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芯片制造是當(dāng)今世界最為復(fù)雜的工藝過程。這是一個(gè)由眾多頂尖企業(yè)共同完成的一個(gè)復(fù)雜過程。本文努力將這一工藝過程做一個(gè)匯總，對(duì)這個(gè)復(fù)雜的過程有一個(gè)全面而概括的描述。

半導(dǎo)體制造工藝過程非常多，據(jù)說有幾百甚至幾千個(gè)步驟。這不是夸張的說法，一個(gè)百億投資的工廠做的可能也只是其中的一小部分工藝過程。對(duì)于這么復(fù)雜的工藝，本文將分成五個(gè)大類進(jìn)行解說：晶圓制造、光刻蝕刻、離子注入、薄膜沉積、封裝測試。

晶圓制造(Wafer Manufacturing）又可分為以下5 個(gè)主要過程：

（1）拉晶Crystal Pulling

?

?注入高純氬氣的惰性氣體

?將單晶硅“種子”放入熔體中，并在“拔出”時(shí)緩慢旋轉(zhuǎn)。

?

（2）晶圓切片 （Wafer slicing）

用精密的“鋸(Saw)”將硅錠切成獨(dú)立的晶圓。

（3）晶圓研磨、侵蝕（Wafer lapping，etching）

? 切片的晶圓片使用旋轉(zhuǎn)研磨機(jī)和氧化鋁漿料進(jìn)行機(jī)械研磨，使晶圓片表面平整、平行，減少機(jī)械缺陷。

?然后在氮化酸/乙酸溶液中蝕刻晶圓，以去除微觀裂紋或表面損傷，然后進(jìn)行一系列高純度RO/DI水浴。

(4) 硅片拋光、清洗 (Wafer polishing and Cleaning)

?接下來，晶圓在一系列化學(xué)和機(jī)械拋光過程中拋光，稱為CMP(Chemical Mechanical Polish)。

?拋光過程通常包括兩到三個(gè)拋光步驟，使用越來越細(xì)的漿液和使用RO/DI水的中間清洗。

?使用SC1溶液(氨，過氧化氫和RO/DI水)進(jìn)行最終清洗，以去除有機(jī)雜質(zhì)和顆粒。然后，用HF除去天然氧化物和金屬雜質(zhì)，最后SC2溶液使超干凈的新的天然氧化物在表面生長。

(5)晶片外延加工 (Wafer epitaxial processing)

?外延工藝(EPI)被用來在高溫下從蒸汽生長一層單晶硅到單晶硅襯底上。

?氣相生長單晶硅層的工藝被稱為氣相外延(VPE)。

SiCl4 + 2H2Si + 4HCl

該反應(yīng)是可逆的，即如果加入HCl，硅就會(huì)從晶圓片表面蝕刻出來。

另一個(gè)生成Si的反應(yīng)是不可逆的:

SiH4→Si + 2H2(硅烷)

? EPI生長的目的是在襯底上形成具有不同(通常較低)濃度的電活性摻雜劑的層。例如，p型晶圓片上的N型層。

?約為晶圓片厚度的3%。

?對(duì)后續(xù)晶體管結(jié)構(gòu)無污染。

近年大量提及的光刻機(jī)，只是眾多工藝設(shè)備中的一個(gè)。即使是光刻，也有很多的工藝過程和設(shè)備。

（1）光刻膠涂層Photoresist coating

光刻膠是一種光敏材料。將少量光刻膠液體加在晶圓片上。晶圓片在1000到5000 RPM的速度下旋轉(zhuǎn)，將光刻膠擴(kuò)散成2到200um厚的均勻涂層。

光刻膠有兩種類型:負(fù)膠和正膠。

正膠：暴露于光下可以分解復(fù)雜的分子結(jié)構(gòu)，使其易于溶解。

負(fù)膠：曝光使分子結(jié)構(gòu)變得更復(fù)雜，更難以溶解。

每個(gè)光刻步驟所涉及的步驟如下

?清潔晶圓片

?沉積屏障層SiO2，Si3N4，金屬

?涂上光刻膠

?軟烤

?對(duì)齊蒙版

?圖形曝光

?顯影

?烘焙

?蝕刻

?去除光刻膠

（2）圖案準(zhǔn)備Pattern Preparation

IC設(shè)計(jì)人員使用CAD軟件設(shè)計(jì)每層的圖案。然后使用激光圖案發(fā)生器或電子束將圖案轉(zhuǎn)移到具有圖案的光學(xué)透明石英襯底(模板)上。

