本研究探討了半導(dǎo)體光放大器技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)，從而為研發(fā)資源管理和新技術(shù)的推廣提供參考。

摘要

隨著 5G、移動(dòng)通信和光通信技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體光放大器 （SOA） 已成為重要的研究課題。然而，大多數(shù)與 SOA 相關(guān)的研究都集中在技術(shù)討論或市場(chǎng)研究上，但未能指出關(guān)鍵的 SOA 技術(shù)和 SOA 技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)。因此，本研究對(duì) SOA 專(zhuān)利進(jìn)行了分析，并構(gòu)建了 SOA 專(zhuān)利的技術(shù)網(wǎng)絡(luò)。結(jié)果表明，關(guān)鍵的SOA技術(shù)主要應(yīng)用于激光器、半導(dǎo)體激光器、光導(dǎo)、無(wú)線通信以外的電磁波傳輸通信以及控制光源的器件。在 5 項(xiàng)關(guān)鍵 SOA 技術(shù)中，激光器 （H01S3） 占比最高，為 22.21%。因此，并不側(cè)重于特定的技術(shù)領(lǐng)域，而是具有多個(gè)技術(shù)領(lǐng)域的特征。此外，近年來(lái)半導(dǎo)體激光器也取得了長(zhǎng)足的發(fā)展。最后，專(zhuān)利權(quán)人分析表明，對(duì)于 SOA 技術(shù)，公共部門(mén)和學(xué)術(shù)界在早期技術(shù)開(kāi)發(fā)或后續(xù)技術(shù)開(kāi)發(fā)中發(fā)揮的作用相對(duì)較弱。但是，隨著移動(dòng)通信和光通信的快速發(fā)展，各國(guó)政府可以考慮在未來(lái)投入額外的研發(fā)資金和資源。本文構(gòu)建了專(zhuān)利技術(shù)網(wǎng)絡(luò)模型，以探討 SOA 技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)。這個(gè)模型可以作為研發(fā)資源管理和新技術(shù)推廣的參考。

關(guān)鍵詞

半導(dǎo)體光放大器;半導(dǎo)體激光器;專(zhuān)利分析;專(zhuān)利網(wǎng)絡(luò);技術(shù)分析

1.引言

光信號(hào)在沿光纖傳輸時(shí)具有一定程度的損耗，傳輸距離受損耗的限制，因此，必須增強(qiáng)光信號(hào)才能長(zhǎng)距離傳輸。傳統(tǒng)的強(qiáng)化方法涉及使用再生器，但不同速率和信號(hào)格式需要不同的再生器，并且每個(gè)通道都需要單獨(dú)的再生器，這需要高昂的網(wǎng)絡(luò)成本。因此，需要一種不使用發(fā)射器的方法來(lái)增強(qiáng)光信號(hào)。光放大是一種不需要使用發(fā)射器的光增強(qiáng)方法。半導(dǎo)體光放大器 （SOA） 可以支持任何速率和信號(hào)格式，因?yàn)樗鼈冎皇欠糯蠼邮盏降男盘?hào)。此外，與光纖放大器相比，SOA 的結(jié)構(gòu)更小，更容易與其他器件集成。隨著新一波可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)，小型和低功耗元件越來(lái)越受到關(guān)注。因此，SOA 是主流研究中感興趣的話題 [1–3]。

