欧美性猛交xxxx免费看_牛牛在线视频国产免费_天堂草原电视剧在线观看免费_国产粉嫩高清在线观看_国产欧美日本亚洲精品一5区

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

揚(yáng)杰科技推出全新SiC MOSFET產(chǎn)品

揚(yáng)杰科技 ? 來(lái)源:揚(yáng)杰科技 ? 2024-11-27 14:15 ? 次閱讀

新品發(fā)布

用于光伏逆變、充電樁、電源等的SiC MOSFET

產(chǎn)品介紹

揚(yáng)杰科技近日推出了一系列TO-263-7L、TOLL、T2PAK產(chǎn)品,產(chǎn)品均采用開爾文接觸,明顯減少了開關(guān)時(shí)間,降低了開關(guān)損耗,支持更高頻率的應(yīng)用與動(dòng)態(tài)響應(yīng);同時(shí)相比插腳器件降低了電路板空間,增加了電路板的集成化,非常適合應(yīng)用于高功率密度和高效率電力電子變換系統(tǒng)

產(chǎn)品特點(diǎn)

1.耐高溫特性,工作溫度(175°C),出色的散熱性能,有著優(yōu)異的溫升表現(xiàn),提高了產(chǎn)品的可靠性;

2.低的封裝電阻,低的寄生電感,出色的EMI表現(xiàn);并且有著KS源極,開關(guān)速度快,損耗低,適用于高壓,高頻的應(yīng)用條件;

3.電路板空間占用小,更適合高功率密度應(yīng)用場(chǎng)合。

電性參數(shù)

232eebf6-ab11-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

更多產(chǎn)品請(qǐng)?jiān)斠姽倬W(wǎng)

典型應(yīng)用

光伏逆變

充電樁

電源

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    147

    文章

    7262

    瀏覽量

    214427
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    29

    文章

    2901

    瀏覽量

    62994
  • 充電樁
    +關(guān)注

    關(guān)注

    148

    文章

    2365

    瀏覽量

    85635
  • 揚(yáng)杰科技
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    98

    瀏覽量

    10751

原文標(biāo)題:新品發(fā)布——用于光伏逆變、充電樁、電源等的SiC MOSFET

文章出處:【微信號(hào):yangjie-300373,微信公眾號(hào):揚(yáng)杰科技】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET,正在崛起

    MOSFET發(fā)展飛速,誕生了眾多產(chǎn)品,同時(shí)陸續(xù)過(guò)車規(guī),讓人眼花繚亂。所以我們邀請(qǐng)到了眾多工程師,分享自己曾經(jīng)接觸過(guò),或者從其他廠商中聽到過(guò)的SiC產(chǎn)品,并且分享自己對(duì)于
    的頭像 發(fā)表于 01-09 09:14 ?140次閱讀
    國(guó)產(chǎn)<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>,正在崛起

    34mm SiC MOSFET模塊產(chǎn)品介紹

    34mm SiC MOSFET半橋碳化硅模塊產(chǎn)品介紹_20241217_Rev.1.0.1
    發(fā)表于 12-30 15:24 ?0次下載

    揚(yáng)科技榮獲2024年行家極光獎(jiǎng)“中國(guó)SiC IDM十強(qiáng)企業(yè)”

    近日,“2024行家極光獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)典禮在深圳成功舉辦。揚(yáng)科技有幸入選十強(qiáng)企業(yè)榜單,獲得“中國(guó)SiC IDM十強(qiáng)”獎(jiǎng)項(xiàng),與數(shù)百家SiC&GaN企業(yè)代表一起共同見證第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新風(fēng)采
    的頭像 發(fā)表于 12-18 10:37 ?384次閱讀

    揚(yáng)科技全資子公司MCC(越南)工廠正式通線

    近日,喜訊傳來(lái),揚(yáng)科技全資子公司MCC(越南)工廠正式步入通線階段。這一里程碑式的成就標(biāo)志著揚(yáng)科技在積極開拓國(guó)際市場(chǎng)、加速全球化進(jìn)程上邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。
    的頭像 發(fā)表于 12-16 11:29 ?599次閱讀

    揚(yáng)科技11款產(chǎn)品入選《2024長(zhǎng)三角汽車芯片產(chǎn)品手冊(cè)》

    熱烈祝賀揚(yáng)科技自主研發(fā)的2款I(lǐng)GBT產(chǎn)品、7款SiC產(chǎn)品、2款功率MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 12-03 09:42 ?1182次閱讀