（3）圖案轉(zhuǎn)移（曝光）

這里使用光刻機(jī)，將圖案從模板上，投影復(fù)制到芯片層板上。

（4）顯影、烘烤

?曝光后，晶圓片在酸溶液或堿溶液中顯影，以去除光刻膠的暴露區(qū)域。

?一旦除去暴露的光刻膠，晶圓片將在低溫下“烘烤”以硬化剩余的光刻膠。

（1）濕式和干式蝕刻

?在大型濕平臺(tái)上進(jìn)行化學(xué)蝕刻。

?不同類型的酸，堿和苛性堿溶液用于去除不同材料的選定區(qū)域。

? BOE，或緩沖氧化物蝕刻劑，由氟化銨緩沖的氫氟酸制備，用于去除二氧化硅，而不會(huì)蝕刻掉底層的硅或多晶硅層。

?磷酸用于蝕刻氮化硅層。

?硝酸用來蝕刻金屬。

?用硫酸去除光刻膠。

?對(duì)于干式蝕刻，晶圓片被放置在蝕刻室中，通過等離子體進(jìn)行蝕刻。

?人員安全是首要問題。

?許多晶圓廠使用自動(dòng)化設(shè)備執(zhí)行蝕刻過程。

（2）抗蝕劑剝離

然后光刻膠完全從晶圓上剝離，在晶圓上留下氧化物圖案。

（3）離子注入

?離子注入改變晶圓片上現(xiàn)有層內(nèi)精確區(qū)域的電特性。

?離子注入器使用高電流加速器管和轉(zhuǎn)向聚焦磁鐵，用特定摻雜劑的離子轟擊晶圓表面。

?當(dāng)摻雜化學(xué)物質(zhì)沉積在表面并擴(kuò)散到表面時(shí)，氧化物充當(dāng)屏障。

?將硅表面加熱到900℃來進(jìn)行退火，注入的摻雜離子進(jìn)一步擴(kuò)散到硅片中。

薄膜沉積的方式和內(nèi)容也比較多，下面逐個(gè)說明：

（1）氧化硅

當(dāng)硅在氧氣中存在時(shí)，SiO2會(huì)熱生長。氧氣來自氧氣或水蒸氣。環(huán)境溫度要求為900 ~ 1200℃。發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)是

Si + O2→SiO2

Si +2H2O —> SiO2 + 2H2

選擇性氧化后的硅片表面如下圖所示:

氧氣和水都會(huì)通過現(xiàn)有的SiO2擴(kuò)散，并與Si結(jié)合形成額外的SiO2。水(蒸汽)比氧氣更容易擴(kuò)散，因此蒸汽的生長速度要快得多。

氧化物用于提供絕緣和鈍化層，形成晶體管柵極。干氧用于形成柵極和薄氧化層。蒸汽被用來形成厚厚的氧化層。絕緣氧化層通常在1500nm左右，柵極層通常在200nm到500nm間。

（2）化學(xué)氣相沉積Chemical Vapor Deposition

化學(xué)氣相沉積(CVD)通過熱分解和/或氣體化合物的反應(yīng)在襯底表面形成薄膜。

CVD反應(yīng)器有三種基本類型:

?大氣化學(xué)氣相沉積

?低壓CVD (LPCVD)

?等離子增強(qiáng)CVD (PECVD)

低壓CVD工藝示意圖如下圖所示。

CVD的主要有下面幾種反應(yīng)過程

i). 多晶硅 Polysilicon

SiH4 —> Si + 2H2(600℃)

沉積速度 100 - 200 nm/min

可添加磷(磷化氫)、硼(二硼烷)或砷氣體。多晶硅也可以在沉積后用擴(kuò)散氣體摻雜。

ii). 二氧化硅Dioxide

SiH4 + O2→SiO2 + 2H2 (300 - 500℃)

SiO2用作絕緣體或鈍化層。通常添加磷是為了獲得更好的電子流動(dòng)性能。

iii). 氮化硅 Siicon Nitride

3SiH4 + 4NH3 —> Si3N4 + 12H2

(硅烷) (氨) (氮化物)

