以下文章來(lái)源于硬件精選筆記 ，作者DTDZ

高側(cè)開關(guān)就是負(fù)載是接地的，開關(guān)相對(duì)于負(fù)載處于高電位，如下圖所示。如果將開關(guān)和負(fù)載的位置互換，就是低側(cè)開關(guān)。

①為什么P-MOS作為高側(cè)開關(guān)更容易實(shí)現(xiàn)？

P-MOS作為高側(cè)開關(guān)的示意圖如下圖所示。要想P-MOS管導(dǎo)通，則Vgs=Vg-Vs＜Vgs（th）（注意這里是小于Vgs（th），因?yàn)镻-MOS的開啟電壓為負(fù)數(shù)，為了MOS管導(dǎo)通，P-MOS的開啟電壓越負(fù)越容易開通）。

如果選用的P-MOS管型號(hào)為IFR9530，其部分參數(shù)如下圖所示，為保證MOS管的開啟，至少取柵源開啟電壓Vgs(th)=-4V。

那么使上圖中的P-MOS管導(dǎo)通的柵極電壓應(yīng)該為：Vgs==Vg-Vs＜-4V→Vg＜Vs-4V=VDD-4V。也就是說(shuō)為了讓P-MOS導(dǎo)通，只需要控制柵極電壓比電源電壓低4V以上就可以了，這將很容易做到，實(shí)際應(yīng)用中，選擇的Vgs會(huì)比-4V更低，Vgs=Vgs(th)其實(shí)還并不能完全開通MOS管。

假設(shè)電源電壓VDD=12V，驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部控制S2閉合，S1斷開，此時(shí)柵源電壓Vgs=-12V,MOS管導(dǎo)通。當(dāng)控制器控制S1閉合，S2斷開時(shí)，柵源電壓Vgs=0V，MOS管斷開。如下圖所示。

因此，控制P-MOS的導(dǎo)通不需要額外的電路，控制簡(jiǎn)單。

②為什么N-MOS作為高側(cè)開關(guān)更難？

當(dāng)N-MOS作為高側(cè)開關(guān)時(shí)，其示意圖如下圖所示。當(dāng)N-MOS導(dǎo)通時(shí)，源極S的電壓等于電源電壓12V。要想MOS管導(dǎo)通，則柵極電壓至少要比源極電壓高4V，也就是柵極電壓至少要達(dá)到16V。但電源電壓只有12V，因此要想控制高側(cè)的N-MOS導(dǎo)通，就必須額外增加電源，或者采用自舉升壓電路，使控制變得更為困難。

③是不是應(yīng)該都選用P-MOS作為高側(cè)開關(guān)呢？

上面說(shuō)了，P-MOS作為高側(cè)開關(guān)更為容易控制，那么如果讓你選擇高側(cè)開關(guān)的時(shí)候，你是不是就會(huì)直接選用P-MOS呢？

其實(shí)，很多時(shí)候，我們都需要選用N-MOS作為高側(cè)開關(guān)，主要是兩個(gè)方面的原因：

第一個(gè)就是，N-MOS相較于P-MOS更為便宜；第二個(gè)原因就是，N-MOS比P-MOS的導(dǎo)通電阻RDS（on）更低，因此對(duì)于快速開關(guān)的場(chǎng)合建議使用N-MOS。更低的導(dǎo)通電阻意味著更小的開關(guān)損耗，更低的發(fā)熱量。

下圖為N-MOS和P-MOS的參數(shù)對(duì)比。兩者的漏源擊穿電壓都為100V，N-MOS的導(dǎo)通電阻為0.16Ω，而P-MOS的導(dǎo)通電阻為0.3Ω，幾乎是N-MOS的兩倍。