隨著光通信技術(shù)的發(fā)展，對(duì)實(shí)現(xiàn)高速、大容量的需求越來(lái)越多，SOA 已成為一個(gè)重要的研究課題。根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) Technovio 的報(bào)告，2019 年至 2023 年期間，全球光放大器市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng) 9.3594 億美元，年復(fù)合年增長(zhǎng)率 （CAGR） 接近 9% [4]。因此，全球 SOA 市場(chǎng)將繼續(xù)增長(zhǎng) [5]，越來(lái)越多的研究集中在 SOA 技術(shù)的發(fā)展上 [1–3]。然而，以前的研究主要集中在技術(shù)細(xì)節(jié)的討論 [6–8] 或市場(chǎng)研究 [5,9]。這些研究未能指出推動(dòng) SOA 發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)，具體來(lái)說(shuō)，SOA 用于多個(gè)領(lǐng)域，包括光纖、激光器、光學(xué)元件、半導(dǎo)體制造和通信元件。因?yàn)?SOA 具有無(wú)限的未來(lái)業(yè)務(wù)可能性，所以識(shí)別關(guān)鍵技術(shù)很重要。對(duì)于研究型大學(xué)或企業(yè)來(lái)說(shuō)，最關(guān)鍵的問(wèn)題是資源配置，即確定要投資于不同技術(shù)領(lǐng)域的人員數(shù)量或資金量。本文試圖通過(guò)對(duì)關(guān)鍵技術(shù)使用網(wǎng)絡(luò)分析方法，解釋不同技術(shù)領(lǐng)域在技術(shù)網(wǎng)絡(luò)中的地位和位置，并確定關(guān)鍵技術(shù)來(lái)解決這個(gè)問(wèn)題。本研究的重點(diǎn)是通過(guò)專(zhuān)利分析構(gòu)建了 SOA 技術(shù)網(wǎng)絡(luò)模型。專(zhuān)利是衡量創(chuàng)新產(chǎn)出的最直接證據(jù)，可以作為觀察技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)的指標(biāo)[10–12]，可以使用專(zhuān)利進(jìn)行產(chǎn)學(xué)研技術(shù)合作成果的研究[13?14]或工業(yè)技術(shù)的相關(guān)研究[15?16]，專(zhuān)利信息可以作為技術(shù)發(fā)展的最直接指標(biāo)之一。本研究根據(jù)專(zhuān)利信息考察了 SOA 技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)和關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域?？傮w而言，本研究與以前討論 SOA 技術(shù)和市場(chǎng)方面的研究不同，因?yàn)樗饕懻?SOA 的關(guān)鍵技術(shù)，建立技術(shù)網(wǎng)絡(luò)模型和并探討技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)。本研究結(jié)果可為政府、學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)提供參考。隨后的文獻(xiàn)綜述側(cè)重于 SOA 和關(guān)鍵技術(shù)網(wǎng)絡(luò)分析的研究。此外，在論文結(jié)束之前，介紹了本研究用于關(guān)鍵技術(shù)網(wǎng)絡(luò)分析的研究設(shè)計(jì)和實(shí)證證據(jù)。

2.文獻(xiàn)綜述

2.1.SOA 的發(fā)展現(xiàn)狀

SOA 是一種直接放大光信號(hào)的器件，無(wú)需先將其轉(zhuǎn)換為電信號(hào) [17]。SOA 由半導(dǎo)體材料制成，具有與半導(dǎo)體激光器相同的工作原理，換句話說(shuō)，受激能級(jí)躍遷現(xiàn)象用于光信號(hào)放大。SOA 具有體積小、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、功耗低、壽命長(zhǎng)、成本低等特點(diǎn)。它們可以很容易地與其他光學(xué)元件和電路集成，適合大規(guī)模生產(chǎn)，并可以實(shí)現(xiàn)放大和切換功能，SOA 在光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換和光交換應(yīng)用中受到廣泛重視。SOA 基本上是半導(dǎo)體激光管，它可以放大來(lái)自光纖端任一側(cè)的任何光信號(hào)，并將放大后的信號(hào)從通過(guò)另一端連接的光纖中發(fā)送出去，SOA采用小型封裝，雙向傳輸，從而減小了設(shè)備的尺寸。然而，它有一些局限性，包括高耦合損耗、偏振相關(guān)性、和高噪聲系數(shù)，需要高質(zhì)量的抗反射涂層 [18]。因此，未來(lái)的研究方向是改善這些局限性。

由于光信號(hào)在光系統(tǒng)中的傳播過(guò)程中總是會(huì)衰減，因此，光放大器是長(zhǎng)距離傳輸系統(tǒng)中不可或缺的組件。與 SOA 相關(guān)的技術(shù)包括光學(xué) [2,3]、半導(dǎo)體 [1]、材料 [19]、通信 [20] 和表面處理 [21] 技術(shù)，因此，SOA 構(gòu)成了一個(gè)跨學(xué)科的研究課題。此外，隨著 5G、移動(dòng)通信和光通信技術(shù)的發(fā)展，各國(guó)政府目前高度重視 SOA 的發(fā)展?jié)摿?，相信?huì)分配足夠的資源來(lái)促進(jìn)該技術(shù)的發(fā)展[5]。因此，本研究以 SOA 為主要分析對(duì)象，通過(guò)專(zhuān)利分析確定了關(guān)鍵的 SOA 技術(shù)。關(guān)鍵技術(shù)的探索是通過(guò)網(wǎng)絡(luò)分析進(jìn)行的，這將在下面的文本中詳細(xì)解釋。