（3）濺射

目標(biāo)被高能離子如Ar+轟擊，目標(biāo)中的原子將被移動(dòng)并輸送到基材上。

金屬如鋁、鈦可以用作靶材。

（4）蒸鍍

Al或Au(金)被加熱到蒸發(fā)點(diǎn)，蒸汽將凝結(jié)并形成覆蓋晶圓片表面的薄膜。

下面用一個(gè)案例，來詳細(xì)說明一下光刻、蝕刻，到離子沉積的過程中，硅片上的電路是如何一步步成型的：

（1）晶圓測試Probe Test

在最終線路制備完成后，使用自動(dòng)化探針測試方法測試晶圓上測試器件，剔除不良品。

（2） 晶圓切割Wafer Dicing

探針測試后，晶圓片被切成單個(gè)的芯片。

（3） 接線、封裝

?單個(gè)芯片連接到引線框架，鋁或金引線通過熱壓縮或超聲波焊接連接。

?通過將設(shè)備密封到陶瓷或塑料包裝中來完成包裝。

?多數(shù)芯片還需要經(jīng)過最后的功能測試，才會(huì)送到下游用戶手上。

微電子封裝切割熔錫失效分析及對(duì)策

方欣

華潤安盛科技有限公司

摘要：

熔錫是微電子封裝QFN（Quad Flat No-leads Package，方形扁平無引腳封裝）產(chǎn)品在切割生產(chǎn)過程中的核心質(zhì)量不良，是導(dǎo)致產(chǎn)品可焊性失效的關(guān)鍵風(fēng)險(xiǎn)點(diǎn)。本文針對(duì)QFN封裝產(chǎn)品的切割生產(chǎn)過程進(jìn)行熔錫失效的原因分析和對(duì)策探討。

0引言

QFN封裝切割的工藝特點(diǎn)是通過高速旋轉(zhuǎn)的切割刀片將整條料片切割分離成單顆的產(chǎn)品。在切割生產(chǎn)過程中，刀片和產(chǎn)品本身容易受到切削高溫的影響，使產(chǎn)品引腳表面的錫層發(fā)生異常熔化，這一現(xiàn)象通常稱為切割熔錫。由于熔錫不良會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品可焊性失效，這在微電子封裝生產(chǎn)過程中屬于嚴(yán)重的質(zhì)量不良。因此，解決QFN產(chǎn)品的切割熔錫問題顯得非常重要，本文著重分析微電子QFN封裝產(chǎn)品在切割過程中的熔錫成因和探討其控制方法。

1切割熔錫的成因

1.1 QFN切割工藝簡述

通常，QFN產(chǎn)品在封裝后道的工藝流程如下：

塑封→電鍍→后烘→打印→切割

其中，QFN封裝產(chǎn)品切割工藝如圖1所示，整條料片通過刀片旋轉(zhuǎn)切割分離成單顆的產(chǎn)品。切割移動(dòng)過程中，刀片表面和產(chǎn)品表面錫層同時(shí)采用冷卻水進(jìn)行噴射降溫處理，以降低刀片和產(chǎn)品所產(chǎn)生的切削高溫，避免產(chǎn)品造成切割熔錫等質(zhì)量不良。

1.2切割熔錫失效的成因及特征

（1）當(dāng)傳遞到產(chǎn)品切割面的切削溫度高于純錫的熔點(diǎn)溫度232℃時(shí)，QFN封裝產(chǎn)品切割面的引腳則有熔錫的風(fēng)險(xiǎn)；

（2）當(dāng)傳遞到產(chǎn)品切割面的切削溫度低于純錫的熔點(diǎn)溫度232℃時(shí)，QFN封裝產(chǎn)品切割面的引腳則沒有熔錫的風(fēng)險(xiǎn)。

根據(jù)成因分析可知，切割熔錫失效主要是由于切割刀片傳遞到產(chǎn)品引腳表面錫層的溫度超過了純錫的熔點(diǎn)。根據(jù)熔錫位置不同，QFN封裝產(chǎn)品切割熔錫失效有兩種特征：

如圖2，產(chǎn)品引腳錫層產(chǎn)生局部的熔錫失效：

如圖3，產(chǎn)品引腳錫層產(chǎn)生整體的熔錫失效：

1.3熔錫失效的不良后果

在QFN封裝產(chǎn)品從整條料片切割成單顆產(chǎn)品的生產(chǎn)過程中，當(dāng)切削所釋放出來的溫度高于產(chǎn)品錫層熔點(diǎn)時(shí)，產(chǎn)品引腳表面的錫層會(huì)產(chǎn)生熔化。這樣會(huì)造成引腳錫層脫落、銅層裸露氧化的現(xiàn)象，使產(chǎn)品在PCB板、電路板等焊接應(yīng)用的過程中，產(chǎn)生引腳虛焊、脫焊、短路等可焊性失效的質(zhì)量異常。

