最新 IGBT 和 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器

器件峰值輸出電流高達(dá)4 A

工作溫度高達(dá)+125 °C，傳播延遲低至200 ns

Vishay 推出兩款采用緊湊、高隔離延展型 SO-6 封裝的最新 IGBT 和 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器。

VOFD341A

和

VOFD343A

的峰值輸出電流分別達(dá)3 A和4 A，工作溫度高達(dá)+125 °C，傳播延遲低至200 ns。

新發(fā)布的光耦合器包含一個(gè)AlGaAs LED（該LED通過光學(xué)耦合方式連接到具有功率輸出級(jí)的集成電路，用于太陽能逆變器和微逆變器）、交流和無刷直流工業(yè)電機(jī)控制逆變器，以及用于UPS中交流/直流轉(zhuǎn)換的逆變級(jí)。器件非常適合直接驅(qū)動(dòng)額定值達(dá)1200 V / 100 A的IGBT 。

VOFD341A和VOFD343A支持的工作溫度高，這為更緊湊的設(shè)計(jì)提供了更高的溫度安全裕量，而器件的高峰值輸出電流無需額外的驅(qū)動(dòng)級(jí)即可實(shí)現(xiàn)更快開關(guān)。器件的傳播延遲低，可將開關(guān)損耗降至最低程度，同時(shí)有助于進(jìn)行更精確的PWM調(diào)節(jié) 。光耦合器的高隔離封裝可支持高達(dá)1140 V的高工作電壓，因此可用于高壓逆變級(jí)，同時(shí)仍能保持足夠的電壓安全裕量。這些器件符合RoHS規(guī)范，可支持高達(dá)50 kV/μs的抗擾，從而防止在快速開關(guān)功率級(jí)中出現(xiàn)下降函數(shù)。

審核編輯 黃宇