隨著電子設(shè)備不斷向小型化發(fā)展，晶振也朝著小型化低功耗的趨勢(shì)發(fā)展。今天凱擎小妹聊一下小型化對(duì)晶振的起振時(shí)間、相位噪聲和抖動(dòng)的具體影響。

起振時(shí)間???????

起振時(shí)間是晶振開(kāi)始工作并達(dá)到穩(wěn)定振蕩狀態(tài)所需的時(shí)間，主要由晶體的諧振電阻和負(fù)性阻抗決定。

晶體的諧振電阻越小，起振越快。高品質(zhì)的石英材料和精密切割技術(shù)可以減少晶體內(nèi)部缺陷，提高品質(zhì)因數(shù)Q值，從而減少起振時(shí)間。

負(fù)性阻抗的大小由振蕩IC和負(fù)載電容CL決定。在設(shè)計(jì)中合理選擇負(fù)載電容和優(yōu)化振蕩IC，有助于在小型化條件下實(shí)現(xiàn)快速起振。

相位噪聲????

相位噪聲是振蕩信號(hào)頻域內(nèi)的不穩(wěn)定，直接影響信號(hào)的純凈度和質(zhì)量。

高Q值晶體能夠更好地濾除噪聲信號(hào)，降低相位噪聲。高Q值的小型化晶振可以實(shí)現(xiàn)低相位噪聲的需求。

合理選擇負(fù)載電容并優(yōu)化電路設(shè)計(jì)，平衡近端和遠(yuǎn)端相位噪聲，是提高整體性能的關(guān)鍵。

驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)可以減少電源噪聲和電磁干擾對(duì)相位噪聲的影響。采用低噪聲放大器和穩(wěn)壓電源，可以進(jìn)一步降低相位噪聲。

抖動(dòng)

抖動(dòng)是信號(hào)在時(shí)域內(nèi)的不穩(wěn)定，主要有電源質(zhì)量和環(huán)境干擾引起的。

低噪聲的電源設(shè)計(jì)和濾波電路可以減少電源噪聲對(duì)抖動(dòng)的影響。穩(wěn)定干凈的電源是降低抖動(dòng)的基礎(chǔ)。

電磁干擾和射頻干擾是引起抖動(dòng)的重要因素。小型化晶振需要在設(shè)計(jì)中考慮屏蔽和隔離技術(shù)，以減少外部干擾的影響。

如何選擇合適的晶振

在小型化和低功耗的發(fā)展趨勢(shì)下，激勵(lì)功率，驅(qū)動(dòng)電流，體積，功率相應(yīng)減少，導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)能力變?nèi)酢?/p>

如果電子設(shè)備需要較大的負(fù)載和較強(qiáng)的驅(qū)動(dòng)能力，盡量選擇體積較大的晶體。大體積晶體通常具有較高的驅(qū)動(dòng)能力和較低的諧振電阻，有利于起振和相位噪聲性能的優(yōu)化。

在既要小體積又要驅(qū)動(dòng)能力較強(qiáng)的情況下，可以選用驅(qū)動(dòng)能力較高的振蕩IC。同時(shí)，選擇高品質(zhì)因數(shù)的晶體，能夠在低功耗條件下提供優(yōu)異的相位噪聲性能。

小尺寸KOAN晶振有如下選擇：

SMD 2.0x1.6mm尺寸:

- CMOS輸出時(shí)鐘振蕩器(KS20/KS20W);

SMD 2.5x2.0mm尺寸：

- LVDS輸出時(shí)鐘振蕩器 (KD256D);

- HCSL輸出時(shí)鐘振蕩器 (KD256C);

- CMOS輸出壓控振蕩器(KV25);

- Clipped Sine輸出(壓控)溫補(bǔ)振蕩器(KT25CS)

低相噪晶振KJ系列，最小尺寸可選擇2.5x2.0mm:

KOAN晶振

我們提供無(wú)源晶振和有源晶振，覆蓋多種規(guī)格尺寸，現(xiàn)貨充足，以滿足客戶(hù)需求。我們的產(chǎn)品質(zhì)量和技術(shù)處于行業(yè)領(lǐng)先水平。

我們有E5052B信號(hào)分析儀器(相位噪聲和抖動(dòng))、S&A280B(振蕩器)、S&A250B(諧振器)測(cè)試儀器，以及高低溫箱，抗沖擊試驗(yàn)設(shè)備。能夠檢測(cè)溫度、負(fù)載和功率電壓變化條件下的頻率穩(wěn)定性。