近年來,新能源產業(yè)的崛起以及智能制造、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等新興領域的蓬勃發(fā)展,為功率半導體器件市場注入了強勁的增長動力。其中,氮化鎵作為第三代半導體材料的杰出代表,憑借其卓越的物理性能和廣泛的應用前景,已成為推動功率半導體行業(yè)轉型升級的核心力量。
在這一領域,英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司(以下簡稱“英諾賽科”)憑借其深厚的技術底蘊和前瞻性的戰(zhàn)略布局,成功躋身行業(yè)領先地位。作為公認的頭部企業(yè),英諾賽科在功率半導體領域具有舉足輕重的地位。
近日,英諾賽科宣布于12月18日至12月23日開啟港股招股計劃,擬全球發(fā)售45,364,000股H股。此次招股的發(fā)售價區(qū)間為30.86港元至33.66港元,每手100股。預計于12月30日,英諾賽科將正式登陸聯(lián)交所,開啟新的發(fā)展階段。
英諾賽科的此次港股招股,不僅彰顯了其在功率半導體行業(yè)的領先地位,也為其未來的發(fā)展注入了新的活力。隨著新能源和智能制造等領域的持續(xù)發(fā)展,英諾賽科有望憑借其在氮化鎵等第三代半導體材料方面的技術優(yōu)勢,進一步拓展市場份額,引領功率半導體行業(yè)的變革與升級。
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