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派恩杰榮獲“中國SiC器件Fabless十強(qiáng)企業(yè)”

派恩杰半導(dǎo)體 ? 來源:派恩杰半導(dǎo)體 ? 2024-12-16 15:11 ? 次閱讀

近日,第三代半導(dǎo)體“2024行家極光獎(jiǎng)”在深圳揭曉,數(shù)百家SiC&GaN企業(yè)代表聯(lián)袂赴宴,經(jīng)過數(shù)月時(shí)間的緊密籌劃,專家組委會(huì)和眾多行業(yè)人士投票評(píng)選,派恩杰榮耀登榜“中國SiC器件Fabless十強(qiáng)企業(yè)”。

“行家極光獎(jiǎng)”年度企業(yè)獎(jiǎng)項(xiàng)主要授予在碳化硅和氮化鎵領(lǐng)域擁有一定聲望,取得重要成績(jī),技術(shù)水平達(dá)到行業(yè)以至國內(nèi)外先進(jìn)水平,在推動(dòng)行業(yè)發(fā)展、技術(shù)創(chuàng)新和市場(chǎng)推廣等方面做出優(yōu)異成績(jī)或起到引領(lǐng)作用的企業(yè)。

2024年,第三代半導(dǎo)體繼續(xù)乘勢(shì)而上、高歌猛進(jìn),與此同時(shí),全球經(jīng)濟(jì)增長疲軟導(dǎo)致碳化硅和氮化鎵的市場(chǎng)需求出現(xiàn)波動(dòng),行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)和挑戰(zhàn)也在加劇。盡管如此,派恩杰仍不斷保持企業(yè)戰(zhàn)略定力,積極應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn),憑借過硬的技術(shù)和產(chǎn)品實(shí)力不斷突破,并獲得客戶與市場(chǎng)的一致高度好評(píng),在今年的競(jìng)爭(zhēng)中脫穎而出獲得了“中國SiC器件Fabless十強(qiáng)企業(yè)的”稱號(hào)。獲得本年度[十強(qiáng)榜單]獎(jiǎng)項(xiàng)的企業(yè)在品牌影響力、市場(chǎng)占有率、創(chuàng)新能力和未來的發(fā)展?jié)摿Φ染C合實(shí)力較為突出。

“行家極光獎(jiǎng)”是由行家說開創(chuàng),每年舉辦一屆,致力于成為碳化硅和氮化鎵半導(dǎo)體領(lǐng)域權(quán)威的行業(yè)評(píng)選活動(dòng),多年來一直秉持著公正、公開、科學(xué)、權(quán)威的原則,以產(chǎn)業(yè)縱深角度、專業(yè)嚴(yán)謹(jǐn)?shù)卦u(píng)選出獲獎(jiǎng)單位及產(chǎn)品,被譽(yù)為產(chǎn)業(yè)的“風(fēng)向標(biāo)”。

派恩杰半導(dǎo)體

成立于2018年9月的第三代半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)和方案商,國際標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)JC-70會(huì)議的主要成員之一,參與制定寬禁帶半導(dǎo)體功率器件國際標(biāo)準(zhǔn)。發(fā)布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT功率器件,其中SiC MOSFET芯片已大規(guī)模導(dǎo)入國產(chǎn)新能源整車廠和Tier 1,其余產(chǎn)品廣泛用于大數(shù)據(jù)中心、超級(jí)計(jì)算與區(qū)塊鏈5G通信基站、儲(chǔ)能/充電樁、微型光伏、城際高速鐵路和城際軌道交通、家用電器以及特高壓、航空航天、工業(yè)特種電源、UPS、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。

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原文標(biāo)題:派恩杰榮耀登榜“中國SiC器件Fabless十強(qiáng)企業(yè)”!

文章出處:【微信號(hào):派恩杰半導(dǎo)體,微信公眾號(hào):派恩杰半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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