欧美性猛交xxxx免费看_牛牛在线视频国产免费_天堂草原电视剧在线观看免费_国产粉嫩高清在线观看_国产欧美日本亚洲精品一5区

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

硅酷科技碳化硅銀燒結(jié)設(shè)備打入比亞迪、理想、蔚來等供應(yīng)鏈

半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 來源:半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 作者:半導(dǎo)體芯科技SiS ? 2024-07-18 18:00 ? 次閱讀

據(jù)珠海高新區(qū)消息,珠海創(chuàng)新型企業(yè)硅酷科技有限公司(以下簡稱“硅酷科技”),在碳化硅領(lǐng)域開辟了“領(lǐng)先路徑”,其核心產(chǎn)品碳化硅銀燒結(jié)設(shè)備,憑借尖端技術(shù),已成功躋身比亞迪、理想、蔚來等主流車企供應(yīng)鏈,量產(chǎn)能力業(yè)內(nèi)領(lǐng)先,出貨量位居全國之首,成為該領(lǐng)域的“單項冠軍”。

硅酷科技成立于2019年,是一家多場景的高速、高精、高穩(wěn)定性的器件貼合設(shè)備供應(yīng)商,致力于為新能源、人工智能、半導(dǎo)體等前沿產(chǎn)業(yè)提供高精密制造設(shè)備,核心產(chǎn)品包括全自動預(yù)燒結(jié)設(shè)備、全自動IGBT模塊貼裝設(shè)備、全自動高精度貼合設(shè)備、全自動攝像頭模組貼合設(shè)備,是廣東省專精特新中小企業(yè)、高新技術(shù)企業(yè)、珠海市種子獨角獸企業(yè)。

據(jù)悉,該公司初創(chuàng)時專注于手機攝像頭高精度貼合設(shè)備,在業(yè)務(wù)剛?cè)〉猛黄茣r,卻遭遇了智能手機的市場“寒流”。經(jīng)過艱苦探索與技術(shù)革新,成功將手機攝像頭高精度貼合設(shè)備的關(guān)鍵技術(shù)——高精密貼合工藝,擴展至芯片、半導(dǎo)體等高端制造領(lǐng)域,實現(xiàn)了發(fā)展的“華麗轉(zhuǎn)身”。

珠海高新區(qū)消息指出,隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的蓬勃興起,硅酷科技以碳化硅銀燒結(jié)設(shè)備打入比亞迪、理想、蔚來、吉利等主流車企供應(yīng)鏈,年度營收實現(xiàn)三倍躍升。碳化硅銀燒結(jié)設(shè)備所生產(chǎn)的碳化硅功率半導(dǎo)體器件,是新能源汽車電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心部件,廣泛應(yīng)用于新能源汽車的電驅(qū)電控系統(tǒng)。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 攝像頭
    +關(guān)注

    關(guān)注

    60

    文章

    4871

    瀏覽量

    96400
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    2840

    瀏覽量

    49297
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    納微半導(dǎo)體氮化鎵和碳化硅技術(shù)進入戴爾供應(yīng)鏈

    近日,GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術(shù)進入戴爾供應(yīng)鏈,為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
    的頭像 發(fā)表于 02-07 13:35 ?123次閱讀
    納微半導(dǎo)體氮化鎵和<b class='flag-5'>碳化硅</b>技術(shù)進入戴爾<b class='flag-5'>供應(yīng)鏈</b>

    碳化硅在半導(dǎo)體中的作用

    碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色,其獨特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導(dǎo)體中的主要作用及優(yōu)勢: 一、碳化硅的物理特性
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:09 ?276次閱讀

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術(shù)的不斷進步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對器件的整體性能和使用壽命
    發(fā)表于 01-04 12:37

    芯聯(lián)集成為樂道L60供應(yīng)碳化硅模塊

    近日,旗下全新品牌樂道推出了其首款車型——樂道L60。作為同級別車型中的佼佼者,樂道L60采用了全域900V高壓平臺架構(gòu),并搭載了來自研的1200V SiC碳化硅功率模塊。
    的頭像 發(fā)表于 12-02 11:07 ?355次閱讀

    碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用

    碳化硅(SiC)功率器件近年來在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的(Si)基功率器件,碳化硅具有許多獨特的優(yōu)點,使其在高效能、高頻率和高溫環(huán)境下的應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢。本文將探討
    的頭像 發(fā)表于 09-13 11:00 ?742次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件的工作原理和應(yīng)用

    碳化硅功率器件的優(yōu)點和應(yīng)用

    碳化硅(SiliconCarbide,簡稱SiC)功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的一項革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的基功率器件相比,碳化硅功率器件在性能和效率方面具有顯著優(yōu)勢。本文將深入探討碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:44 ?688次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件的優(yōu)點和應(yīng)用

    大面積燒結(jié)AS9387成為碳化硅功率器件封裝的首選

    大面積燒結(jié)AS9387成為碳化硅功率器件封裝的首選
    的頭像 發(fā)表于 08-09 18:15 ?814次閱讀
    大面積<b class='flag-5'>燒結(jié)</b><b class='flag-5'>銀</b>AS9387成為<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件封裝的首選

    碳化硅和晶體誰的熔點高

    1.碳化硅和晶體的熔點比較,碳化硅的熔點更高。 具體來說,碳化硅的熔點大于2700℃,并且其沸點高于3500℃。而晶體的熔點則為1410
    的頭像 發(fā)表于 08-08 10:15 ?1904次閱讀

    碳化硅晶圓和晶圓的區(qū)別是什么

    以下是關(guān)于碳化硅晶圓和晶圓的區(qū)別的分析: 材料特性: 碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有比(Si)更高的熱導(dǎo)率、電子遷移率和擊穿電場。這使得
    的頭像 發(fā)表于 08-08 10:13 ?1878次閱讀

    燒結(jié)賦“芯”生,引領(lǐng)半導(dǎo)體革命

    GVF9880預(yù)燒結(jié)焊片用于碳化硅模組。
    的頭像 發(fā)表于 06-17 18:10 ?868次閱讀
    <b class='flag-5'>燒結(jié)</b><b class='flag-5'>銀</b>賦“芯”生,引領(lǐng)半導(dǎo)體革命

    華索科技入選深圳比亞迪研究院碳化硅襯底加工項目設(shè)備供應(yīng)鏈

    華索科技于5月22日宣布,成功中標(biāo)深圳比亞迪研究院碳化硅襯底加工項目設(shè)備供應(yīng)鏈環(huán)節(jié)。這標(biāo)志著華索科技和深圳比亞迪在新能源產(chǎn)業(yè)
    的頭像 發(fā)表于 05-24 10:43 ?963次閱讀

    車規(guī)級#燒結(jié)AS9386推力實驗視頻(碳化硅模組用燒結(jié)) #人工智能

    碳化硅
    善仁(浙江)新材料科技有限公司
    發(fā)布于 :2024年05月11日 22:03:48

    碳化硅MOSFET與MOSFET的應(yīng)用對比分析

    碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電壓低、 開關(guān)速度極快、 驅(qū)動能力要求相對低等特點, 是替代高壓MOSFET 的理想器件之一。
    的頭像 發(fā)表于 04-01 11:23 ?2601次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET與<b class='flag-5'>硅</b>MOSFET的應(yīng)用對比分析

    碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

    碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK
    發(fā)表于 03-08 08:37

    碳化硅模塊使用燒結(jié)雙面散熱DSC封裝的優(yōu)勢與實現(xiàn)方法

    碳化硅模塊使用燒結(jié)雙面散熱DSC封裝的優(yōu)勢與實現(xiàn)方法 新能源車的大多數(shù)最先進 (SOTA)?電動汽車的牽引逆變器體積功率密度范圍從基于 SSC-IGBT?的逆變器的 當(dāng)然,隨著新能源車碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 02-19 14:51 ?930次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>模塊使用<b class='flag-5'>燒結(jié)</b><b class='flag-5'>銀</b>雙面散熱DSC封裝的優(yōu)勢與實現(xiàn)方法