在半導體制造領(lǐng)域，晶圓作為芯片的基礎(chǔ)母材，其質(zhì)量把控的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一便是對 BOW（彎曲度）的精確測量。而在測量過程中，特氟龍夾具的晶圓夾持方式與傳統(tǒng)的真空吸附方式有著截然不同的特性，這些差異深刻影響著晶圓 BOW 的測量精度與可靠性，對整個半導體工藝鏈的穩(wěn)定性起著不可忽視的作用。

一、真空吸附方式剖析

真空吸附方式長期以來在晶圓測量領(lǐng)域占據(jù)主導地位。它借助布滿吸盤表面的微小氣孔，通過抽真空操作，使晶圓底面與吸盤緊密貼合。從穩(wěn)定性角度來看，這種方式表現(xiàn)卓越，強大且均勻的吸附力能夠有效抵御外界輕微震動、氣流擾動等干擾因素，為高精度測量儀器提供了近乎理想的靜態(tài)工作平臺。

然而，當聚焦于晶圓 BOW 測量時，真空吸附的弊端逐漸顯現(xiàn)。晶圓在經(jīng)歷一系列復雜的制造工藝，如高溫退火、化學機械拋光、薄膜沉積等過程后，內(nèi)部積聚了錯綜復雜的應力。真空吸附施加的大面積均勻壓力，如同給晶圓披上了一層無形卻緊固的 “束縛鎧甲”，在一定程度上掩蓋了晶圓真實的彎曲形態(tài)。對于一些細微的 BOW 變化，尤其是幾微米甚至更小尺度的形變，測量探頭難以穿透這層 “壓力屏障” 精準捕捉，導致測量結(jié)果往往低于晶圓實際的彎曲程度，為后續(xù)工藝優(yōu)化與質(zhì)量管控埋下隱患。

二、特氟龍夾具夾持方式特性

特氟龍夾具的晶圓夾持方式則另辟蹊徑。特氟龍材料因其極低的摩擦系數(shù)、化學穩(wěn)定性以及良好的柔韌性脫穎而出，成為制作夾具的優(yōu)選材質(zhì)。特氟龍夾具通常設(shè)計為在晶圓邊緣選取若干關(guān)鍵點位進行夾持，這種設(shè)計理念旨在最大限度地減少對晶圓中心區(qū)域應力釋放的影響，讓晶圓能夠自然呈現(xiàn)其原本的彎曲或翹曲形態(tài)。

與真空吸附不同，特氟龍夾具并非通過大面積的壓力貼合來固定晶圓，而是利用其特殊材質(zhì)的摩擦力與適度的夾持力，溫柔且精準地 “握住” 晶圓。這意味著在測量過程中，晶圓中心因自身應力產(chǎn)生的 BOW 能夠相對自由地展現(xiàn)，不會受到過度的外力約束。例如，在對經(jīng)過高溫制程后的晶圓進行 BOW 測量時，特氟龍夾具能允許晶圓依據(jù)內(nèi)部熱應力分布自然地向某一方向彎曲，使得測量設(shè)備能夠更接近真實地探測到晶圓的彎曲狀態(tài)。

三、對測量 BOW 精度的影響對比

1，精度提升潛力

在精度提升方面，特氟龍夾具夾持方式展現(xiàn)出獨特優(yōu)勢。以某款用于高端智能手機芯片制造的晶圓為例，經(jīng)模擬實際工況的熱循環(huán)測試后，晶圓中心出現(xiàn)約 30 微米的凹陷彎曲。采用特氟龍夾具夾持測量時，測量所得 BOW 值與理論計算值偏差控制在 5% 以內(nèi)，能夠精準反映晶圓的實際彎曲情況。而真空吸附方式下，由于其對晶圓形變的抑制作用，測量偏差高達 20% 以上，無法為后續(xù)工藝提供可靠的厚度數(shù)據(jù)參考，高下立判。

這是因為特氟龍夾具避免了真空吸附的 “過度矯正” 問題，給予測量探頭更直接接觸晶圓真實彎曲表面的機會，使得從幾微米到幾十微米的彎曲變化都能被精確捕捉，為高精度芯片制造工藝提供了堅實的數(shù)據(jù)保障。

2，數(shù)據(jù)真實性保障

在批量測量晶圓 BOW 時，特氟龍夾具憑借其穩(wěn)定且輕柔的夾持特性，確保每一片晶圓在測量平臺上的放置姿態(tài)和受力狀態(tài)相對一致，且更貼近自然狀態(tài)。無論測量環(huán)境溫度、濕度如何微小波動，或是設(shè)備運行產(chǎn)生的輕微震動，特氟龍夾具都能有效緩沖外界干擾，使晶圓維持穩(wěn)定測量條件。