2.2. 關(guān)鍵技術(shù)網(wǎng)絡(luò)分析

一些研究使用網(wǎng)絡(luò)分析來(lái)考察某些知識(shí)領(lǐng)域的研究趨勢(shì)和發(fā)展軌跡 [22,23]，并確定特定國(guó)家的知識(shí)圖譜、方向和技術(shù)發(fā)展 [24,25]。網(wǎng)絡(luò)分析也被用于探索技術(shù)合作和知識(shí)流動(dòng)狀態(tài) [26?27]，網(wǎng)絡(luò)分析還可以精確指示技術(shù)和知識(shí)的傳輸路徑和演變。具體來(lái)說(shuō)，專(zhuān)利數(shù)據(jù)分析可以提供有關(guān)技術(shù)發(fā)展的客觀可行的信息。這些信息包括專(zhuān)利批準(zhǔn)年份、數(shù)量和技術(shù)類(lèi)別 [28]，因此專(zhuān)利數(shù)據(jù)可用于分析某些技術(shù)的發(fā)展。本研究使用網(wǎng)絡(luò)分析來(lái)檢查技術(shù)節(jié)點(diǎn)之間的連通性和共現(xiàn)性。用于對(duì)技術(shù)進(jìn)行分類(lèi)的方法基于 Mun 等 [29] 和 Zhang 等 [30] 的研究，也使用了現(xiàn)有和成熟的專(zhuān)利分類(lèi)結(jié)構(gòu)。網(wǎng)絡(luò)分析用于檢查 SOA 的關(guān)鍵參與者，以觀察關(guān)鍵的 SOA 技術(shù)領(lǐng)域。

3.研究設(shè)計(jì)

3.1.檢索策略和數(shù)據(jù)來(lái)源

本研究主要采用來(lái)自美國(guó)專(zhuān)利商標(biāo)局 （USPTO） 的數(shù)據(jù)，因?yàn)槊绹?guó)系統(tǒng)在國(guó)際技術(shù)分析方面具有普遍的代表性。此外由于美國(guó)是世界上最大的商業(yè)貿(mào)易市場(chǎng)，研究人員在衡量全球創(chuàng)新活動(dòng)時(shí)通常采用美國(guó)專(zhuān)利商標(biāo)局?jǐn)?shù)據(jù)庫(kù)[28,31]。專(zhuān)利數(shù)據(jù)僅限于 1990 年 1 月至 2019 年 12 月期間宣布的美國(guó)專(zhuān)利，此外，使用 Derwent 智能檢索工具用于專(zhuān)利檢索。Derwent 智能檢索工具中使用的過(guò)程相當(dāng)于數(shù)百名專(zhuān)家閱讀數(shù)據(jù)庫(kù)中注冊(cè)的官方專(zhuān)利的全部公共數(shù)據(jù)，然后進(jìn)行翻譯、重寫(xiě)關(guān)鍵點(diǎn)和摘要、調(diào)試、規(guī)范化專(zhuān)利權(quán)人，并將重寫(xiě)和規(guī)范化的數(shù)據(jù)記錄在數(shù)據(jù)庫(kù)中。Derwent 智能搜索是一種涉及手動(dòng)閱讀和排列的關(guān)鍵詞搜索方法。檢索標(biāo)準(zhǔn)為“SSTO/ Semiconductor Optical Amplifier”，共找到 990 項(xiàng)專(zhuān)利。此外，對(duì)于技術(shù)網(wǎng)絡(luò)的分類(lèi)，USPTO 和歐洲專(zhuān)利局于 2013 年初建立了合作專(zhuān)利分類(lèi) （CPC） 系統(tǒng)。因此，本研究采用 CPC 系統(tǒng)對(duì)專(zhuān)利進(jìn)行分類(lèi)。

