SK海力士近日宣布了一項重要計劃，即開發(fā)采用4F2結(jié)構(gòu)（垂直柵）的DRAM。這一決策緊跟其競爭對手三星的步伐，標志著SK海力士在DRAM制造領(lǐng)域的新探索。SK海力士研究員表示，隨著極紫外（EUV）工藝成本的不斷攀升，自1c DRAM商業(yè)化以來，傳統(tǒng)制造工藝的經(jīng)濟性正受到嚴峻挑戰(zhàn)。因此，公司決定嘗試4F2結(jié)構(gòu)DRAM，旨在通過技術(shù)創(chuàng)新來縮減成本。

4F2結(jié)構(gòu)DRAM作為一種先進的內(nèi)存制造技術(shù)，通過垂直堆疊晶體管來優(yōu)化單元陣列結(jié)構(gòu)，有效減少了芯片表面積，提升了制造效率。SK海力士此舉不僅體現(xiàn)了其對技術(shù)前沿的敏銳洞察，也彰顯了公司在面對成本壓力時的靈活應(yīng)對能力。未來，隨著4F2結(jié)構(gòu)DRAM的推出，SK海力士有望進一步提升市場競爭力，推動行業(yè)成本優(yōu)化和技術(shù)進步。