    揚(yáng)科技發(fā)布用于PC主板的PDFN5060 N30V Mosfets

    近日,揚(yáng)科技推出了專為PC主板應(yīng)用設(shè)計(jì)的High-side+Low-side PDFN5060 N30V Mosfets。該產(chǎn)品采用了先進(jìn)的SGT技術(shù),具有出色的電氣性能。
    的頭像 發(fā)表于 10-12 15:59 ?442次閱讀

    SiC MOSFETSiC SBD的區(qū)別

    SiC MOSFET(碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和SiC SBD(碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管)是兩種基于碳化硅(SiC)材料的功率半導(dǎo)體器件,它們?cè)陔娏﹄娮宇I(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。盡
    的頭像 發(fā)表于 09-10 15:19 ?2112次閱讀

    揚(yáng)科技發(fā)布高效SJ MOSFET,賦能新能源市場(chǎng)

    在新能源市場(chǎng)迅猛發(fā)展的浪潮中,功率器件作為電力電子變換系統(tǒng)的核心部件,其能效和封裝性能的提升顯得尤為重要。為了滿足市場(chǎng)對(duì)高性能功率器件的迫切需求,揚(yáng)科技近日隆重推出了一系列新型SJ MOSF
    的頭像 發(fā)表于 06-28 09:53 ?628次閱讀

    英飛凌技術(shù)公司推出全新的OptiMOS? 6 200 V MOSFET系列產(chǎn)品

    隨著英飛凌技術(shù)公司推出全新的OptiMOS? 6 200 V MOSFET系列產(chǎn)品,電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用領(lǐng)域得到了顯著的推進(jìn)。
    的頭像 發(fā)表于 04-17 11:08 ?697次閱讀
    英飛凌技術(shù)公司<b class='flag-5'>推出</b><b class='flag-5'>全新</b>的OptiMOS? 6 200 V <b class='flag-5'>MOSFET</b>系列<b class='flag-5'>產(chǎn)品</b>

    英飛凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000V產(chǎn)品

    英飛凌科技股份公司,作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司,近日推出全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列,這一創(chuàng)新產(chǎn)品采用TO-
    的頭像 發(fā)表于 03-20 10:27 ?913次閱讀

    揚(yáng)科技推出50A 650V TO-247封裝IGBT單管

    近日,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)軍企業(yè)揚(yáng)州揚(yáng)電子科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“揚(yáng)科技”)再度刷新業(yè)界認(rèn)知,推出了一款專為光伏儲(chǔ)能充電樁等高頻應(yīng)用
    的頭像 發(fā)表于 03-16 10:48 ?1477次閱讀

    瞻芯電子推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品

    瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品,這些產(chǎn)品不僅通過(guò)了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101 Quali
    的頭像 發(fā)表于 03-13 09:24 ?1038次閱讀

    多款產(chǎn)品通過(guò)車規(guī)認(rèn)證,國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET加速上車

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在過(guò)去的2023年,國(guó)產(chǎn)SiC功率器件產(chǎn)品迎來(lái)了全面爆發(fā),眾多廠商宣布入局或是推出車規(guī)級(jí)SiC MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 03-13 01:17 ?3626次閱讀
    多款<b class='flag-5'>產(chǎn)品</b>通過(guò)車規(guī)認(rèn)證,國(guó)產(chǎn)<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>加速上車

    揚(yáng)科技新能源車用IGBT、SiC模塊封裝項(xiàng)目完成簽約

    近日,在江蘇省揚(yáng)州市邗江區(qū)維揚(yáng)經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)先進(jìn)制造業(yè)項(xiàng)目新春集中簽約儀式上,揚(yáng)州揚(yáng)電子科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱揚(yáng)科技)新能源車用IGBT、碳化硅(
    的頭像 發(fā)表于 02-22 10:03 ?1202次閱讀

    揚(yáng)科技又新增5億元車用IGBT、SiC模塊封裝項(xiàng)目

    近日,據(jù)邗江發(fā)布消息,在維揚(yáng)經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)先進(jìn)制造業(yè)項(xiàng)目新春集中簽約儀式上,揚(yáng)州揚(yáng)電子科技股份有限公司副董事長(zhǎng)梁瑤信心滿滿地告訴記者,“去年揚(yáng)
    的頭像 發(fā)表于 02-20 09:34 ?1096次閱讀