3.2. 關(guān)鍵參與者分析

本研究使用關(guān)鍵參與者分析來(lái)探索技術(shù)網(wǎng)絡(luò)內(nèi)的關(guān)鍵技術(shù)。通過(guò)技術(shù)網(wǎng)絡(luò)分析確定專(zhuān)利技術(shù)網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵技術(shù)。每個(gè)技術(shù)領(lǐng)域的中心性都引用了 Abraham 等人 [32]，使用 Key Player problem-positive 和 Key Player problem-negative 兩種方法，對(duì)網(wǎng)絡(luò)中的關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行分類(lèi)。

3.2.1. Key Player problem-positive

Key Player problem-positive方法是指一個(gè)節(jié)點(diǎn)連接到其他節(jié)點(diǎn)的能力。這種能力主要基于相鄰中心性和特征向量中心性。相鄰中心性是指一個(gè)節(jié)點(diǎn)與其他節(jié)點(diǎn)之間的最小距離之和的倒數(shù)。一個(gè)節(jié)點(diǎn)與其他節(jié)點(diǎn)越近，該節(jié)點(diǎn)的接近度或可訪問(wèn)性就越高。

其中 d(ni, nj) 表示節(jié)點(diǎn) ni 到節(jié)點(diǎn) nj 的距離。

特征向量中心性反映了一個(gè)節(jié)點(diǎn)是否與大量節(jié)點(diǎn)連接，以及所考慮的節(jié)點(diǎn)連接的節(jié)點(diǎn)是否同時(shí)連接到其他節(jié)點(diǎn)。如果一個(gè)節(jié)點(diǎn)連接到中心性較高的節(jié)點(diǎn)，則該節(jié)點(diǎn)具有高度的中心性。換句話說(shuō)，相鄰節(jié)點(diǎn)不相等 [33]。

其中 Ce(ni) 和 Ce(nj) 是節(jié)點(diǎn) i 和節(jié)點(diǎn) j 的特征向量中心性；aij表示進(jìn)入相鄰矩陣 A 的節(jié)點(diǎn)；λ 是相鄰矩陣 A 的最大特征向量值，是一個(gè)常數(shù)。

在上述公式中，一個(gè)節(jié)點(diǎn)的特征向量中心性被認(rèn)為是所有其他節(jié)點(diǎn)的中心性的線性組合，因此，從公式 [34] 中得到一個(gè)線性函數(shù)。

3.2.2. Key Player problem-negative

Key Player problem-negative方法考慮了網(wǎng)絡(luò)穩(wěn)定性的維護(hù)。因此，刪除節(jié)點(diǎn)會(huì)將網(wǎng)絡(luò)更改為分段網(wǎng)絡(luò)。該方法主要基于中介中心性和加固結(jié)構(gòu)孔。中介中心性是指網(wǎng)絡(luò)中的某些節(jié)點(diǎn)依賴(lài)于某些節(jié)點(diǎn)(中介)，即媒介，與網(wǎng)絡(luò)中的其他節(jié)點(diǎn)連接。不同節(jié)點(diǎn)之間的連接和流動(dòng)取決于節(jié)點(diǎn)的中心性程度。

其中 gjk表示從節(jié)點(diǎn) j 到節(jié)點(diǎn) k 的快捷方式數(shù)量；gjk(ni) 表示節(jié)點(diǎn) j 必須通過(guò)節(jié)點(diǎn)i才能到達(dá)節(jié)點(diǎn) k 的快捷方式數(shù)量。

除了中介中心性之外，另一個(gè)衡量節(jié)點(diǎn)中介能力的指標(biāo)是結(jié)構(gòu)孔的數(shù)量。結(jié)構(gòu)孔描述了占據(jù)網(wǎng)絡(luò)消息通信主要路由的節(jié)點(diǎn)的特征。Burt [35] 指出，結(jié)構(gòu)孔的影響可以通過(guò)加固結(jié)構(gòu)孔RSH 值來(lái)確定，RSH 值介于 0 和 1 之間，RSH 值越高表示結(jié)構(gòu)孔的效果越好。

