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光罩(Mask)的系統(tǒng)性講解

中科院半導(dǎo)體所 ? 來源:老虎說芯 ? 2024-12-06 09:33 ? 次閱讀
本文介紹了什么是光罩(Mask)。

光罩(Mask),也稱為掩膜版,是集成電路IC)制造過程中核心且關(guān)鍵的元件之一。作為光刻技術(shù)的核心工具,光罩將設(shè)計(jì)好的電路圖案轉(zhuǎn)移到晶圓表面,其質(zhì)量直接決定了芯片制造的精度和性能。

1. 光罩的基本結(jié)構(gòu)

光罩是一種特殊的“模版”,由兩部分組成:

基底材料:石英。石英具有高透明度和低熱膨脹系數(shù)的特性,是光罩的主體。其透明性使得光源可以穿透,而低熱膨脹系數(shù)確保其在加工和使用中形狀穩(wěn)定,不會因溫度變化而發(fā)生變形。

遮光材料:鉻。鉻是一種高穩(wěn)定性、耐腐蝕的金屬材料,鍍在石英表面形成遮光圖案。設(shè)計(jì)的電路圖形就是通過對鉻進(jìn)行精確的圖形化處理實(shí)現(xiàn)的。

類比:可以將光罩比喻為印刷中的“印版”,石英就像一張優(yōu)質(zhì)的透明底紙,而鉻圖案是我們設(shè)計(jì)好的文字或圖案,用來投影到“印刷紙”(晶圓)上。

2. 光罩的制造工藝

光罩的核心在于如何將設(shè)計(jì)的圖案精確地“刻”到鉻層上。這一過程需要經(jīng)過多步工藝,核心步驟包括以下幾點(diǎn):

2.1 鍍膜

將一層均勻的鉻薄膜沉積在石英基底上,這是光罩制作的起點(diǎn)。此過程通常采用物理氣相沉積(PVD)技術(shù),確保鉻層的厚度均勻。

2.2 涂膠

在鉻層表面均勻涂上一層感光膠。這層感光膠能夠?qū)?a target="_blank">電子束產(chǎn)生敏感響應(yīng),是電子束曝光的關(guān)鍵材料。

2.3 曝光(電子束曝光)

采用電子束曝光機(jī)對光罩進(jìn)行圖形化處理。電子束通過掃描的方式在感光膠上寫入設(shè)計(jì)的電路圖案。由于電子束的波長極短,可以實(shí)現(xiàn)納米級分辨率。

2.4 顯影

曝光后,將光罩置于顯影液中處理,去除被電子束曝光的部分感光膠,從而形成圖案。

2.5 刻蝕

通過化學(xué)刻蝕或等離子刻蝕技術(shù),將顯影后裸露出來的鉻層去除,僅保留未被電子束照射的部分。最終,鉻圖案成為電路設(shè)計(jì)的真實(shí)體現(xiàn)。

2.6 清洗和檢驗(yàn)

完成圖案刻蝕后,需要徹底清洗光罩以去除殘余物質(zhì),隨后進(jìn)行嚴(yán)格的光學(xué)與電子顯微檢查,以確保圖案的尺寸、形狀和對準(zhǔn)精度達(dá)到要求。

類比:可以將整個(gè)過程看作“雕刻”。石英是底板,鉻是覆蓋的金屬層,電子束就像雕刻刀,用高精度的方法將設(shè)計(jì)圖案“雕”到鉻層上。

3. 光罩在光刻中的作用

在光刻工藝中,光罩扮演著“投影模版”的角色。其作用是將設(shè)計(jì)的電路圖案通過光刻機(jī)的光源轉(zhuǎn)移到涂有光刻膠的晶圓表面。具體過程如下:

曝光:光源(如248nm的KrF或193nm的ArF激光)通過光罩的透明區(qū)域,將光罩上的圖案投影到晶圓表面。

顯影:晶圓表面涂布的光刻膠發(fā)生化學(xué)變化,顯影后形成與光罩一致的圖案。

刻蝕:顯影后的圖案通過刻蝕工藝轉(zhuǎn)移到晶圓上的特定材料層。

值得注意的是,光罩上的圖案一般是電路設(shè)計(jì)圖的4倍大小(放大比例為4:1),通過光刻機(jī)的投影系統(tǒng),將其縮小到1/4后投影到晶圓上。這種縮小不僅提高了分辨率,還降低了制造誤差。

類比:光罩就像是投影儀的“幻燈片”,通過光的投射,將圖案映射到屏幕(晶圓)上。

4. 光罩技術(shù)的挑戰(zhàn)與優(yōu)化

隨著芯片制程的推進(jìn),光罩制造和使用面臨越來越多的挑戰(zhàn)。為了解決高精度光刻的需求,人們在光罩技術(shù)中引入了多種先進(jìn)優(yōu)化措施:

4.1 光學(xué)鄰近修正(OPC)

由于光的衍射效應(yīng),光罩上的某些圖案可能在晶圓上轉(zhuǎn)移時(shí)發(fā)生形狀偏差。

OPC技術(shù)通過對光罩圖案進(jìn)行精確調(diào)整(如添加輔助圖形),補(bǔ)償可能的衍射誤差。

比喻:就像在畫畫時(shí)考慮光影效果提前調(diào)整顏色濃淡,以確保最終作品更接近真實(shí)。

4.2 相移光罩(Phase-Shift Mask, PSM)

相移光罩通過在某些區(qū)域引入相位差(如在石英上刻凹槽或使用特殊材料),增強(qiáng)圖案的對比度,提升分辨率。這種方法特別適用于極小特征尺寸的轉(zhuǎn)印。

4.3 EUV光罩的特殊性

EUV(極紫外光,13.5nm)光刻機(jī)是先進(jìn)制程的關(guān)鍵,但EUV光源的高能量對光罩材料提出了更嚴(yán)苛的要求。傳統(tǒng)的石英基底和鉻圖案已經(jīng)無法滿足需求,需使用多層膜和更復(fù)雜的反射結(jié)構(gòu)。

4.4 防塵與保護(hù):Pellicle的應(yīng)用

由于光罩極其敏感,任何灰塵或顆粒都會影響最終芯片的圖案質(zhì)量。為此,光罩表面覆蓋一層透明保護(hù)膜(Pellicle),即便有灰塵落在保護(hù)膜上,也不會影響實(shí)際的曝光效果,因?yàn)榛覊m并未處于焦平面。

比喻:Pellicle就像是手機(jī)屏幕上的貼膜,既能保護(hù)屏幕又不會影響顯示效果。

總結(jié)。光罩是連接芯片設(shè)計(jì)與制造的橋梁,其精度和質(zhì)量直接決定了芯片的性能與良率。同時(shí),隨著先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)的推進(jìn),光罩的技術(shù)門檻和復(fù)雜性不斷提高,對材料、設(shè)備、工藝等提出了全新的挑戰(zhàn)。

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原文標(biāo)題:光罩(Mask)的系統(tǒng)性講解

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