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et技術方案為全面屏智能手機解決耗電快困擾

Qorvo半導體 ? 來源:互聯(lián)網(wǎng) ? 作者:佚名 ? 2017-11-21 07:50 ? 次閱讀

智能手機在今年正式進入全面屏之年,而智能手機的電池續(xù)航時間迎來了更巨大的挑戰(zhàn)。智能手機中的鋰聚合物電池無法滿足高要求用戶不斷增長的需求,越來越大的屏幕尺寸和越來越多的需要顯示屏常亮應用,例如視頻、導航、游戲等正給移動設備的電池續(xù)航時間帶來越來越大的壓力。

未來,智能手機的平均屏幕尺寸將達到5.5英寸至6英寸之間的峰值,屏幕增大后電池容量和體積也需要隨之增大。反映到智能手機 PCB 板上,留給其他組件的物理空間越來越小。電池容量雖然仍有提升空間但卻不會永遠持續(xù)上升,因此手機 OEM 廠商必須從各個方向考慮來提升電池續(xù)航時間。

其中一個辦法,就是通過為耗電的 LTE 無線電設備使用先進的電源管理技術來實現(xiàn)。射頻前端(RFFE)消耗了手機電池續(xù)航時間的 15% 到 40%,而且在 RFFE 中,功率放大器(PA)是一種貪婪的電量消耗者,因此降低這部分的功耗已經(jīng)成為延長移動設備使用壽命的一個關鍵技術。

目前手機上常用的有兩種 PA 的省電技術,一種是平均功率跟蹤技術(APT),另外一種是包絡跟蹤(ET),如上圖所示。

兩種技術的手段都是盡量使 PA 在滿足線性等指標的基礎上,給 PA 供最低的電壓,提供 PA 僅需要的能量,這樣能減小能量的浪費,延長電池的使用時間,APT 相對比較粗糙,ET 比較精細。

APT 電壓追蹤的是平均功率,但是由于 3G/4G 是調(diào)幅的技術,信號的幅度不是一個固定的值,如上圖所示有波峰,有波谷,用一個電壓來追蹤信號的平均功率的話,必然要使電壓滿足高功率(波峰處)的線性要求,對于相對較小的功率來講,這個電壓給的有多余的,多余的部分就會浪費掉,如上左面的圖所示,黃色的部分能量是浪費的。

ET 追蹤的是包絡里的每一個功率電平,給包絡里的每一個功率算一個最合適的電壓,高的功率給相對較高的電壓,低的功率給相對較低的電壓,這樣每一個功率點都有一個最優(yōu)的電壓,能量浪費的比較少,從而達到很好的省電目的。

可以比較一下上面兩張圖黃色區(qū)域,ET 技術浪費的能量要比 APT少很多。

ET 技術的原理是,讓功放的供電電壓隨輸入信號的包絡變化。從工作方式上來看,ET放大器就是根據(jù)輸入射頻信號的包絡幅度來決定放大器供電電壓。當小包絡時采用低電壓供電,大包絡時采用高電壓供電。從而使放大器在不同輸入功率時,損耗減小,達到高效率。ET 可改善射頻功率放大器的能效,因為它可以追蹤所需功率,有別于目前的固定功率系統(tǒng),包絡跟蹤技術被越來越廣泛地運用于優(yōu)化射頻 PA 的功率附加效率 (PAE)。ETPA 技術的解決方式是采用非恒定的 RF 包絡和高效的峰均功率比(PAPR),簡而言之,ET 技術能夠?qū)崿F(xiàn)自適應功率放大輸出。

通過動態(tài)調(diào)整輸入電壓到 PA 來匹配所需的功率,ET IC 正在改變 RFFE 的功率效率。自2013年推出以來,ET ICs 已在高端智能手機市場普及,而且他們也越來越多地滲透到中端手機中。市場研究機構(gòu) IHS 指出,未來幾年,高端以及中高端智能手機市場將成為智能手機行業(yè)中增長最快的細分市場,這將為 ET 解決方案提供一個未來發(fā)展的機會。