綜上所述，切割熔錫失效將直接造成產(chǎn)品可焊性失效的問題，這在電子元器件生產(chǎn)應(yīng)用中是重要的質(zhì)量隱患。因此，控制切割熔錫是微電子QFN封裝生產(chǎn)的一個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)，我們從切割工藝設(shè)計(jì)和設(shè)備應(yīng)用的角度來實(shí)驗(yàn)分析，針對(duì)影響切割熔錫的風(fēng)險(xiǎn)因素進(jìn)行相應(yīng)的對(duì)策探討。

2切割熔錫的風(fēng)險(xiǎn)點(diǎn)分析

如表1所示，通過人、機(jī)、料、法、環(huán)五個(gè)維度來分析整體料片切割成單顆產(chǎn)品的過程，識(shí)別出QFN封裝切割過程中的熔錫風(fēng)險(xiǎn)點(diǎn)。

從分析可知，切割熔錫的過程風(fēng)險(xiǎn)因素中，人員方面、設(shè)備本身、生產(chǎn)工藝方法、生產(chǎn)環(huán)境所造成產(chǎn)品切割熔錫的風(fēng)險(xiǎn)低，基本不會(huì)產(chǎn)生切割熔錫的問題。料片、切割刀片產(chǎn)生切割熔錫的風(fēng)險(xiǎn)中等，在其選型方面，應(yīng)遵循料片和刀片材料在常規(guī)的切割工藝條件下，本身不會(huì)造成切割熔錫這一原則。而設(shè)備噴嘴、供給冷卻水直接作用于料片和刀片的表面，是切割熔錫的高風(fēng)險(xiǎn)因素，也是解決和控制切削高溫造成切割熔錫的關(guān)鍵點(diǎn)。我們著重對(duì)噴嘴和冷卻水這兩個(gè)因素進(jìn)行分析和探討。

3冷卻水的影響

3.1冷卻水的溫度過高

冷卻水溫度是影響切割熔錫失效的關(guān)鍵因素，在產(chǎn)品切割過程中，控制切割冷卻水的溫度至關(guān)重要。如圖4所示，為冷卻水溫度對(duì)產(chǎn)品熔錫的影響趨勢分析。由批量生產(chǎn)驗(yàn)證數(shù)據(jù)得知，隨著冷卻水溫度的升高，產(chǎn)品熔錫的風(fēng)險(xiǎn)比例越高，熔錫數(shù)量也逐步增加；而水溫越低，產(chǎn)品熔錫的風(fēng)險(xiǎn)越小，熔錫的比例越少。結(jié)合廠務(wù)動(dòng)力成本和產(chǎn)品品質(zhì)來綜合考慮，切割冷卻水的輸出溫度控制在10±2℃，能夠有效降低切割熔錫的風(fēng)險(xiǎn)，且較為經(jīng)濟(jì)合理。

3.2冷卻水的流量過小

3.2.1冷卻水流量的區(qū)間控制

如表2所示，在水溫條件穩(wěn)定的情況下，采用大小不同的水流量進(jìn)行產(chǎn)品切割實(shí)驗(yàn)分析。從數(shù)據(jù)分析可以看出，異常的水流量大小，會(huì)產(chǎn)生刀片崩刀、切割偏移、切割熔錫等質(zhì)量不良。當(dāng)切割冷卻水流量過小時(shí)，切割刀片所產(chǎn)生的高溫不能及時(shí)降低而傳遞到產(chǎn)品引腳的錫層面，導(dǎo)致切割熔錫的問題。理論上，切割冷卻水流量越大其冷卻效果越好，在實(shí)際應(yīng)用過程中，應(yīng)綜合考慮如水流量過大容易造成刀片崩刀、產(chǎn)品位移切偏等不良因素。從實(shí)驗(yàn)結(jié)果可知，切割冷卻水流量控制在1.0-2.0L/Min這一區(qū)間相對(duì)穩(wěn)定可靠。

