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DRAM漲價(jià)潮引發(fā)中國(guó)發(fā)改委關(guān)注 國(guó)產(chǎn)才是真出路

kus1_iawbs2016 ? 2017-12-21 10:29 ? 次閱讀

據(jù)IC insights報(bào)道,今年記憶體供給吃緊,推升價(jià)格持續(xù)走揚(yáng),他們預(yù)期第四季DRAM銷售金額將創(chuàng)歷史新高。

據(jù)IC Insights估計(jì),第四季DRAM銷售金額將來(lái)到211億美元,較去年同期跳增65%,且是有史以來(lái)最佳記錄。

全年來(lái)看,DRAM市場(chǎng)預(yù)估成長(zhǎng)74%,較1993-2017年平均水平高61個(gè)百分點(diǎn),也是繼1994年成長(zhǎng)78%以來(lái)最強(qiáng)成長(zhǎng)動(dòng)能。

即使連續(xù)漲了好幾個(gè)季度,但似乎離DRAM價(jià)格穩(wěn)定還有一段距離。據(jù)媒體報(bào)道,三星和SK海力士已經(jīng)向客戶發(fā)出了漲價(jià)通知,明年一季度DRAM將會(huì)繼續(xù)漲8%,并且這個(gè)現(xiàn)狀會(huì)在明年下半年再有好轉(zhuǎn),那就意味著上半年,DRAM依然是漲價(jià)為主旋律。

許多因素造就今年記憶體走大多頭。從供應(yīng)商上看,全球的DRAM顆粒主要由韓國(guó)的三星、SK海力士和美國(guó)的美光把持,三者的市場(chǎng)份額分別為45.8%、28.7%、21.0%,合計(jì)超過(guò)九成。而這幾個(gè)記憶體廠刻意節(jié)制擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作,甚至還或多或少發(fā)生了一些事故,這就加劇了DRAM的供應(yīng);其次,在DRAM缺貨同期,剛好又遇上資料中心、行動(dòng)與游戲裝置對(duì)高效能記憶體的需求大幅增加,以致市場(chǎng)供不應(yīng)求,價(jià)格水漲船高。

這種無(wú)止境的漲價(jià)現(xiàn)象吸引了中國(guó)發(fā)改委的注意。

據(jù)媒體報(bào)道,發(fā)改委近期已經(jīng)開始關(guān)注產(chǎn)業(yè)的相關(guān)動(dòng)態(tài),不排除未來(lái)對(duì)DRAM進(jìn)行調(diào)查,以確定是否存在壟斷行為的可能。

DRAM價(jià)格要穩(wěn)定,國(guó)產(chǎn)還需自強(qiáng)

為了應(yīng)對(duì)DRAM這種可能情況,國(guó)內(nèi)最近兩年也正在加緊DRAM的布局。例如福建晉華項(xiàng)目、合肥長(zhǎng)鑫項(xiàng)目。但是正如IC Insights所說(shuō),國(guó)內(nèi)的DRAM產(chǎn)業(yè)在專利上和技術(shù)上,有太多的難關(guān)需要克服。這就給國(guó)產(chǎn)DRAM的發(fā)展打來(lái)了極大挑戰(zhàn)。

***工研院早期曾自行研發(fā)制造DRAM的「次微米制程技術(shù)發(fā)展計(jì)劃」,一九九四年底成立衍生公司世界先進(jìn),目標(biāo)就是實(shí)現(xiàn)***的DRAM自有生產(chǎn)技術(shù),但受限D(zhuǎn)RAM市場(chǎng)大起大落,世界先進(jìn)轉(zhuǎn)型晶圓代工后才轉(zhuǎn)為獲利。對(duì)于國(guó)內(nèi)的DRAM產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō),這有很大的參考意義。

力晶董事長(zhǎng)黃崇仁分析,既有的DRAM廠設(shè)備已折舊攤提到一定階段,成本較新進(jìn)入廠商低,新進(jìn)入廠商除了投資龐大與成本差異外,DRAM廠還有技術(shù)與專利的問(wèn)題,大陸要得到技術(shù)原廠美光或韓系廠商直接授權(quán)很難,若沒(méi)有原廠授權(quán),又不能竊取商業(yè)機(jī)密,將不能生產(chǎn)DRAM。早前晉華遭受美光的起訴,就是這個(gè)環(huán)境的。

不過(guò)天下無(wú)不散的宴席,歷史經(jīng)驗(yàn)顯示記憶體產(chǎn)業(yè)大幅擴(kuò)張后,隨著產(chǎn)能明顯增加、價(jià)格開始失去支撐,在不久的未來(lái),記憶體產(chǎn)業(yè)可能走下坡,不排除大幅拉回。

IC Insights指出從三星、SK 海力士下半年資本支出計(jì)劃可知,明年DRAM確定會(huì)有新產(chǎn)能開出,在此狀況下,另一大記憶體廠美光不太可能沒(méi)有對(duì)應(yīng)動(dòng)作。


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原文標(biāo)題:連續(xù)暴漲的DRAM引起中國(guó)發(fā)改委關(guān)注

文章出處:【微信號(hào):iawbs2016,微信公眾號(hào):寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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