據(jù)麥姆斯咨詢(xún)報(bào)道，Menlo Micro近期在德國(guó)舉行的電力電子系統(tǒng)及元器件展覽會(huì)(PCIM)上展示了其MEMS功率開(kāi)關(guān)MM9200在斷路器中的應(yīng)用演示(demo)。

MM9200是Menlo Micro于2022年推出的一款基于玻璃襯底構(gòu)建的高功率單刀單擲開(kāi)關(guān)(SPST)MEMS開(kāi)關(guān)，封裝為QFN或WL-CSP兩種可選。Menlo Micro創(chuàng)新的Ideal Switch技術(shù)可實(shí)現(xiàn)高度可靠的MEMS開(kāi)關(guān)，能夠以小尺寸承載高電壓和高電流。

MEMS功率開(kāi)關(guān)MM9200特點(diǎn)、應(yīng)用及市場(chǎng)

MM9200提供超低導(dǎo)通電阻、低漏電流和高壓關(guān)斷，開(kāi)關(guān)周期超過(guò)10億次。由于其具有壽命長(zhǎng)、電流消耗極低和外形小巧等特點(diǎn)，MM9200是替代機(jī)電繼電器以及IGBT和MOSFET等固態(tài)開(kāi)關(guān)的理想解決方案。與MOSFET固態(tài)開(kāi)關(guān)不同，MM9200與機(jī)電繼電器一樣支持觸點(diǎn)之間的雙向電流。多個(gè)MM9200開(kāi)關(guān)可以串聯(lián)或并聯(lián)連接，以分別提高額定電壓或額定電流。

Menlo Micro功率MEMS開(kāi)關(guān)產(chǎn)品副總裁Chris Umminger表示：“MM9200定位于機(jī)電繼電器和固態(tài)MOSFET開(kāi)關(guān)之間，在壽命方面不如固態(tài)開(kāi)關(guān)，但優(yōu)于機(jī)電繼電器，另外MM9200在6mm x 6.5mm QFN封裝尺寸中具有10mΩ的低導(dǎo)通電阻，這與固態(tài)開(kāi)關(guān)相比，更具優(yōu)勢(shì)?！?/p>

在PCIM展會(huì)上，Menlo Micro演示了MM9200與SiC MOSFET開(kāi)關(guān)的對(duì)比情況，該演示使用相同的電路板尺寸來(lái)突出在240V交流(AC)應(yīng)用中MM9200 MEMS開(kāi)關(guān)相比SiC MOSFET開(kāi)關(guān)的優(yōu)勢(shì)。

Menlo Micro在兩塊電路板上進(jìn)行了溫度和導(dǎo)通電阻測(cè)量(電流為40A時(shí))。40mm x 50mm面積的電路板上可以容納24個(gè)MM9200 MEMS開(kāi)關(guān)，而相同尺寸的SiC MOSFET開(kāi)關(guān)只能容納8個(gè)。

Chris Umminger說(shuō)道：“MM9200開(kāi)關(guān)配置為12并聯(lián)-2串聯(lián)，擊穿電壓為600V。采用MEMS開(kāi)關(guān)的電路板的運(yùn)行電流高達(dá)60A，但測(cè)量結(jié)果顯示無(wú)法維持采用SiC MOSFET開(kāi)關(guān)的電路板的工作電流超過(guò)52A?！?/p>

Chris Umminger繼續(xù)說(shuō)：“MEMS開(kāi)關(guān)建立在采用晶圓光刻等半導(dǎo)體工藝之上，因此制造工藝是可擴(kuò)展的，適合大批量生產(chǎn)。我們的首席技術(shù)官對(duì)如何向前發(fā)展有一些想法，而且基本原理有利于降低成本。目前存在的挑戰(zhàn)之一是斷路器有多種尺寸和額定值，因此這項(xiàng)技術(shù)可以用于開(kāi)關(guān)陣列中，MM9200可能更適合更高功率的應(yīng)用，并且導(dǎo)通電阻優(yōu)勢(shì)非常突出?！?/p>

Menlo Micro目前正在向包括歐洲在內(nèi)的多家客戶(hù)提供MM9200樣品。