其中 Cij 表示將總和乘以i的 i-j 結(jié)構(gòu)孔的程度，以定義一個(gè)從 0 到 1 變化的變量 RSH，該變量RSH與i周?chē)木W(wǎng)絡(luò)加強(qiáng) i-j結(jié)構(gòu)孔的程度而變化；Pik 表示 i 和 k 之間連接的強(qiáng)度（j 和 i 之間的連接除以 i 的其他連接之和）;mij表示i和 j之間連接的連接強(qiáng)度（j 和 i 之間的連接除以 i的再i網(wǎng)絡(luò)中的最大連接）;mkj表示 k 和 j 之間連接的邊際強(qiáng)度。

其中總和是i的所有連接點(diǎn) k、k≠i、j。當(dāng) i 沒(méi)有 i-j 結(jié)構(gòu)孔（mij等于 1）或 i 的所有其他接點(diǎn)都是到 j 的橋（所有 mkj 都等于 1）時(shí)，表達(dá)式 Cij為零。索引接近 1 的程度是 j 與 j 斷開(kāi)連接，并且 i 最近的聯(lián)系人也與 j 斷開(kāi)連接。

--未完待續(xù)--

參考文獻(xiàn)：

1. Ahmad, H.; Azmy, N.F.; Azmi, A.N.; Zulkifli, M.Z.; Ismail, M.F. Configurable triple wavelength semiconductor optical amplifier fiber laser using multiple broadband mirrors. Microw. Opt. Technol. Lett. 2020, 62, 46–52.

2. Lu, Y.; Wang, F.; Gu, J.; Shi, L.; Pengm, M.; Huang, J.; Kang, W. Photonic generation of broadly tunable radio-frequency signal using a reflective semiconductor optical amplifier. Opt. Appl. 2019, 49, 27–36.

3. Yang, X.; Lindberg, R.; Margulis, W.; Fr?jdh, K.; Laurell, F. Continuously tunable, narrow-linewidth laser based on a semiconductor optical amplifier and a linearly chirped fiber Bragg grating. Opt. Express 2019, 27, 14213–14220.

4. Technovio. Global Optical Amplifier Market 2019–2023; Technovio: London, UK, 2018.

5. Marketandresearch.biz. Global Semiconductor Optical Amplifier (SOA) Market Research Report 2019; Marketandresearch.biz: New York, NY, USA, 2019.

6. Kaur, S.; Shukla, M.K. All-optical parity generator and checker circuit employing semiconductor optical amplifier-based Mach-Zehnder interferometers. Opt. Appl. 2017, 47, 263–271.

7. Li, Q.; Wang, Z.; Wang, H.; Cui, C.; Wu, C. Artificial neuron based on nonlinear polarization rotation in a semiconductor optical amplifier. Opt. Commun. 2019, 435, 405–408.

8. Nosratpour, A.; Razaghi, M.; Darvish, G. Numerical analysis of four wave mixing in photonic crystal semiconductor optical amplifier. Opt. Commun. 2019, 433, 104–110.

9. GenMarketInsights. Global Semiconductor Optical Amplifier (SOA) Market Insights, Forecast to 2025; GenMarketInsights: Pune, India, 2018.

10. Gui, B.; Ju, Y.; Liu, Y. Mapping technological development using patent citation trees: An analysis of bogie technology. Technol. Anal. Strateg. Manag. 2019, 31, 213–226.

11. Lee, C.; Lee, G. Technology opportunity analysis based on recombinant search: Patent landscape analysis for idea generation. Scientometrics 2019, 121, 603–632.

12. Woo, H.G.; Yeom, J.; Lee, C. Screening early stage ideas in technology development processes: A text mining and K-nearest neighbours approach using patent information. Technol. Anal. Strateg. Manag. 2019, 31, 532–545.

13. Ardito, L. Markets for university inventions: The role of patents’ underlying knowledge in university-to-industry technology commercialisation. Int. J. Technol. Manag. 2018, 78, 9–27.

14. Azagra-Caro, J.M.; Barberá-Tomás, D.; Edwards-Schachter, M.; Tur, E.M. Dynamic interactions between university-industry knowledge transfer channels: A case study of the most highly cited academic patent. Res. Policy 2017, 46, 463–674.

15. Kim, M.; Park, Y.; Yoon, J. Generating patent development maps for technology monitoring using semantic patent-topic analysis. Comput. Ind. Eng. 2016, 98, 289–299.

