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詳解IGBT并聯(lián)的技術(shù)要點(2)

安森美 ? 來源:安森美 ? 2025-01-21 09:48 ? 次閱讀

大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來處理高達數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負載,并聯(lián)器件可以是分立封裝器件,也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱,有時也是為了系統(tǒng)冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化,會影響并聯(lián)器件的靜態(tài)和動態(tài)電流分配。

本白皮書將探討IGBT并聯(lián)的技術(shù)要點,第一篇“IGBT的并聯(lián)知識點梳理:靜態(tài)變化、動態(tài)變化、熱系數(shù)”,我們介紹了靜態(tài)變化、動態(tài)變化、熱系數(shù)。本文將繼續(xù)介紹柵極電阻、經(jīng)驗數(shù)據(jù)。

柵極電阻

關(guān)于柵極驅(qū)動和返回路徑的阻抗匹配問題,已有很多論述。眾所周知,阻抗匹配越好,IGBT 的功率和電流均衡就越好

關(guān)于這個問題的大多數(shù)討論,都建議必須使用單獨的柵極驅(qū)動電阻。為每個 IGBT 提供一個柵極電阻可降低并聯(lián)器件之間發(fā)生振蕩的可能性,但同時也會增加器件的開通和關(guān)斷時間及特性曲線的差異性。

如果使用一個共用柵極電阻,在不引起振蕩的情況下,電流波形將更加匹配,因為兩個柵極同時處于相同的電位。

圖 1 和圖 2 顯示了兩個并聯(lián)運行的 IGBT,分別使用了單獨和共用的柵極電阻。

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圖 1. 獨立柵極電阻的關(guān)斷波形

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圖 2. 共用柵極電阻的關(guān)斷波形

我們特意挑選了特性不同的 IGBT 進行測試,以便在使用不匹配的器件時可以看出它們之間的差異。有關(guān)所使用的 IGBT 測試的更多信息,請參見下面的"經(jīng)驗數(shù)據(jù)"部分。

上面標有 IGBT 編號的波形是集電極電流,下面的曲線是集電極電壓。

在此測試中,使用兩個 22 Ω電阻進行驅(qū)動,并帶有單獨的柵極電阻;使用一個 11 Ω電阻進行驅(qū)動,并帶有共用柵極電阻。IGBT為 40 A、600 V、NGTB40N60IHL 器件。

示波器截圖中可以看出,盡管共用柵極電阻不會對電流均衡產(chǎn)生影響,但它確實大大改善了開關(guān)波形的匹配。

如果器件之間出現(xiàn)振蕩,則有必要為每個 IGBT 使用單獨的電阻;即使在這種情況下,也可以使用一個共用電阻與單獨的電阻串聯(lián)。

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圖 3. 共用柵極電阻和單獨柵極電阻結(jié)合使用

圖 3 所示電路采用了共用和單獨柵極電阻的組合。一旦構(gòu)建完成,可以很容易地在兩個極端之間調(diào)整電阻值,以盡可能地匹配開關(guān)特性,同時消除兩個 IGBT 之間的振蕩。

經(jīng)驗數(shù)據(jù)

對一組 NGTB40N60IHL IGBT 進行序列化,并測試了導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。然后根據(jù)導(dǎo)通損耗和總開關(guān)損耗繪制了這些數(shù)據(jù)。選擇兩組器件。1 號和 26 號單元用于測試不同的器件,2 號和 27 號單元用于測試相似的器件。

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圖 4. NGTB40N60IHL IGBT 樣品的散點圖

以下三個示波器軌跡顯示了兩個最佳匹配器件(2 號、26 號)的集電極-發(fā)射極電壓和集電極電流

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圖 5. 匹配器件的開通波形

盡管兩個器件非常匹配,但開啟時的電流還是存在差異。不過,這種不平衡不會持續(xù)很長時間,由于VCE(sat)參數(shù)的匹配,穩(wěn)態(tài)電流基本相等。

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圖 6. 匹配器件的關(guān)斷波形

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圖 7. 匹配器件的脈沖波形

從上述波形可以看出,盡管兩個器件的導(dǎo)通曲線并不相同,但電流趨于一致,關(guān)斷波形也完全相同。使用單個柵極驅(qū)動電阻重現(xiàn)圖 7,波形沒有變化。

還應(yīng)注意的是,我們是根據(jù)總開關(guān)損耗對IGBT進行匹配的,因此單個開通和關(guān)斷損耗可能并不完全匹配。

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圖 8. 不匹配器件的開通波形

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圖 9. 不匹配器件的關(guān)斷波形

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圖 10. 不匹配器件的脈沖波形

對于不匹配的 IGBT,開通和關(guān)斷的路徑相似,但導(dǎo)通電流在整個脈沖持續(xù)時間內(nèi)存在顯著差異。

雖然最好能有完美適配的器件,但也可以容忍一定程度的參數(shù)差異。熱管理系統(tǒng)的設(shè)計必須考慮到這些差異。VCE(sat)參數(shù)對兩個(或多個)器件之間的功率損耗差異影響最大。

上述所有波形均使用 11 Ω 的公共柵極電阻。

測試電路板

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圖 11. 用于并聯(lián)測試的測試板和散熱器

此設(shè)置用于測試IGBT并生成本應(yīng)用說明中的波形。盡量匹配兩個IGBT之間的阻抗。雖然有兩個驅(qū)動器,但實際測試中只使用了一個,因此驅(qū)動器不會造成時序差異。

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圖 12. 測試電路圖

并聯(lián)器件檢查清單

盡可能匹配電氣阻抗。

盡可能匹配熱阻抗。

保持較高的柵極驅(qū)動電壓。

使用公共柵極電阻器,除非發(fā)生振蕩。

結(jié)語

本應(yīng)用說明討論了與并聯(lián) IGBT 相關(guān)的幾個問題。選擇較高的柵極驅(qū)動電壓和正確的柵極電阻配置,對于電流均衡與匹配的熱布局和電氣布局同樣重要,參考本文探討的信息將有助于確保設(shè)計的可靠性。

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原文標題:IGBT并聯(lián)設(shè)計指南,拿下!

文章出處:【微信號:onsemi-china,微信公眾號:安森美】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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