)構(gòu)方面，瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET繼續(xù)沿用上一代的平面柵型，但相比第二代工藝，元胞的Pitch縮小了超過(guò)20%。

核心指標(biāo)方面，第三代產(chǎn)品在保證器件的耐壓和短路能力的前提下，將比導(dǎo)通電阻Rsp降低至2.5mΩ*cm2，同時(shí)開(kāi)關(guān)損耗也相比上一代降低30%以上。

除此之外，第三代產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻Rds(on)的溫度系數(shù)明顯降低，在高溫運(yùn)行情況下，導(dǎo)通電阻增加較少。

作為汽車(chē)電驅(qū)應(yīng)用，車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證是必不可少的流程。瞻芯第三代平臺(tái)首款產(chǎn)品IV3Q12013T4Z不僅按照AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)完成了三批次可靠性認(rèn)證，獲得車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證證書(shū)，而且通過(guò)了更嚴(yán)格的Beyond-AECQ可靠性考核，包括動(dòng)態(tài)可靠性（D-HTRB，D-H3TRB，AC-BTI)，柵極負(fù)偏壓下的HTRB等。

國(guó)產(chǎn)SiC上車(chē)只是時(shí)間問(wèn)題

近兩年我們看到國(guó)內(nèi)已經(jīng)有多家廠商推出了車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET產(chǎn)品，但從MOSFET到模塊再到上車(chē)，從OBC到電驅(qū)，還需要一定的過(guò)程。當(dāng)國(guó)內(nèi)的車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET開(kāi)始大規(guī)模出貨，能夠滿(mǎn)足相應(yīng)的規(guī)格，電驅(qū)模塊廠商自然會(huì)嘗試使用國(guó)產(chǎn)的器件。

但確實(shí)，由于從模塊廠商到電驅(qū)集成再到車(chē)企，需要較長(zhǎng)的驗(yàn)證周期，即使是SiC MOSFET通過(guò)了車(chē)規(guī)認(rèn)證，通過(guò)了車(chē)企等驗(yàn)證，到最終的集成化電驅(qū)產(chǎn)品推出，并搭載在量產(chǎn)車(chē)型上，還至少需要兩年時(shí)間。

目前國(guó)產(chǎn)的車(chē)規(guī)SiC MOSFET已經(jīng)實(shí)現(xiàn)規(guī)模出貨，并向一些模塊廠商、電驅(qū)集成廠商供貨，相關(guān)產(chǎn)品也已經(jīng)有一定的完成度。實(shí)際上，國(guó)內(nèi)最早在電動(dòng)汽車(chē)上使用碳化硅功率模塊的車(chē)企比亞迪，已經(jīng)全系覆蓋自研模塊，并部分使用了自研碳化硅MOSFET。

而車(chē)企自研SiC模塊也越來(lái)越多，比如小鵬、蔚來(lái)、理想等新勢(shì)力廠商，都采用了自研模塊，第三方代工的模式。同時(shí)，車(chē)企投資本土SiC器件廠商在過(guò)去幾年也是比較普遍的現(xiàn)象，那么車(chē)企自研模塊就意味著這些被投資的器件廠商也有更多的機(jī)會(huì)能夠向車(chē)企優(yōu)先供應(yīng)SiC MOSFET產(chǎn)品。

因此，隨著國(guó)產(chǎn)車(chē)規(guī)SiC MOSFET產(chǎn)品的逐漸成熟，以及逐步大規(guī)模供應(yīng)，上車(chē)只是時(shí)間問(wèn)題，包括比亞迪在近期也透露，其新建碳化硅工廠產(chǎn)能規(guī)模將是全球第一，并在下半年投產(chǎn)。相信最快在今年年底，我們能夠看到一些電動(dòng)車(chē)型用上國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET，2025年有望能夠覆蓋更多的車(chē)型。