Part 01

前言

上一篇文章我們介紹了MOSFET的體二極管，我們知道了MOSFET體二極管在MOSFET中是廣泛存在的，并且MOSFET經(jīng)過了幾十年的工藝革新，在目前應(yīng)用比較廣泛的溝道MOSFET中也沒能完全解決這個問題，既然無法避免，那我們要考慮的是了解它，應(yīng)用它。關(guān)于MOSFET的體二極管，datasheet一般會給出以下幾個參數(shù)，體二極管連續(xù)正向電流，體二極管脈沖電流，體二極管正向電壓，體二極管反向恢復(fù)時間，體二極管反向恢復(fù)電荷這幾個參數(shù)。今天就詳細(xì)講解一下這個幾個參數(shù)的含義以及選型關(guān)注點。

Part 02

MOSFET的體二極管參數(shù)說明

1.Diode continuous forward current：體二極管連續(xù)正向電流 這個參數(shù)表示體二極管在連續(xù)導(dǎo)通時能夠承受的最大電流。這個值表示MOSFET在熱平衡狀態(tài)下能長期承受的電流，規(guī)格書中的這個參數(shù)是廠家在特定條件下測出來的電流值，所以僅供參考，實際我們需要結(jié)合我們PCBA的散熱設(shè)計來計算實際能流過的電流，在此不展開說明，后續(xù)單獨開文章講解對應(yīng)的計算方法。 2.Diode pulse current：體二極管脈沖電流 體二極管能夠承受的瞬態(tài)（脈沖）電流，通常用于描述MOSFET短時間內(nèi)的耐大電流沖擊能力。該參數(shù)和體二極管連續(xù)正向電流是一樣的問題，規(guī)格書中的值僅供參考，實際需要結(jié)合我們PCBA的散熱設(shè)計來計算實際能流過的電流。 3.Diode forward voltage：體二極管正向電壓 體二極管導(dǎo)通時的正向壓降，通常與正向電流相關(guān)聯(lián)。一般電流越大，體二極管正向電壓會更高。規(guī)格書中會給出體二極管正向電壓的測試條件，比如下圖環(huán)境溫度25℃，電流88A，對應(yīng)測出的最大體二極管正向電壓是1V，我們一般拿最大體二極管正向電壓乘以對應(yīng)的正向電流計算體二極管的功耗，來評估MOSFET的溫升。

MOSFET一般會給出體二極管正向電流&正向電壓&溫度的特性曲線，這樣我們可以基于電路的實際電流來更加精確的評估體二極管正向電壓。

4.Reverse recovery time：體二極管反向恢復(fù)時間 當(dāng)體二極管從正向?qū)ㄇ袚Q到反向阻斷狀態(tài)時，恢復(fù)到阻斷狀態(tài)所需的時間。對于高頻應(yīng)用，反向恢復(fù)時間越短越好，以減少開關(guān)損耗。長的恢復(fù)時間會導(dǎo)致更多的反向電流和電磁干擾，此時就需要額外的濾波設(shè)計。如果MOSFET的體二極管恢復(fù)時間較長，可以在外部并聯(lián)一個恢復(fù)時間較短的肖特基二極管。

5.Reverse recovery charge：體二極管反向恢復(fù)電荷 在體二極管反向恢復(fù)過程中，存儲在PN結(jié)中的電荷量。反向恢復(fù)過程是由電荷存儲效應(yīng)引起的，反向恢復(fù)時間就是正向?qū)〞rPN結(jié)存儲的電荷耗盡所需要的時間。所以這個參數(shù)僅供參考，我們重點關(guān)注的參數(shù)還是體二極管反向恢復(fù)時間。

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