在各式各樣的快充充電器之中，“GaN”這三個(gè)字近日越來越受到消費(fèi)者的青睞。GaN快充充電器是一種基于GaN功率器件的新型快充充電器，GaN功率器件可以實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和轉(zhuǎn)換效率，從而縮小充電器的體積和重量，并提高充電速度和安全性。深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的GaN快充芯片U8607，是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關(guān)管，可為18~65W適配器應(yīng)用提供全新的解決方案。

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GaN快充芯片U8607集成了高壓啟動(dòng)功能。在啟動(dòng)階段，U8607通過芯片DRAIN腳對VDD充電，當(dāng)VDD電壓達(dá)到VVDD_ON (典型值12V)時(shí)，高壓供電關(guān)閉。輸出建立后，芯片供電由輔助繞組提供。在啟動(dòng)過程中，當(dāng)VDD低于3V時(shí)，高壓供電電路對VDD電容的充電電流為IHV1 (典型值0.55mA)，小電流充電，可以降低VDD引腳對地短路時(shí)的芯片功耗。當(dāng)VDD電壓超過3V時(shí)，充電電流增加到IHV2 (典型值5mA)，以縮短啟動(dòng)時(shí)間，隨VDD電壓升高，充電電流逐漸減小。當(dāng)VDD電壓降到VVDD_REG (典型值9V)時(shí)，高壓供電電路再次開啟，以維持VDD電壓。但是，如果低鉗位供電狀態(tài)持續(xù)時(shí)間超過80ms，芯片將觸發(fā)保護(hù)。當(dāng)芯片觸發(fā)保護(hù)狀態(tài)時(shí)，系統(tǒng)停止打驅(qū)動(dòng)，高壓供電電路開啟，維持VDD電壓在VVDD_REG_ST(典型值12V)。

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GaN快充芯片U8607集成谷底鎖定技術(shù)可以防止頻率抖動(dòng)產(chǎn)生噪音。它采用CS Jitter技術(shù)，通過調(diào)制峰值電流參考值實(shí)現(xiàn)頻率抖動(dòng)，以優(yōu)化系統(tǒng)EMI。U8607集成有多種保護(hù)功能：VDD欠壓保護(hù)(UVLO)、VDD過壓保護(hù)(VDD OVP)、輸出短路保護(hù)(FB SLP)、輸出過壓保護(hù)(FB OVP)、輸入過壓保護(hù)(Line OVP)、輸入欠壓保護(hù)(Line BOP)和過溫保護(hù)(OTP)等。

GaN目前已經(jīng)在高端充電器上全面鋪開。相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，GaN快充充電器滲透率從2021年起快速上升，即便按照目前市場上的“內(nèi)卷”程度，GaN快充充電器仍有很大的發(fā)展空間。深圳銀聯(lián)寶科技正在有計(jì)劃的逐步推出不同款型的GaN快充芯片，無論是品質(zhì)，還是價(jià)格，都十分有優(yōu)勢，必須關(guān)注起來！