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第2代CoolSiC MOSFET 400V

CoolSiC MOSFET 400V G2將高堅固性與超低開關(guān)損耗和導通電阻結(jié)合在一起，同時改善了系統(tǒng)成本。400V SiC MOSFET可在2電平和3電平硬開關(guān)和軟開關(guān)拓撲中提供出色的功率密度和系統(tǒng)效率。目標應用為人工智能服務器PSU、SMPS、電機控制、可再生能源和儲能以及D類放大器中的功率轉(zhuǎn)換。

產(chǎn)品型號：

■IMBG40R011M2H

■IMBG40R015M2H

■IMBG40R025M2H

■IMBG40R036M2H

■IMBG40R045M2H

■IMT40R011M2H

■IMT40R015M2H

■IMT40R025M2H

■IMT40R036M2H

■IMT40R045M2H

產(chǎn)品特點

與650V SiC MOSFET相比，F(xiàn)OM更好

低Qfr值的快速換流二極管

RDS(on)溫度系數(shù)小

柵極閾值電壓VGS(th)=4.5V

可以單電源驅(qū)動VGSoff=0V

100%經(jīng)過雪崩測試

開關(guān)速度可控性高

高dV/dt運行期間的低過沖

.XT互聯(lián)技術(shù)

一流的熱性能

應用價值

系統(tǒng)效率高

高功率密度設(shè)計

高設(shè)計魯棒性

減少EMI濾波

在硬開關(guān)拓撲中使用

競爭優(yōu)勢

支持采用創(chuàng)新拓撲結(jié)構(gòu)（如3L PFC，ANPC）

與HV SiC MOSFET相比，Ron x A降低，F(xiàn)oM提高，RDS(on)與Tj曲線平坦，100°C時增幅最小

低Qgd,Qoss fr,Eoss

高壓擺率控制、線性Coss和低Qfr

高柵極驅(qū)動閾值電壓Vth,typ=4.5V實現(xiàn)0V-18V驅(qū)動

以及較低的米勒比，以減輕Cgd，Vds/dt引起的寄生導通

應用領(lǐng)域

AI服務器電源

SMPS

電機控制

輕型電動汽車

叉車

電動飛機

固態(tài)斷路器

太陽能

能源儲存

D類放大器