M31攜手高塔半導(dǎo)體，成功研發(fā)65納米低功耗存儲(chǔ)器解決方案
全球知名的矽智財(cái)解決方案提供商M31 Technology Corporation（簡(jiǎn)稱M31）近日宣布，已成功攜手高塔半導(dǎo)體（Tower Semiconductor）完成了一項(xiàng)重要合作——共同研發(fā)出基于65納米制程的先進(jìn)SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和ROM（唯讀存儲(chǔ)器）IP產(chǎn)品。此次合作不僅標(biāo)志著雙方在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的深度合作邁出了堅(jiān)實(shí)的一步，也為市場(chǎng)帶來(lái)了更為高效、低功耗的存儲(chǔ)器解決方案。
據(jù)悉，該65納米制程的SRAM和ROM IP產(chǎn)品，結(jié)合了M31在矽智財(cái)設(shè)計(jì)領(lǐng)域的深厚積累與高塔半導(dǎo)體在先進(jìn)制程技術(shù)上的卓越能力，實(shí)現(xiàn)了性能與功耗的完美平衡。尤為值得一提的是，該系列產(chǎn)品還采用了低功耗Analog FET（類比場(chǎng)效電晶體）設(shè)計(jì)的電路架構(gòu)，有效滿足了SoC（系統(tǒng)級(jí)芯片）對(duì)低功耗的嚴(yán)格要求，為智能終端、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等領(lǐng)域的應(yīng)用提供了有力支持。
目前，該設(shè)計(jì)模組已順利完成客戶端驗(yàn)證，并獲得廣泛認(rèn)可。未來(lái)，M31與高塔半導(dǎo)體將繼續(xù)深化合作，共同探索半導(dǎo)體技術(shù)的無(wú)限可能，為全球客戶提供更加優(yōu)質(zhì)、高效的半導(dǎo)體解決方案。
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