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SiP封裝共形屏蔽簡(jiǎn)介、性能、工藝、應(yīng)用及優(yōu)點(diǎn)解析

h1654155971.8456 ? 2018-01-21 10:23 ? 次閱讀

前 言

移動(dòng)設(shè)備向著輕薄短小的方向發(fā)展,手機(jī)行業(yè)是這一方向的前鋒,從幾代iPhone的尺寸可以看出----薄,是一直演進(jìn)的方向(圖1)。隨著物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴等市場(chǎng)興起,將這一方向推向極致。

SiP封裝共形屏蔽簡(jiǎn)介、性能、工藝、應(yīng)用及優(yōu)點(diǎn)解析

圖1iPhone厚度變化

手機(jī)的薄型化,得益于多方面技術(shù)的進(jìn)步,包括SiP、PCB、顯示屏等技術(shù),其中關(guān)鍵的技術(shù)之一就是EMI屏蔽技術(shù)。傳統(tǒng)的手機(jī)EMI屏蔽是采用金屬屏蔽罩,屏蔽罩在橫向上要占用寶貴的PCB面積,縱向上也要占用設(shè)備內(nèi)部的立體空間,是設(shè)備小型化的一大障礙。新的屏蔽技術(shù)——共形屏蔽(Conformal shielding),將屏蔽層和封裝完全融合在一起,模組自身就帶有屏蔽功能,芯片貼裝在PCB上后,不再需要外加屏蔽罩,不占用額外的設(shè)備空間,從而解決這一難題。如圖2,iPhone 7主板上,大部分芯片都采用了Conformal shielding技術(shù),包括WiFi/BT、PA、Memory等模組,達(dá)到高度集成且輕薄短小的目的。

SiP封裝共形屏蔽簡(jiǎn)介、性能、工藝、應(yīng)用及優(yōu)點(diǎn)解析

圖2iPhone7主板上采用共形屏蔽技術(shù)的模組

SiP封裝共形屏蔽

電子系統(tǒng)中的屏蔽主要兩個(gè)目的:符合EMC規(guī)范;避免干擾。傳統(tǒng)解決方案主要是將屏蔽罩安裝在PCB上,會(huì)帶來(lái)規(guī)模產(chǎn)量的可修復(fù)性問(wèn)題。 此方法也可以在SiP模組中使用,如圖3中的模組封裝,或Overmolded shielding將屏蔽罩封裝在塑封體內(nèi)。 這兩種屏蔽解決方案,雖然實(shí)現(xiàn)了屏蔽罩的SiP封裝集成,但是并未降低模組的高度,同時(shí)也會(huì)帶來(lái)工藝和成本問(wèn)題。

SiP封裝共形屏蔽簡(jiǎn)介、性能、工藝、應(yīng)用及優(yōu)點(diǎn)解析

圖3傳統(tǒng)的屏蔽罩模組及SiP封裝內(nèi)集成(Overmolded shielding)屏蔽罩

SiP封裝的共形屏蔽,可以解決以上問(wèn)題。如圖4,SiP封裝采用共形屏蔽技術(shù),其外形與封裝一致,不增額外尺寸。

SiP封裝共形屏蔽簡(jiǎn)介、性能、工藝、應(yīng)用及優(yōu)點(diǎn)解析

圖4共形屏蔽SiP封裝以及與傳統(tǒng)屏蔽罩的區(qū)別

共形屏蔽的性能

共形屏蔽實(shí)現(xiàn)了極好的屏蔽效果,在遠(yuǎn)場(chǎng)高達(dá)12GHz,近場(chǎng)高達(dá)6GHz,以及10MHz-100MHz的低頻,屏蔽效果在30dB以上。如圖5,從SiP封裝實(shí)際測(cè)量結(jié)果,可以看出共形屏蔽的出色效果。

圖5共形屏蔽的測(cè)試效果

共形屏蔽的工藝

共形屏蔽目前主流工藝有三種:電鍍,噴涂,濺射。各工藝的優(yōu)缺點(diǎn)對(duì)比如下表:

SiP封裝共形屏蔽簡(jiǎn)介、性能、工藝、應(yīng)用及優(yōu)點(diǎn)解析

以濺射為例,工藝流程如圖6:

SiP封裝共形屏蔽簡(jiǎn)介、性能、工藝、應(yīng)用及優(yōu)點(diǎn)解析

圖6共形屏蔽的濺射工藝流程

共形屏蔽的應(yīng)用

共形屏蔽主要用于PA,WiFi/BT、Memory等SiP模組封裝上,用來(lái)隔離封裝內(nèi)部電路與外部系統(tǒng)之間的干擾,如圖7。

圖7 WiFi模組共形屏蔽結(jié)構(gòu)

對(duì)于復(fù)雜的SiP封裝,將AP/BB、Memory、WiFi/BT、FEM等集成在一起,封裝內(nèi)部各子系統(tǒng)之間也會(huì)相互干擾,需要在封裝內(nèi)部隔離。另外,對(duì)于大尺寸的SiP封裝,其整個(gè)屏蔽結(jié)構(gòu)的電磁諧振頻率較低,加上數(shù)字系統(tǒng)本身的噪聲帶寬很寬,容易在SiP內(nèi)部形成共振,導(dǎo)致系統(tǒng)無(wú)法正常工作。

Compartment shielding(劃區(qū)屏蔽)除了可用于封裝外部屏蔽,還可以對(duì)封裝內(nèi)部各子系統(tǒng)模塊間實(shí)現(xiàn)隔離。其由Conformal shielding技術(shù)改進(jìn)而來(lái),用激光打穿塑封體,露出封裝基板上的接地銅箔,灌入導(dǎo)電填料形成屏蔽墻,并與封裝表面的共形屏蔽層一起將各子系統(tǒng)完全隔離開(kāi)。另外,劃區(qū)屏蔽將屏蔽腔劃分成小腔體,減小了屏蔽腔的尺寸,其諧振頻率遠(yuǎn)高于系統(tǒng)噪聲頻率,避免了電磁共振,從而使得系統(tǒng)更穩(wěn)定。Compartment shielding典型的應(yīng)用案例就是iWatch里的S1模組,如圖8。

SiP封裝共形屏蔽簡(jiǎn)介、性能、工藝、應(yīng)用及優(yōu)點(diǎn)解析

圖8蘋果S1 SiP封裝Compartment shielding結(jié)構(gòu)

總結(jié)SiP共形屏蔽的優(yōu)點(diǎn):

共形(Conformal)和劃區(qū)(Compartmental)屏蔽方案應(yīng)用靈活廣泛:

最大限度減少封裝中的雜散和EMI輻射

最大限度減少系統(tǒng)中相鄰器件間的干擾

器件封裝橫向和縱向尺寸增加幾乎為零

節(jié)省系統(tǒng)特殊屏蔽部件的加工和組裝成本

節(jié)省PCB面積和設(shè)備內(nèi)部空間

共形屏蔽技術(shù),可以解決SiP內(nèi)部以及周圍環(huán)境之間的EMI干擾,對(duì)封裝尺寸和重量幾乎沒(méi)有影響,具有優(yōu)良的電磁屏蔽性能,可以取代大尺寸的金屬屏蔽罩。必將隨著SiP技術(shù)以及設(shè)備小型化需求而普及。

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原文標(biāo)題:SiP封裝共形電磁屏蔽技術(shù)簡(jiǎn)介

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