在近期的2024年IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議(IEDM 2024)上，英特爾代工展現(xiàn)了一系列創(chuàng)新技術(shù)，為半導(dǎo)體行業(yè)的未來發(fā)展注入了強(qiáng)勁動(dòng)力。

在新材料領(lǐng)域，英特爾代工推出的減成法釕互連技術(shù)，成功將線間電容降低了最高25%，這一突破性的成果有望極大地改善芯片內(nèi)部的互連性能，提升整體運(yùn)算效率。

此外，英特爾代工還率先發(fā)布了一種用于先進(jìn)封裝的異構(gòu)集成解決方案。該方案通過創(chuàng)新的封裝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了超快速的芯片間組裝，吞吐量提升高達(dá)100倍，為高性能計(jì)算和低功耗應(yīng)用提供了全新的可能性。

為了推動(dòng)全環(huán)繞柵極(GAA)技術(shù)的進(jìn)一步微縮，英特爾代工展示了硅基RibbionFET CMOS技術(shù)和2D場(chǎng)效應(yīng)晶體管(2D FETs)的柵氧化層模塊。這兩項(xiàng)技術(shù)不僅提高了設(shè)備的性能，還為半導(dǎo)體器件的微縮化提供了新的思路和方法。

這些技術(shù)突破不僅展示了英特爾代工在半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新實(shí)力，更為全球半導(dǎo)體行業(yè)的未來發(fā)展指明了方向。相信在英特爾代工的推動(dòng)下，半導(dǎo)體行業(yè)將迎來更加繁榮和可持續(xù)的發(fā)展。