IHS Markit 預計啟用包絡追蹤 IC 智能手機出貨量將從2015年的4.11億增長到2021年的7.48億,年復合增長率超過10%。由于其目前在高端智能手機的普及以及在中高端的產(chǎn)品中越來越流行,預計2021年配備包絡追蹤 ICs 的智能手機將占出貨總量的42%。ET 的好處已經(jīng)在最新高端手機中實現(xiàn),包括三星 Galaxy S7,小米5等。在這些產(chǎn)品型號中,校準和個性化仍然很昂貴,但很明顯,大量的經(jīng)驗將節(jié)省成本,并隨著時間的推移簡化制造過程。

另一方面,隨著智能手機市場接近 5G 時代,ET ICs 的重要性也隨之不斷增強。未來的智能手機將需要閉環(huán)包絡追蹤解決方案以獲得足夠高的能效,在使用 5G 功能時為最終用戶提供可更長的電池使用時間。與智能手機射頻前端類似,擁有更深的系統(tǒng)專業(yè)技術的供應商將處于有利地位,抓住包絡追蹤的發(fā)展機會。

ET設計面臨的挑戰(zhàn)

隨著 ET 技術的發(fā)展,工程師發(fā)現(xiàn)半導體具有“記憶效應”,即器件的失真取決于前10~20ns的射頻功率,而器件通道中的瞬時溫度會影響失真。數(shù)字預失真(DPD)是保證 ET 工作的重要部分。DPD 補償允許工程師選擇較小的 PA 以及使之在信號峰值期間進一步壓縮,所以 DPD 可以提高效率。

除了失真,由于應用于電源的寬帶調(diào)制器的性能不完善,ET 會產(chǎn)生帶外噪聲。除此之外,ET 需要在基帶芯片、電源 IC 和 PA 之間進行緊密協(xié)調(diào),這三個部件必須仔細平衡,以控制電源電壓和射頻波形之間的增益和時間延遲。對延遲進行精確校準在數(shù)億臺手機的生產(chǎn)中至關重要,實現(xiàn)這種嚴格的控制需要收發(fā)器、PA 和電源供應商互相妥協(xié)。

除此之外,在生產(chǎn)制造時 ET 也與基本技術一樣具有挑戰(zhàn)性。例如在過去幾年中將 ET 引入到大批量手機生產(chǎn)時,在校準時間延遲和增益設置以及溫度增益等方面都存在問題。

Qorvo 高性能 RF 解決方案可簡化設計、減少產(chǎn)品占用面積、節(jié)省電力、提高系統(tǒng)性能并加速載波聚合技術的部署。射頻前端技術 RF Fusion 和 RF Flex 系列解決方案都經(jīng)過優(yōu)化,可借助行業(yè)領先的 ET PMIC 提供出色性能,同時還為下一代收發(fā)載波聚合功能提供全面支持,助力 OEM 旗艦機型的性能提升。RF Fusion 解決方案包含業(yè)內(nèi)唯一的完整參考平臺,以支持所有具有包絡跟蹤功能的領先手機芯片組。

通過

Qorvo 的 ET 技術,PA 可以不斷調(diào)整實時峰值效率以達到輸出功率的需求,使高功率設備實現(xiàn)發(fā)熱更少、電池壽命更長、信號質(zhì)量更好、網(wǎng)絡覆蓋范圍更廣的特性。

目前Qorvo 的 ET 技術已被廣泛部署采用,并且是即時可用的解決方案。這也是 Qorvo 的眾多優(yōu)勢射頻技術之一,與其他技術一起,引領新一代連接設備的射頻創(chuàng)新浪潮,幫助物聯(lián)網(wǎng)提高效率,實現(xiàn)一個更節(jié)能的世界。

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原文標題:揭秘解決全面屏智能手機耗電的一個小技術:包絡跟蹤(ET)

文章出處:【微信號:Qorvo_Inc,微信公眾號:Qorvo半導體】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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