3.2.2冷卻水流量的穩(wěn)定性控制

如上述分析可知，噴嘴出水流量的大小會(huì)影響到切割熔錫失效的比例，因此冷卻水流量輸出的穩(wěn)定性也是非常關(guān)鍵的一個(gè)控制點(diǎn)。在實(shí)際應(yīng)用過程中，水流量穩(wěn)定性控制可從動(dòng)力供給和設(shè)備裝置兩方面來考慮。動(dòng)力供給方面，可優(yōu)先選用潔凈度等級(jí)高于普通自來水的純水，并在設(shè)備冷卻水的進(jìn)水口安裝過濾器裝置來提高冷卻水水質(zhì)的穩(wěn)定性。而設(shè)備裝置方面，可采用電子流量計(jì)控制的設(shè)計(jì)方式來輸出冷卻噴射水的水流量，通過設(shè)定輸出目標(biāo)值，自動(dòng)監(jiān)測和自動(dòng)識(shí)別補(bǔ)償實(shí)際出水供給的水流量大小。相比較傳統(tǒng)的機(jī)械流量計(jì)而言，電子流量計(jì)能夠自動(dòng)調(diào)節(jié)控制，自動(dòng)修復(fù)水流波動(dòng)、管路堵塞等供給不穩(wěn)定的因素，可提前預(yù)防水流量異常的問題，提升冷卻系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

4噴嘴的影響

噴嘴是切割冷卻水的傳輸裝置，它將切割冷卻水均勻地噴射到刀片和產(chǎn)品的表面，使刀片和產(chǎn)品在切割過程中的有限空間實(shí)現(xiàn)快速降溫。針對(duì)噴嘴的設(shè)計(jì)應(yīng)用，應(yīng)從噴嘴冷卻的均勻性、噴射的覆蓋面積、排屑的有效性這三個(gè)方面來考慮，以避免產(chǎn)品切割熔錫的風(fēng)險(xiǎn)。

4.1噴嘴的功能結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

實(shí)際應(yīng)用中，刀片兩側(cè)的刃口通常需要實(shí)現(xiàn)瞬間降溫，以滿足各種QFN產(chǎn)品尺寸、材料類別的加工需求。特別是在切割有特殊工藝要求、熔錫敏感的產(chǎn)品時(shí)，提升刀片和產(chǎn)品的冷卻效果尤為重要。

如圖5所示，在A點(diǎn)部位設(shè)計(jì)90°垂直于刀片表面的噴嘴裝置，可提升噴嘴傳輸冷卻水的有效性，使冷卻水有效地作用于刀片，起到良好的刀片冷卻效果。同時(shí)，還可在B點(diǎn)部位設(shè)計(jì)帶有60°扇形角度的產(chǎn)品噴嘴裝置，這樣能夠?qū)Ξa(chǎn)品的引腳表面及切割槽深度同步進(jìn)行噴射冷卻。這樣的設(shè)計(jì)方式提高了產(chǎn)品切割的排屑能力，且大幅度提升了設(shè)備冷卻系統(tǒng)的兼容能力，降低了切割熔錫的風(fēng)險(xiǎn)。

如表3所示，從噴嘴功能設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)分析的結(jié)果可以看出：實(shí)驗(yàn)4，在A部位的刀片區(qū)域、B部位的產(chǎn)品切割區(qū)域采用雙路冷卻水噴嘴裝置的設(shè)計(jì)，其降溫冷卻效果明顯，質(zhì)量控制最為穩(wěn)定，產(chǎn)品沒有切割熔錫不良的問題。而實(shí)驗(yàn)1、2、3，不采用冷卻噴嘴裝置或采用單一的噴嘴功能設(shè)計(jì)，產(chǎn)品的冷卻效果均存在一定的局限性，在切割特定產(chǎn)品或特殊工藝條件下，均有切割熔錫的質(zhì)量不良。

從實(shí)驗(yàn)結(jié)果得知，設(shè)備噴嘴采用雙路冷卻的功能設(shè)計(jì)，能夠提升切割不同產(chǎn)品的兼容能力，提升切割效率，減少切割熔錫失效的風(fēng)險(xiǎn)。

4.2噴嘴口的形狀設(shè)計(jì)

噴嘴的噴射口采用不同的形狀設(shè)計(jì)，其作用效果有很大差別。如表4所示，切割冷卻噴嘴的噴射口采用3種不同的形狀設(shè)計(jì)，其冷卻效果和熔錫風(fēng)險(xiǎn)明顯不同。具體如下：