16. Yan, B.; Luo, J. Filtering patent maps for visualization of diversification paths of inventors and organizations. J. Assoc. Inf. Sci. Technol. 2017, 68, 1551–1563. Appl. Sci. 2020, 10, 1552 11 of 11

17. Imran, M.; Collier, M.; Landais, P. Performance analysis of semiconductor optical amplifier as a gate switch. Aip Conf. Proc. 2019, 2146, 020016.

18. Transparency Market Research. Optical Amplifiers Market—Global Industry Analysis, Size, Share, Growth, Trends and Forecast 2015–2023; Transparency Market Research: Albany, NY, USA, 2020.

19. Wang, W.; Allaart, K.; Lenstra, D. Semiconductor optical amplifier gain anisotropy: Confinement factor against material gain. Electron. Lett. 2004, 40, 1602–1603. [CrossRef]

20. Yang, S.; Zhang, Y.; Li, Q.; Zhu, X.; Bergman, K.; Magill, P.; Baehr-Jones, T.; Hochberg, M. Quantum dot semiconductor optical amplifier/silicon external cavity laser for O-band high-speed optical communications. Opt. Eng. 2015, 54, 1–5.

21. Soto, H.; García, E.; Marquez, H.; Valles, N. A simple experimental technique to obtain an optimum antireflection coating in semiconductor optical amplifiers. Microw. Opt. Technol. Lett. 2000, 27, 223–225.

22. Chen, K.; Zhang, Y.; Fu, X. International research collaboration: An emerging domain of innovation studies? Res. Policy 2019, 48, 149–168.

23. Silva, J.T.M.; Ablanedo-Rosas, J.H.; Rossetto, D.E. A longitudinal literature network review of contributions made to the academy over the past 55 years of the IJPR. Int. J. Prod. Res. 2019, 57, 4627–4653.

24. De Paulo, A.F.; Porto, G.S. Solar energy technologies and open innovation: A study based on bibliometric and social network analysis. Energy Policy 2017, 108, 228–238.

25. Shen, F.; Ma, T.A. methodology to position nations’ efforts in a technology domain with a patent network analysis: Case of the electric vehicle domain. Technol. Anal. Strateg. Manag. 2018, 30, 1084–1104.

26. Ho, Y.; Chiu, H. A social network analysis of leading semiconductor companies’ knowledge flow network. Asia Pac. J. Manag. 2013, 30, 1265–1283.

27. Jewell, J.; Vetier, M.; Garcia-Cabrera, D. The international technological nuclear cooperation landscape: A new dataset and network analysis. Energy Policy 2019, 128, 838–852.

28. Graham, S.J.H.; Marco, A.C.; Myers, A.F. Patent transactions in the marketplace: Lessons from the USPTO patent assignment dataset. J. Econ. Manag. Strategy 2018, 27, 343–371.

29. Mun, C.; Yoon, S.; Park, H. Structural decomposition of technological domain using patent co-classification and classification hierarchy. Scientometrics 2019, 121, 633–652.

30. Zhang, T.; Chen, J.; Jia, X. Identification of the key fields and their key technical points of oncology by patent analysis. PLoS ONE 2015, 10, 1–18.

31. Zahringer, K.; Kolympiris, C.; Kalaitzandonakes, N. Time to patent at the USPTO: The case of emerging entrepreneurial firms. J. Technol. Transf. 2018, 43, 923–952.

32. Abraham, A.; Hassanien, A.E.; Sná?el, V. Computational Social Network Analysis: Trends, Tools and Research Advances; Springer: London, UK, 2010.

33. Batool, K.; Niazi, M.A. Towards a methodology for validation of centrality measures in complex networks. PLoS ONE 2014, 9, 1–14.

34. Borgatti, S.P.; Everett, M.G. A Graph-theoretic perspective on centrality. Soc. Netw. 2006, 28, 466–484.

35. Burt, R.S. Reinforced structural holes. Soc. Netw. 2015, 43, 149–161.

36. Sharma, K.; Baul, S. Global Semiconductor Lasers Market: Opportunity Analysis and Industry Forecast, 2014–2022; Allied Market Research: London, UK, 2017.

37. Espacenet. CPC Scheme and CPC Definitions. Available online:https://www.cooperativepatentclassification.org/cpcSchemeAndDefinitions/table (accessed on 12 February 2020).

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