浮柵晶體管主要是應(yīng)用于于非易失性存儲(chǔ)器之中，比如nand flash中的基本單元，本文介紹了浮柵晶體管的組成結(jié)構(gòu)以及原理。

上圖就是浮柵晶體管大致的組成圖，是在NMOS的基礎(chǔ)上在控制柵極下的絕緣層之間加入了一層浮柵層，用于儲(chǔ)存電子。 其中與溝道接近的絕緣層二氧化硅厚度比較薄，電子在比較大的電場作用下，會(huì)隧穿進(jìn)入浮柵層。

在寫入電子時(shí)，在控制柵極施加相對(duì)于襯底的高壓時(shí)，離子阱的電子被吸引并隧穿進(jìn)入浮柵層被存儲(chǔ)在其中，如果撤銷電壓之后，因?yàn)楦艑颖唤^緣層包裹，浮柵層電子還是存儲(chǔ)在這個(gè)部位，此狀態(tài)計(jì)為邏輯0。

在擦除電子時(shí)，需要在襯底加一個(gè)相對(duì)于柵極的高壓，浮柵層存儲(chǔ)的電子就會(huì)在電場作用下隧穿回到下面的P型半導(dǎo)體里。此狀態(tài)計(jì)為邏輯1。 浮柵晶體管巧妙的使用了物理里非常奇特的量子隧穿，用電場控制電子的存儲(chǔ)，是一類很重要的存儲(chǔ)器件。 END 轉(zhuǎn)載內(nèi)容僅代表作者觀點(diǎn) 不代表中國科學(xué)院半導(dǎo)體所立場