1、采用聯(lián)排孔形狀的設(shè)計(jì)方式，噴射出水為圓柱形狀。該形狀設(shè)計(jì)的噴水集中作用于刀片局部的固定區(qū)域，刀片局部面積受到水壓的沖擊力較大。在實(shí)際應(yīng)用中，其崩刀風(fēng)險(xiǎn)高，且噴射覆蓋的面積小，整體的冷卻效果差，熔錫的風(fēng)險(xiǎn)高。

2、采用“一”字形狀的設(shè)計(jì)，噴射出水為直線形狀。整體的冷卻效果比聯(lián)排孔設(shè)計(jì)好，噴射覆蓋面積、崩刀和熔錫風(fēng)險(xiǎn)有明顯的改善。

3、采用“I”字形狀的設(shè)計(jì)，噴射出水為扇面形狀。該結(jié)構(gòu)形狀設(shè)計(jì)的噴嘴呈扇形霧狀的形態(tài)噴射，因此降低了水壓對(duì)于產(chǎn)品和刀片的沖擊力，減少了切偏和崩刀的風(fēng)險(xiǎn)。同時(shí)，出水呈扇面形狀噴射，其噴射覆蓋面積廣，能夠?qū)⒗鋮s水有效地噴射到刀片和產(chǎn)品所需降溫的全部區(qū)域，這樣就大幅度地提升了冷卻效果，產(chǎn)品熔錫風(fēng)險(xiǎn)則明顯降低。

通過實(shí)驗(yàn)對(duì)比，刀片冷卻噴嘴采用“I”字形狀的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，其實(shí)用性最好。應(yīng)用到實(shí)際生產(chǎn)中，能夠有效降低切割熔錫等質(zhì)量隱患，從而提升QFN封裝切割的穩(wěn)定性。

5切割熔錫失效的管控

針對(duì)切割熔錫的控制，可以從廠務(wù)動(dòng)力供給布局、產(chǎn)品工藝流程管控、設(shè)備功能結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)等方面來考慮。

1、建立廠務(wù)動(dòng)力車間，采用冷水機(jī)等制冷設(shè)備將常溫的切割水降低到切割工藝所需的水溫。盡可能縮短冷卻水輸入和輸出管道的距離，并采用隔熱保溫棉包裹，減少水溫在傳輸過程中的熱量消耗，確保冷卻水的供給溫度穩(wěn)定且可控制。

2、建立新產(chǎn)品、新材料的風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估流程。根據(jù)產(chǎn)品生產(chǎn)評(píng)估結(jié)果，將切割參數(shù)、工藝條件、生產(chǎn)要求等制定標(biāo)準(zhǔn)作業(yè)流程。針對(duì)核心風(fēng)險(xiǎn)點(diǎn)進(jìn)行分級(jí)授權(quán)管控，避免量產(chǎn)時(shí)造成切割熔錫失效。

3、在設(shè)備設(shè)計(jì)層面，將應(yīng)用穩(wěn)定的噴嘴機(jī)構(gòu)等備件圖紙進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化。同步上傳系統(tǒng)存檔并更新到設(shè)備技術(shù)協(xié)議，為后續(xù)新購設(shè)備提供技術(shù)參考。

4、影響切割熔錫的核心備件，如刀架噴嘴、刀片等，建立安裝調(diào)試和維護(hù)技能培訓(xùn)指導(dǎo)書，培訓(xùn)工程技術(shù)人員，提高設(shè)備切割熔錫的管控能力。

5、冷卻水輸出設(shè)備、傳輸管路、過濾裝置、噴嘴裝置等硬件設(shè)施，制定預(yù)防性維護(hù)要求和管理周期。定期對(duì)影響切割熔錫的部件進(jìn)行數(shù)據(jù)跟蹤、功能檢查，定期維護(hù)保養(yǎng)及更換。

6結(jié)束語

微電子封裝QFN產(chǎn)品的外形結(jié)構(gòu)緊湊，體積小、重量輕、電性能和散熱性好，因此多應(yīng)用于集成度相對(duì)較高的高端電子產(chǎn)品中。根據(jù)其方形扁平的形狀特點(diǎn)，整條料片分離成單顆的電路產(chǎn)品，通常采用效率高、成本低的切割工藝。本文是基于切割工藝生產(chǎn)中的切割熔錫失效現(xiàn)狀，從實(shí)際應(yīng)用和設(shè)計(jì)的角度給予分析和對(duì)策探討，以供參考。

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