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SIM卡靜電放電防護方案

靜芯微 ? 來源:jf_65561982 ? 作者:jf_65561982 ? 2024-08-13 15:04 ? 次閱讀

方案簡介

SIM卡,全稱為“用戶識別模塊”(Subscriber Identity Module),是移動通信網絡中用于存儲用戶簽約信息智能卡。SIM卡內部包含有大規(guī)模集成電路,卡片內部存儲了數字移動電話客戶的信息、加密密鑰等內容。當手機開機時,手機會讀取SIM卡中的信息,并將其發(fā)送給網絡運營商進行身份驗證。驗證通過后,用戶即可享受網絡運營商提供的各種服務。一旦SIM卡從手機拔出,除了緊急呼叫外,手機將無法享受網絡運營者提供的各種服務。

由于使用手機的過程中可能會出現插拔SIM卡的操作,有可能會帶來ESD損害,導致手機部分功能失效。怎么讓產品穩(wěn)定可靠的運行,成為我們迫切需要處理的問題,常規(guī)的ESD靜電防護器件可能會影響數據的傳輸,造成音質失真等現象;此方案采用集成多路ESD靜電二極管防護元器件,具有導通電壓精度高、響應速度快、寄生電容值低、鉗位電壓低的特性,在不影響數據傳輸的前提下滿足IEC61000-4-2 Level 4靜電放電防護需求,且做到成本最優(yōu)化。

引腳配置

wKgZoma7BSOALwI0AACYG7pKJ3U406.png

Pin 名稱 功能描述 Pin 名稱 功能描述
1 VCC 電源輸入 2 RST 復位信號輸入
3 CLK 時鐘信號輸入 4 GND
5 VPP 編程電壓輸入 6 IO 串行數據輸入/輸出

按照SIM卡標準協(xié)議,SIM卡支持4種等級:Class A、Class B、Class C、Class D。其中前三類的數值符合 ISO/IEC 7816-3 [11],根據使用和儲存溫度進行分類:Class A(-40 °C to +85 °C)、Class B(-40 °C to +105 °C)、Class C(-40 °C to +125 °C),Class D是 ISO/IEC 7816-3 [11]中規(guī)定值的進一步發(fā)展。不同等級的VCC電壓不一樣,如下表所示:

Symbol Minimum Maximum Unit Class
Vcc 4.5 5.5 V A
Vcc 2.7 3.3 V B
Vcc 1.62 1.98 V C
Vcc 1.1 1.3 V D

應用示例

wKgZoma7BTOASGvXAAAn6db3_z0243.png

針對SIM卡的靜電防護方案,我們提供三款防護器件,可選擇SEUC236T5V4U 、SEUC236T5V4UB或SEUC236T5V4UC作為ESD防護器件。三款器件都為集成多路ESD靜電二極管防護元件,可同時保護SIM卡的五個引腳免受靜電放電(ESD)和低等級浪涌事件的沖擊與干擾。

三款器件都為低電容低鉗位電壓ESD保護器件,封裝都為SOT-23-6L,工作電壓都為5V,且符合IEC 61000-4-2 (ESD) Level 4規(guī)范,在 ±15kV(空氣)和 ±8kV(接觸)下提供瞬變保護。客戶可根據SIM卡的實際情況選擇器件。

型號參數

規(guī)格型號 方向 工作電壓(V) IPP(A) 鉗位電壓(V) 結電容(pF) 封裝
SEUC236T5V4U Uni. 5 4.5 12 0.6 SOT-23-6L
SEUC236T5V4UB Uni. 5 5.5 14 0.6 SOT-23-6L
SEUC236T5V4UC Uni. 5 15 22 1.5 SOT-23-6L

電氣特性表

At TA = 25℃ unless otherwise noted

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off Voltage VRWM 5.0 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA 6.0 V
Reverse Leakage Current IR VRWM=5V 1.0 uA
Clamping Voltage VC IPP=1A; tp=8/20us 9.0 11.0 V
Clamping Voltage VC IPP=4.5A; tp=8/20us 12.0 15.0 V
Junction Capacitance CJ I/O to GND; VR=0V; f=1MHz 0.6 1.0 pF
Between I/O; VR=0V; f=1MHz 0.3 0.5 pF

表1SEUC236T5V4U電氣特性表

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off Voltage VRWM 5.0 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA 6.0 V
Reverse Leakage Current IR VRWM=5V 1.0 uA
Clamping Voltage VC IPP=1A; tp=8/20us 10.0 12.0 V
Clamping Voltage VC IPP=5.5A; tp=8/20us 14.0 17.0 V
Junction Capacitance CJ I/O to GND; VR=0V; f=1MHz 0.6 1.0 pF
Between I/O; VR=0V; f=1MHz 0.3 0.5 pF

表2SEUC236T5V4UB電氣特性表

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off Voltage VRWM 5.0 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA 6.0. V
Reverse Leakage Current IR VRWM=5V 10 uA
Clamping Voltage VC IPP=1A; tp=8/20us 10.0 12.0 V
Clamping Voltage VC IPP=15A; tp=8/20us 22.0 25.0 V
Junction Capacitance CJ I/O to GND; VR=0V; f=1MHz 1.5 2.0 pF
Between I/O; VR=0V; f=1MHz 0.75 1.0 pF

表3SEUC236T5V4UB電氣特性表

總結與結論

由于SIM卡在移動通信和數字經濟發(fā)展中的重要作用,保護SIM卡免受ESD靜電損害極為關鍵。ELECSUPER SEMI研發(fā)各種低電容低鉗位電壓的ESD保護器件,可按照客戶需求性能與封裝提供定制化開發(fā)服務,為各種接口提供值得信賴的保護器件。以上解決方案是保護SIM卡的優(yōu)選之策,確保移動通信的正常運行。

審核編輯 黃宇

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