金屬化薄膜電容器的氧化會(huì)導(dǎo)致其表面形成一層氧化物膜。這層氧化物膜通常是絕緣性質(zhì)的，且比金屬本身的電導(dǎo)率低。因此，當(dāng)金屬化薄膜電容器表面發(fā)生氧化時(shí)，這層氧化物膜會(huì)增加電容器的表面電阻（表面方阻），從而導(dǎo)致電容器的方阻增大。

具體來說，氧化物膜的電阻通常比金屬本身的電阻大幾個(gè)數(shù)量級(jí)，這意味著當(dāng)氧化物膜形成或增厚時(shí)，電容器的表面電阻會(huì)顯著增加。這可能會(huì)影響電容器在電路中的性能，特別是在需要通過電容器表面進(jìn)行電流傳輸或接地的情況下，可能會(huì)引起信號(hào)衰減或失真。

因此，金屬化薄膜電容器氧化時(shí)，其表面方阻會(huì)顯著變大，這是需要在設(shè)計(jì)電路或者選擇電容器時(shí)考慮到的因素之一。
審核編輯 黃宇