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      2.5nH超低電感的1200V SiC MOSFET三相全橋模塊

      h1654155960.2120 ? 來源：h1654155960.2120 ? 作者：h1654155960.2120 ? 2024-09-18 17:18 ? 次閱讀

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      產(chǎn)品優(yōu)勢及應用

      該模塊采用創(chuàng)新封裝和三相全橋設計，內(nèi)置1200V碳化硅MOSFET和熱敏電阻，雜散電感低至2.5nH，工作安全穩(wěn)定。工作電源電壓可達900V-1000V，工作頻率可達30kHz，輸出功率可達300kW。LPD模塊具有耐久、安全的性能優(yōu)勢，性價比超國外產(chǎn)品，適用于電動汽車、氫能源汽車、高速電機驅動、光伏風能發(fā)電等領域。

      1 應用領域：

      電動汽車，氫能源汽車，高速電機驅動，光伏風能逆變，電網(wǎng)濾波。

      2 產(chǎn)品特點：

      三項全橋設計

      內(nèi)置 1200V SiC MOSFET，

      內(nèi)置熱敏電阻

      模塊雜散電感 2.5nH

      超低開關損耗

      工作電源電壓大于 900V

      工作節(jié)溫 175°C

      銅 Pin-Fin 底板直接水冷散熱

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      模塊電路及結構圖

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      模塊及驅動板實物圖

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      • MOSFET
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      • SiC
        SiC
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