實驗數(shù)據(jù)表明，在連續(xù)測量同一批次 50 片晶圓 BOW 過程中，特氟龍夾具夾持方案下測量數(shù)據(jù)的標準差僅為 3 微米左右，相較于真空吸附方式動輒超過 8 微米的標準差，特氟龍夾具極大保障了 BOW 測量數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性與真實性，方便工藝工程師快速篩選出 BOW 異常晶圓，提升生產(chǎn)效率與產(chǎn)品質(zhì)量管控水平。

四、面臨的挑戰(zhàn)與應對策略

盡管特氟龍夾具夾持方式優(yōu)勢顯著，但在實際應用與推廣中仍面臨挑戰(zhàn)。一方面，特氟龍夾具的制造精度要求極高，夾具與晶圓接觸點的尺寸、形狀以及夾持力的均勻性稍有偏差，就可能導致晶圓局部受力不均，產(chǎn)生微小變形，影響測量精度。這需要借助先進的精密加工技術(shù)優(yōu)化夾具設(shè)計，結(jié)合高精度壓力傳感器實時監(jiān)測與反饋調(diào)控，確保夾持力均勻穩(wěn)定。

另一方面，隨著晶圓尺寸向更大直徑發(fā)展，維持特氟龍夾具夾持的穩(wěn)定性愈發(fā)困難。研發(fā)適配大尺寸晶圓的多段式、自適應夾具結(jié)構(gòu)，配合智能算法動態(tài)調(diào)整夾持策略，保障不同尺寸規(guī)格下晶圓 BOW 測量的精準性，成為當下亟待攻克的技術(shù)難題。

綜上所述，特氟龍夾具的晶圓夾持方式在測量 BOW 方面相較于真空吸附方式展現(xiàn)出高精度、高穩(wěn)定性、真實還原形變等諸多優(yōu)勢，雖面臨技術(shù)挑戰(zhàn)，但隨著科研人員持續(xù)攻堅克難，不斷優(yōu)化創(chuàng)新，有望成為晶圓測量夾持的主流方案，為蓬勃發(fā)展的半導體產(chǎn)業(yè)注入強勁動力，助力高端芯片制造邁向新征程。

五、高通量晶圓測厚系統(tǒng)

高通量晶圓測厚系統(tǒng)以光學相干層析成像原理，可解決晶圓/晶片厚度TTV（Total Thickness Variation，總厚度偏差）、BOW（彎曲度）、WARP（翹曲度），TIR（Total Indicated Reading 總指示讀數(shù)，STIR（Site Total Indicated Reading 局部總指示讀數(shù)），LTV（Local Thickness Variation 局部厚度偏差）等這類技術(shù)指標。

高通量晶圓測厚系統(tǒng)，全新采用的第三代可調(diào)諧掃頻激光技術(shù)，相比傳統(tǒng)上下雙探頭對射掃描方式；可一次性測量所有平面度及厚度參數(shù)。

1，靈活適用更復雜的材料，從輕摻到重摻 P 型硅 (P++)，碳化硅，藍寶石，玻璃，鈮酸鋰等晶圓材料。

重摻型硅（強吸收晶圓的前后表面探測）

粗糙的晶圓表面，（點掃描的第三代掃頻激光，相比靠光譜探測方案，不易受到光譜中相鄰單位的串擾噪聲影響，因而對測量粗糙表面晶圓）

低反射的碳化硅(SiC)和鈮酸鋰(LiNbO3)；（通過對偏振效應的補償，加強對低反射晶圓表面測量的信噪比）

絕緣體上硅（SOI)和MEMS，可同時測量多 層 結(jié) 構(gòu)，厚 度 可 從μm級到數(shù)百μm 級不等。

可用于測量各類薄膜厚度，厚度最薄可低至 4 μm ，精度可達1nm。

2，可調(diào)諧掃頻激光的“溫漂”處理能力，體現(xiàn)在極端工作環(huán)境中抗干擾能力強，充分提高重復性測量能力。

采用第三代高速掃頻可調(diào)諧激光器，一改過去傳統(tǒng)SLD寬頻低相干光源的干涉模式，解決了由于相干長度短，而重度依賴“主動式減震平臺”的情況。卓越的抗干擾，實現(xiàn)小型化設(shè)計，同時也可兼容匹配EFEM系統(tǒng)實現(xiàn)產(chǎn)線自動化集成測量。

3，靈活的運動控制方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圓片測量。