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HDMI/DP 開關(guān)：支持最新 DP/HDMI 標(biāo)準(zhǔn)、13.5Gbps 高速視頻開關(guān)USB 開關(guān)

霍爾效應(yīng)鎖存器：增加工業(yè)產(chǎn)品應(yīng)用耐用性的高電壓霍爾效應(yīng)鎖存器系列

LED 驅(qū)動(dòng)器：符合汽車規(guī)格*、40V、降壓、調(diào)光 LED 驅(qū)動(dòng)器，使用加強(qiáng)散熱和小尺寸封裝

SiC MOSFET：采用TO263-7封裝、符合汽車規(guī)格的 SiC 1200V MOSFET，可提升子系統(tǒng)效率

產(chǎn)品概述如下

HDMI/DP 開關(guān)：支持最新 DP/HDMI 標(biāo)準(zhǔn)、13.5Gbps 高速視頻開關(guān)

PI3WVR41310 是一款寬電壓、支持多種標(biāo)準(zhǔn)、4 通道的3:1 多路復(fù)用/1:3 解復(fù)用視頻開關(guān)。此器件支持 DisplayPort 2.1 (UHBR13.5)、HDMI 2.1 以及新興和專有的標(biāo)準(zhǔn)?？墒褂?DDC/AUX 和 HPD 通道多路復(fù)用/解復(fù)用引腳，開關(guān) DDC/AUX 和 HPD 信號(hào)。

PI3WVR41310 可傳輸高達(dá) 1.2V 峰值至峰值的高速差分信號(hào)，且 TMDS 信號(hào)的共模電壓范圍為 0 至 VDD。寬廣的電壓范圍可以允許直流耦合多標(biāo)準(zhǔn)工作，無(wú)需交流耦合電容器，因此可以節(jié)省電路板空間，并提高密集 PCB 設(shè)計(jì)的信號(hào)完整性。

低插入損耗、高帶寬，可在13.5Gbps和10GHz下分別維持 -1.8dB和 -3dB 帶寬

低串?dāng)_、關(guān)斷隔離、位至位偏移：

串?dāng)_：6.75GHz 時(shí)為 -38dB

關(guān)斷隔離：6.75GHz 時(shí)為 -28dB

位至位偏移：5ps (典型值)

產(chǎn)品封裝：TQFN(ZL52)

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標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用

霍爾效應(yīng)鎖存器：增加工業(yè)產(chǎn)品應(yīng)用耐用性的高電壓霍爾效應(yīng)鎖存器系列

AH371x 是高電壓、高性能霍爾效應(yīng)鎖存器系列，適用于無(wú)刷直流電機(jī)換向、速度測(cè)量以及增量旋轉(zhuǎn)和線性編碼器/位置傳感器。

這些器件包含六種不同的磁性工作和釋放點(diǎn) (BOP和 BRP)，范圍涵蓋標(biāo)準(zhǔn) ±25 至 ±140 高斯。此全新產(chǎn)品系列具有開漏(Open Drain)輸出，可抵抗物理應(yīng)力，為多種工業(yè)產(chǎn)品應(yīng)用提供解決方案 (AH371xA 集成上拉電阻：AH3712A、AH3713A、AH3714A)。

13μs 快速啟動(dòng)時(shí)間和 5μs 響應(yīng)時(shí)間，為 BLDC 電機(jī)的轉(zhuǎn)子換向(Rotor Commutation)提供更快、更好的定位感測(cè)準(zhǔn)確度

電壓輸入范圍：3V 至 27V

溫度范圍：-40°C 至 +125°C

產(chǎn)品封裝：SC59、SOT23 (S 型) 及 SIP-3 (散裝)

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LED 驅(qū)動(dòng)器：符合汽車規(guī)格*、40V、降壓、調(diào)光 LED 驅(qū)動(dòng)器，使用加強(qiáng)散熱和小尺寸封裝

AL8841Q 是一款遲滯模式(Hysteretic Mode) DC-DC 降壓 LED 驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于從高于 LED 電壓的電壓來(lái)源高效驅(qū)動(dòng)單一或多個(gè)串聯(lián) LED。該器件的工作輸入電壓為 4.5V 至 40V，并提供外部可調(diào)節(jié)輸出電流，TSOT25 封裝版本的電流高達(dá) 1A，而 MSOP-8EP 封裝版本則為 1.5A。

該器件的 CTRL 引腳可接受直流模擬電壓信號(hào)或 PWM 數(shù)字信號(hào)，可以輕易調(diào)整 LED 亮度。該引腳還能用于調(diào)整 AL8841Q 的軟啟動(dòng)時(shí)間，可使用 CTRL 與接地之間的外部電容進(jìn)行調(diào)整。當(dāng)CTRL 引腳上的電壓達(dá)到 0.3V 或更低時(shí)會(huì)停止器件開關(guān)功能，但不會(huì)讓器件進(jìn)入低功率待機(jī)狀態(tài)，因此具有比 AL8860Q/61Q更快的 PWM 調(diào)光反應(yīng)。

輸入電壓：4.5V 至 40V (可在整個(gè) 12V 電池范圍內(nèi)工作)

集成低 200mΩ RDS(on)功率的 MOSFET ，可達(dá)到高至 97% 的效率

支持 PWM 或模擬調(diào)光

產(chǎn)品封裝：MSOP-8EP (散熱增強(qiáng)) 和 TSOT25 (小尺寸)

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SiC MOSFET：采用TO263-7封裝、符合汽車規(guī)格的 SiC 1200V MOSFET，可提升子系統(tǒng)效率

DMWSH120H90SCT7Q 是 Diodes 公司首款符合汽車規(guī)格的碳化硅 (SiC) MOSFET，采用 T0263-7 封裝。此器件具有高功率密度和效率，可進(jìn)行雙向充電，并可顯著降低電動(dòng)和混合動(dòng)力車 (EV/HEV) 汽車子系統(tǒng)中 DCDC 和車載充電 (OBC) 的系統(tǒng)成本。

DMWSH120H90SCT7Q使用 +15/-4V 的柵-源極電壓 (Vgs) ，可在最高1200VDS安全可靠地工作。該器件的 RDS(ON)為 75mΩ (典型值)，并具有快速且耐用的體二極管(Body Diodes)，可提供快速開關(guān) (tRR) 和低反向恢復(fù)電荷 QRR，將高頻下的開關(guān)損耗降至極低。

TO263 封裝有7 個(gè)引腳，RθJC為 0.76°/C，漏極電流可達(dá)到 38A，并且具有一個(gè)凱氏(Kelvin)感測(cè)引腳。當(dāng)連接至源極引腳時(shí)，此感測(cè)引腳可以更好控制柵極，優(yōu)化器件性能。

低 RDS(ON) 搭配低 Qg ，可讓系統(tǒng)設(shè)計(jì)者極大提升效率，同時(shí)確保極低功耗

低 RthJC(0.76C/W) ，可達(dá)到最高 38A 的漏極電流

產(chǎn)品封裝：TO263-7 (具有凱氏感測(cè)引腳)